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公开(公告)号：KR1019950015835A
公开(公告)日：1995-06-17
申请号：KR1019930024325
申请日：1993-11-16
IPC: H01L31/107 , H01L31/10
Abstract: 본 발명은 애벌런치 포토다이오드에 관한 것으로 특히 pn접합계면의 모서리 부분(A)의 곡률로 인하여 벌크부분(B)보다 모서리 부분에 전기장이 집중되어 벌크에서의 증폭률이 감소되는 조기 항복현상을 방지하는 매립형 메사 애벌런치 포토다이오드구조 및 제조방법에 관한 것이다. lnP기판층(1)위에 버퍼층(2), 3원계 화합물 반도체층(3), 4월계 화합물 반도체층(4), lnP차지시이트층(9)을 차례로 성장시키고 상기 lnP차지시이트층(9)에서 상기 버피층(2)의 일부까지 메사 에칭을 수행한다. 그리고 외형을 메사형으로 구현하여 광전류의 증폭이 이뤄지는 별크부분의 전지장 세기가 pn접합 모서리 부분의 전기장보다 크게 되므로 모서리 부분에 전지장이 집중 되어도 벌크 부분보다 낮게 조절되어 조기 항복현상이 발생하지 않는다. 또한 가드링을 사용하지 않아도 소자의 성능과 신뢰도가 향상되며 제작이 쉽고 재현성을 향상시킬 수 있으며 매립형으로 식각계면의 성능이 향상된다.
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公开(公告)号：KR1019950002086A
公开(公告)日：1995-01-04
申请号：KR1019930012201
申请日：1993-06-30
IPC: H01L31/107
Abstract: 본 발명은 SAGM(Seperate Absorption Grading and Multiplication) 구조의 애벌런치 포토다이오드를 제조하는 방법에 관한 것으로, 에피택셜층의 성장시 챠지쉬트층의 두께를 정확하게 조절한 후 식각공정시 InP이 InGaAs에 대해 선택적으로 식각된다는 특성을 활용하여 챠지쉬트층을 모두 식각함으로써, 식각이 용이해지고 공정의 재현성이 높아진다. 특히, 에피택셜층의 성장시 챠지쉬트층의 두께를 정확히 조절할 수 있다는 장점이 있으므로, 소자의 제작공정 및 재현성과 제어성이 크게 향상된다는 장점을 갖는다.
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Patent Agency Ranking
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7.发明公开
公开(公告)号：KR1019940016964A
公开(公告)日：1994-07-25
申请号：KR1019920025002
申请日：1992-12-22
IPC: H01L31/00
Abstract: 초격자구조를 증폭층으로 사용하는 애벌란체 포토다이오드의 구조에 있어서, n
+ 형 InP기판(10)과, 기판(10)상에 버퍼층으로 형성된 n
+ 형 InP에피택셜층(11)과, 에피택셜층(11)상에 형성된 n형 In
1-x Al
x As층(12)과, In
1-x Al
x As층(12)보다 불순물 농도가 상대적으로 크게하여 층(12)상에 형성된 n
+ 형 In
1-x Al
x As층(13)과, 층(13)상에 형성된 In
0.53 Ga
0.47 As/In
1-x Al
x As의 초격자 구조를 갖는 증폭층(14)과, 증폭층(14)상에 순차형성된 p형 In
1-x Al
x As층(15)(16)과, 층(16)상에 형성된 In
0.53 Ga
0.47 As로된 흡수층(17)과 흡수층(17)상에 순차 형성된 표면누설 전류량 감소용 p형 InP층(18)과 오믹접합용 In
0.53 Ga
0.47 As층(19)을 포함하는 구성을 특징으로 하는 애벌란체 포토다이오드의 구조.-
公开(公告)号：KR1019940001501B1
公开(公告)日：1994-02-23
申请号：KR1019910002545
申请日：1991-02-13
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/02
Abstract: The method for bonding same or different semiconductors comprises the steps of: (a) growing a protection layer on a first and a second semiconductor; (b) depositing a positive ion type metal thin film of a bonding chemical semiconductor on the protection layer of the first semiconductor, but a negative one on the protection layer of the second one; (c) placing the second semiconductor upside down over the first semiconductor; and (d) heating the laminated semiconductor at which the temperature is higher than the positive ion type metal thin film, but lower than the negative one so that the chemical semiconductor is formed by the reaction between the solid state having negative ion and the liquid state having positive ion.
Abstract translation: 用于接合相同或不同半导体的方法包括以下步骤：（a）在第一和第二半导体上生长保护层; （b）在第一半导体的保护层上沉积接合化学半导体的正离子型金属薄膜，而在第二半导电体的保护层上沉积负极离子型金属薄膜; （c）将所述第二半导体倒置在所述第一半导体上; 和（d）加热温度高于正离子型金属薄膜但低于负极的层压半导体，使得通过具有负离子的固态与液体状态之间的反应形成化学半导体 具有正离子。
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