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公开(公告)号：KR100289043B1
公开(公告)日：2001-06-01
申请号：KR1019980016754
申请日：1998-05-11
Abstract: PURPOSE: A vertical fluorescent integrated circuit is provided to perform simultaneously a light emitting function and a light receiving function by forming a laser diode and a photo diode into one device. CONSTITUTION: A lower resonator(3) is installed on a semiconductor substrate(1) in order to transmit an optical signal having a wavelength of 1.3 micro meter and receive an optical signal having a wavelength of 1.55 micro meter. An upper resonator(5) is laminated on the lower resonator(3). The upper resonator(5) is used for coupling and detecting the optical signals of 1.55 micro meter when a backward bias is applied. An auxiliary optical waveguide(12) is installed between the lower resonator(3) and the upper resonator(5) in order to prevent transmission of the optical signal of 1.3 micro meter to the upper resonator(5) or couple efficiently the optical signals of 1.33 micro meter. Cathodes(10,9) are formed on the substrate(1) and a metal contact layer(7), respectively. A common anode is formed on the optical waveguide(12).
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公开(公告)号：KR100248431B1
公开(公告)日：2000-03-15
申请号：KR1019960062714
申请日：1996-12-07
IPC: H01S3/00
Abstract: 본 발명은 종래의 0.98㎛ 반도체 레이저가 고출력으로 동작할 때 발생하는 열을 효과적으로 발산시켜 반도체 레이저의 온도에 따른 발진파장 변화를 감소시키고 양자효율을 증가시켜 반도체 레이저의 특성을 향상시킨 새로운 0.98㎛ 반도체 레이저의 구조에 관한 것으로, 활성층 좌우의 빛이 유도되지 않는 영역을 식각한 다음 반도체 레이저 칩을 솔더를 이용하여 칩고정용기판에 접속하고, 칩고정용기판에 열발산을 위한 TEC를 접속한 구조를 갖는 반도체 레이저를 제조하였다.
이에 의해 본 발명의 반도체 레이저는 리지(ridge) 좌우의 활성층 영역을 식각하여 열 발생의 주된 원인인 활성층과 금속층간의 거리를 좁혀준 새로운 형태의 방열구조를 제공하는 것에 의해 반도체 레이저의 효율이 향상되었다.-
公开(公告)号：KR100238422B1
公开(公告)日：2000-01-15
申请号：KR1019970032813
申请日：1997-07-15
IPC: H01L31/153 , H01L27/14
Abstract: 본 발명은 단파장 발광, 장파장 수광 및 단파장 광출력의 감시 기능이 단일 칩(chip) 내에 복합된 다기능 광소자의 구조에 관한 것으로서, 반도체 레이저(LD)의 빛이 광검출기(PD) 영역으로 전파하는 것을 방지하기 위해 LD 공진기의 한쪽 거울면으로서의 효과를 가지는 회절격자를 LD 영역의 일부에 형성하고, 단파장 LD와 장파장 PD 사이에 LD의 광출력을 흡수하여 검출하면서 동시에 LD의 빛이 PD 쪽으로 전파하는 것을 차단하는 m-PD의 영역을 삽입한 것을 특징으로 하며, 복합 기능 광소자는 1.3㎛ 파장의 광 신호 송신, 1.55㎛ 파장의 광 신호 수신 및 1.3㎛ 파장의 광 신호 세기 검출 기능을 동시에 수행함으로써, 광소자 여러개를 사용할때의 광통신 단말기의 구성이 복잡해지고 가격이 높아지는 것을 해소하고, 광 가입자망에서 전화국의 단말기를 구성하는 개별 LD, PD 및 m-PD 광소자를 대체할 수 있는 효과를 가진다.
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公开(公告)号：KR1019990040327A
公开(公告)日：1999-06-05
申请号：KR1019970060672
申请日：1997-11-18
IPC: H04J14/02
Abstract: 본 발명은 전송하고자 하는 데이터를 광신호로 변환하고 광섬유를 통하여 광신호를 전송하는 광통신 시스템에서 광섬유의 색분산에 의한 신호의 왜곡으로 발생되는 전송오율을 감소시키는 광통신 시스템용 다채널 색분산 보상방법 및 그 장치에 관한 것으로서, 색분산 보상 광섬유에 특정 파장에서만 반사를 하는 광섬유 격자 거울을 삽입하고, 광 써큘레이터(circulator)를 이용하여 광경로를 조정한 색분산 보상방법 및 그 장치를 제공함으로써, 종래의 색분산 보상 광섬유를 다채널 광전송 시스템에 직접 이용할 경우 전송 파장에 따라 색분산 보상을 하여 전체적인 전송 품질을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100155507B1
公开(公告)日：1998-10-15
申请号：KR1019940035492
申请日：1994-12-21
IPC: H01L31/12
Abstract: 본 발명은 광결합 효율을 높이기 위하여 집적광학형 광도파로를 적용한 광통신용 집적광학형 발광모듈 제작법에 관한 것으로 반도체 발광 소자에 외부 광통신 시스템과의 접속을 위한 광섬유(pigtail fiber)를 부착한 형태로 패키징하여 제작되는 발광모듈의 패키징에 있어서 가장 어렵고 비용이 많이 드는 부분은 발광 소자와 부착 광섬유 사이의 광결합의 공정이다.
본 발명은 기존 발광모듈 제작시 발생하는 발광 소자와 단일 모드 광섬유 사이의 정렬오차에 의한 영향을 배제하면서 동시에 광출력-입력 면적 차이를 작게 함으로써 광결합 효율을 높이기 위한 광통신용 집적광학형 발광모듈 제작법으로서 발광 소자에 광섬유를 부착하여 발광 모듈로 제작함에 있어 여러개의 역 깔때기형 코어가 배치된 집적 광학형 광도파로를 발광 소자와 단일 모드 광섬유 사이에 삽입하여 이루어짐을 특징으로 하는 것이다.-
公开(公告)号：KR100144789B1
公开(公告)日：1998-08-17
申请号：KR1019950017305
申请日：1995-06-24
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S5/10
Abstract: 본 발명은 레이저 다이오드에 관한 것으로서, 오믹접촉층 상부의 전극이 서로 소정 거리 이격되고 오믹접촉층의 길이 방향과 수직을 이루는 다수 개의 빗살을 갖는 빗의 형상으로 형성하여 활성층에서 광을 불연속적으로 발생시키거나, 또는, 리지형태인 제3클래드층과 오믹접촉층의 폭을 주기적으로 다르게하여 활성층에서 광을 공진기의 폭(W1)(W2)에 따라 서로 다른 횡모드 분포를 갖도록 발생시켜 공진기의 가장자리 부분에서 상대적으로 높은 이득에 의해 중심 부분 보다 밝게되는 광을 공진기의 길이 방향으로 짧은 길이를 갖도록 유도한다. 따라서, 높은 차수의 횡모드에 대응하는 밝은 띠가 짧게 무질서하게 형성되거나 발진자체를 억제하여 공진기의 기본 횡모드만 여기시킴으로써 출력되는 광의 방사 패턴의 중심 축이 굴절되는 것을 방지하여 광출력의 안정도를 향상시킬 수 있다.
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公开(公告)号：KR100341388B1
公开(公告)日：2002-06-21
申请号：KR1019990025034
申请日：1999-06-28
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G02B6/12
Abstract: 본발명은단일광파장으로동작하는반도체레이저다이오드의발진광을항상동일한발진파장으로고정시키기위한집적광학형광파장감시기구에관한것이다. 이러한집적광학형광파장감시기구는, 입사되는단일광파장의빛을서로다른광경로들을통해통과시키는판형광도파로와; 상기판형광도파로에형성되어상기광경로의각도에따라상기빛의투과중심파장을변화시키는회절격자형광필터; 및상기회절격자형광필터를투과한빛들을입력받아그 투과중심파장에따른광전류를검출하는공간분할광검출기를포함한다.
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公开(公告)号：KR100279734B1
公开(公告)日：2001-03-02
申请号：KR1019980020411
申请日：1998-06-02
IPC: H01S5/30
Abstract: 본 발명은 평면 매립형 반도체 레이저 구조 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 그 구조는 pnp 구조의 전류차단층(304, 305, 306)이 반절연성 전류 차단층(309)의 양 내측면에 함께 형성된 구조이고, 이러한 구조의 제조는 메사 식각을 행하여 활성층 영역을 정의하는 과정과, 그 활성층 영역으로의 전류주입을 위하여 활성층 주변에 pnp 구조의 전류 차단층을 재성장하는 과정과, pnp 구조의 전류 차단층 재성장 후 활성층 영역 위에 크래드 층과 오옴 접촉층을 재성장하는 과정과, 크래드 층과 오옴 접촉층을 재성장한 후 변조 속도를 높여주기 위해 반절연층을 재성장하는 과정으로 제조함으로써, 고성능의 광출력 특성을 얻을 수 있을 뿐만 아니라, 변조 특성을 현저히 높일 수 있으므로 고성능의 평면 매립형 반도체 레이저를 얻을 수 있는 효과가 있다.
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公开(公告)号：KR100276078B1
公开(公告)日：2001-01-15
申请号：KR1019980016751
申请日：1998-05-11
IPC: H01L29/20
Abstract: PURPOSE: A structure of a planar buried semiconductor and a fabricating method thereof are provided to reduce an optical loss by changing only a structure of a current intercepting layer. CONSTITUTION: An active layer(22) of a hetero-junction structure and a p type InP clad layer(21) grow on an n type InP substrate(23). An insulating layer is deposited thereon and a stripe for forming a mesa is formed. An etch process for the mesa is performed. A re-growing layer is formed by a p type InP layer(24), an n type InP layer(25), a p type InP layer(26) and an n type InP layer(27). The insulating layer used for the mesa etch process is removed. A p type InP clad layer(28) and an InGaAs ohm contact layer grow after the insulating layer is removed.
Abstract translation: 目的：提供平面埋入式半导体的结构及其制造方法，通过仅改变截流层的结构来减少光损耗。 构成：异质结结构的有源层（22）和p型InP包层（21）在n型InP衬底（23）上生长。 在其上沉积绝缘层，并形成用于形成台面的条带。 执行台面的蚀刻工艺。 再生长层由p型InP层（n），n型InP层（25），p型InP层（26）和n型InP层（27）形成。 去除用于台面蚀刻工艺的绝缘层。 在绝缘层被去除之后，p型InP覆盖层（28）和InGaAs欧姆接触层生长。
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