公开(公告)号：KR1019950006965B1

公开(公告)日：1995-06-26

申请号：KR1019910016478

申请日：1991-09-20

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 박효훈 ,  이중기

IPC: H01L21/20

Abstract: The method grows the zinc phosphite epitaxial layer of single crystal on the semiconductor substrate of indium phosphite which is photoelectric materials. The method has the steps of growing the single crystalline film of indium galium arsenic phosphite, and forming epitaxial film of zinc phosphite by diffusion of zinc through junction between substrate and thin film during heating under zinc phosphite atmosphere. It grows to thick single crystal, out of which solar battery with high efficiency can be manufactured.

Abstract translation: 该方法在作为光电材料的铟亚磷酸盐的半导体衬底上生长单晶的亚磷酸锌外延层。 该方法具有以下步骤：生长铟镓砷亚磷酸盐的单晶膜，并且在亚磷酸锌气氛加热期间通过锌在基底和薄膜之间的连接扩散形成亚磷酸锌的外延膜。 它生长成厚单晶，其中可以制造高效率的太阳能电池。

公开(公告)号：KR1019940017017A

公开(公告)日：1994-07-25

申请号：KR1019920025018

申请日：1992-12-22

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 박찬용 ,  유지범 ,  박경현 ,  김홍만 ,  장동훈 ,  이중기

IPC: H01S5/20

公开(公告)号：KR100319762B1

公开(公告)日：2002-01-05

申请号：KR1019990061981

申请日：1999-12-24

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 송현우 ,  장동훈 ,  남은수 ,  이중기

IPC: H01S5/18

Abstract: 본발명은공진기거울부분에전압을인가함으로써안정된출력편광을얻을뿐만아니라인가되는전압의방향을변경함으로써출력편광의방향을효과적으로제어할수 있는수직공진표면방출반도체레이저장치에관한것으로, 화합물반도체기판, 상기화합물반도체기판상에형성된제1 공진기거울, 상기제1 공진기거울상에형성된제1 클레딩층, 상기제1 클레딩층상에형성된이득매질층, 상기전류통로층상에형성된저항물질층및 상기저항물질층상에형성된제2 공진기거울을포함하는수직공진표면방출반도체레이저를제공한다.

公开(公告)号：KR1020010057761A

公开(公告)日：2001-07-05

申请号：KR1019990061160

申请日：1999-12-23

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 장동훈 ,  이중기 ,  송현우 ,  남은수 ,  심종인

IPC: H01S5/32

Abstract: PURPOSE: An optical filter integrate laser diode and wave length fixing light source structure is provided to measure a fine optical wave length change easily with a general optical detector by using a multiple microcavity integrate structure. CONSTITUTION: A distributed feedback laser diode(DBF-LD) is supplied on a substrate(1). A multiple microcavity filter(MMCF) is arranged at the rear side of the distributed feedback laser diode. A diffraction grating(5) which is supplied at an active layer of the distributed feedback laser diode makes the distributed feedback laser diode to be operated in a designated wave length, and a part of lights that is generated there goes out through the multiple microcavity filter. The multiple microcavity filter makes a filtering lights of special wave length. Integration of the multiple microcavity filter is possible with anyone of monolithic or hybrid integration.

Abstract translation: 目的：提供集成激光二极管和波长固定光源结构的滤光片，通过使用多重微腔积分结构，通过一般的光学检测器容易地测量精细的光波长变化。 构成：在基板（1）上提供分布反馈激光二极管（DBF-LD）。 在分布式反馈激光二极管的背面设有多个微腔滤波器（MMCF）。 在分布式反馈激光二极管的有源层处提供的衍射光栅（5）使得分布式反馈激光二极管以指定的波长工作，并且其中产生的一部分光通过多个微腔滤波器 。 多个微腔滤波器产生特殊波长的滤光灯。 任何单片或混合集成都可以集成多个微腔滤波器。

公开(公告)号：KR100279734B1

公开(公告)日：2001-03-02

申请号：KR1019980020411

申请日：1998-06-02

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 조호성 ,  박경현 ,  이중기 ,  장동훈 ,  박철순

IPC: H01S5/30

Abstract: 본 발명은 평면 매립형 반도체 레이저 구조 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 그 구조는 pnp 구조의 전류차단층(304, 305, 306)이 반절연성 전류 차단층(309)의 양 내측면에 함께 형성된 구조이고, 이러한 구조의 제조는 메사 식각을 행하여 활성층 영역을 정의하는 과정과, 그 활성층 영역으로의 전류주입을 위하여 활성층 주변에 pnp 구조의 전류 차단층을 재성장하는 과정과, pnp 구조의 전류 차단층 재성장 후 활성층 영역 위에 크래드 층과 오옴 접촉층을 재성장하는 과정과, 크래드 층과 오옴 접촉층을 재성장한 후 변조 속도를 높여주기 위해 반절연층을 재성장하는 과정으로 제조함으로써, 고성능의 광출력 특성을 얻을 수 있을 뿐만 아니라, 변조 특성을 현저히 높일 수 있으므로 고성능의 평면 매립형 반도체 레이저를 얻을 수 있는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR100276078B1

公开(公告)日：2001-01-15

申请号：KR1019980016751

申请日：1998-05-11

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 조호성 ,  박경현 ,  이중기 ,  장동훈 ,  박철순

IPC: H01L29/20

Abstract: PURPOSE: A structure of a planar buried semiconductor and a fabricating method thereof are provided to reduce an optical loss by changing only a structure of a current intercepting layer. CONSTITUTION: An active layer(22) of a hetero-junction structure and a p type InP clad layer(21) grow on an n type InP substrate(23). An insulating layer is deposited thereon and a stripe for forming a mesa is formed. An etch process for the mesa is performed. A re-growing layer is formed by a p type InP layer(24), an n type InP layer(25), a p type InP layer(26) and an n type InP layer(27). The insulating layer used for the mesa etch process is removed. A p type InP clad layer(28) and an InGaAs ohm contact layer grow after the insulating layer is removed.

Abstract translation: 目的：提供平面埋入式半导体的结构及其制造方法，通过仅改变截流层的结构来减少光损耗。 构成：异质结结构的有源层（22）和p型InP包层（21）在n型InP衬底（23）上生长。 在其上沉积绝缘层，并形成用于形成台面的条带。 执行台面的蚀刻工艺。 再生长层由p型InP层（n），n型InP层（25），p型InP层（26）和n型InP层（27）形成。 去除用于台面蚀刻工艺的绝缘层。 在绝缘层被去除之后，p型InP覆盖层（28）和InGaAs欧姆接触层生长。

公开(公告)号：KR100264975B1

公开(公告)日：2000-09-01

申请号：KR1019970063395

申请日：1997-11-27

Applicant: 주식회사 케이티 ,  한국전자통신연구원

Inventor： 장동훈 ,  박철순 ,  박경현 ,  이중기

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/20

Abstract: PURPOSE: A selective crystal growth method is provided to be capable of forming a crystal growth layer of a good quality by reducing defects generated at a boundary portion of a crystal growth layer and an insulating layer. CONSTITUTION: A selective crystal growth method forms insulating film patterns(A,B) using SiO2 or Si3N4 on a semiconductor substrate(21) of GaAs or InP, etc. The insulating film patterns(A,B) has a sawtooth shape in a length direction. That is, the insulating film patterns(A,B) has a rectangle shape. The insulating film patterns(A,B) has a sawtooth shape in which an oblique side of a continued rectangle forms facing two edges of the rectangle so that hills and fields are continuous at an edge in a length direction.

Abstract translation: 目的：提供选择性晶体生长方法，通过减少在晶体生长层和绝缘层的边界部分产生的缺陷，能够形成质量良好的晶体生长层。 构成：选择性晶体生长方法在GaAs或InP等的半导体衬底（21）上使用SiO 2或Si 3 N 4形成绝缘膜图案（A，B）。绝缘膜图案（A，B）的长度为锯齿形 方向。 也就是说，绝缘膜图案（A，B）具有矩形形状。 绝缘膜图案（A，B）具有锯齿形状，其中连续矩形的倾斜面形成为面向矩形的两个边缘，使得山丘和场在长度方向上的边缘处连续。

公开(公告)号：KR1019990084767A

公开(公告)日：1999-12-06

申请号：KR1019980016751

申请日：1998-05-11

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 조호성 ,  박경현 ,  이중기 ,  장동훈 ,  박철순

IPC: H01L29/20

Abstract: 본 발명은 평면 매립형 반도체 레이저의 구조 및 그 제조방법으로 특히, 부가적인 공정없이 전류차단층 구조를 변화시켜 반도체 레이저와 광섬유와의 결합 효율을 향상시키는 방법에 관한 것으로서, 평면 매립형 반도체 레이저의 제작은 활성층 영역을 정의하기 위한 메사식각 공정, 활성층 영역으로의 전류 주입을 위하여 활성층 주변에 전류차단층의 1차 재성장 공정 및 활성층 영역 위의 클래드층과 오옴접촉층을 형성하기 위한 2차 재성장 공정으로 구성함으로써, 전류차단층의 구조를 바꾸어 줌으로 인해 효율적으로 출사광의 형태가 변형되는 것을 방지할 수 있을 뿐만 아니라, 전류차단층 구조를 자유롭게 조절할 수 있으므로 출사광의 크기를 증가시킬 수 있어 높은 광결합효율을 가진 평면 매립형 반도체 레이저를 얻을 수 있는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR100226434B1

公开(公告)日：1999-10-15

申请号：KR1019960062713

申请日：1996-12-07

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 이중기 ,  박경현 ,  조호성 ,  장동훈 ,  박철순

IPC: H01S3/0941

CPC classification number: H01S5/042 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/2063

Abstract: 본 발명은 기존의 0.98㎛ 반도체 레이저에서 발생하는 밝은띠에 의한 광출력의 방사 중심축 굴절 현상을 없앤 이온 주입 공정을 이용한 0.98㎛ 반도체 레이저 구조 및 그 제조방법에 관한 것이다. 0.98㎛ 반도체 레이저에서 발생하는 밝은 띠의 제거는 반도체 레이저의 공진기를 따라 주기적으로 이득 변화를 주면 된다. 즉, 공진기 내에서의 밝은 띠 발생의 원인인 이득 분포를 다른 형태로 바꿈으로써 가능하게된다. 본 발명에서는 활성층 위에 이온주입 공정을 통한 절연층을 형성시켜 활성층으로 주입되는 전하 밀도를 조절함으로써 공진기 길이 방향으로서의 빛의 불균형 분포를 상쇄시키는 방법에 관하여 기술하였다.

公开(公告)号：KR100226431B1

公开(公告)日：1999-10-15

申请号：KR1019960061998

申请日：1996-12-05

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 장동훈 ,  박경현 ,  이중기 ,  조호성 ,  박철순

IPC: H01S3/0947

Abstract: 본 발명은 고출력에서도 고차 모드의 발진을 억제하여 기본 모드로 동작하므로서 안정된 광 출력을 내는 고출력 반도체 레이저에 관한 것이다. 고출력화는 반도체 레이저 자체의 고출력화와 모듈로 제작 시 반도체 레이저와 부착 광섬유 사이의 광결합 효율을 높이는 문제로 나누어 생각할 수 있다. 현재 반도체 레이저의 고출력화와 일반 반도체 레이저와 광섬유 사이의 광결합의 고 효율화는 크게 진전되어 있으나 양자를 결합하여 반도체 레이저 모듈을 제작할 때에는 반도체 레이저로부터 방사되는 광출력형태(방사 패턴)가 반도체 레이저의 동작조건에 따라 변함으로써 결과적으로 반도체 레이저 모듈의 성능을 나쁘게 하고 있다. 이와같은 광출력 형태는 기본모드가 아닌 고차모드로 동작시 광결합 효율은 나빠지게 되므로 고출력 반도체 레이저에 있어서 고차모드의 발생 억제가 필수적이다. 따라서 본 발명은 고출력 동작시 고차모드의 발생을 억제하기 위하여 RWG 반도체 레이저의 Channel 부분에 Zn, Be, Si 등의 원소를 확산 또는 Implant 공정을 통하여 channel 부분과 Ridge 부분의 경계부를 일부 혼정화 시키므로서 급준한 유효굴절율 변화를 완화시켜 고출력 동작 시에도 고차모드 동작을 억제시켜 고출력에서도 광결합 효율이 좋은 기본모드로 동작하게 하는 구조의 제작에 있다.