公开(公告)号：KR100497419B1

公开(公告)日：2005-07-01

申请号：KR1020020082855

申请日：2002-12-23

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 박강호 ,  송기봉 ,  김은경 ,  김준호 ,  이성규

IPC: G11B11/08

CPC classification number: G11B11/002 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/04

Abstract: 본 발명에 따른 정보저장매체는 기판, 다수의 하부 전극선, 다수의 상부 전극선, 및 정보 기록층을 포함한다. 여기서, 다수의 하부 전극선은 기판 상에 서로 일정한 간격으로 평행하게 배열되며, 다수의 상부 전극선은 다수의 하부 전극선과 교차하며, 서로 일정한 간격으로 평행하게 배열된다. 정보 기록층은 하부 전극선과 상부 전극선 사이의 교차점에 셀을 형성하여 매트릭스 구조를 갖는 정보 기록층을 포함하며, 여기서 셀의 결정 상태는 상기 셀을 형성하는 상기 하부 전극선과 상기 상부 전극선에 인가되는 전압의 차이에 따라 비정질 상태 또는 결정 상태로 형성된다.
본 발명에 따른 정보저장매체에서는 상기 정보 기록층의 셀의 초기 상태가 결정(crystal) 상태 또는 비정질(amorphous) 상태이며, 전기적인 가열에 의해 상기 두 상태 중 하나에서 다른 하나로 변환된다. 상기 셀이 결정 상태일 경우와 비정질 상태일 경우의 입사 광에 대한 반사율이 상이하므로, 이러한 성질을 이용하여 상기 정보저장매체에 기록된 정보를 재생할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020040056274A

公开(公告)日：2004-06-30

申请号：KR1020020082855

申请日：2002-12-23

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 박강호 ,  송기봉 ,  김은경 ,  김준호 ,  이성규

IPC: G11B11/08

CPC classification number: G11B11/002 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/04

Abstract: PURPOSE: A data storage media and an optical system using the data storage media are provided to record or regenerate data at or from the data storage media using a matrix type electric circuit mechanism. CONSTITUTION: The media comprises plural lower electrode lines(120), plural upper electrode lines(140), and a data record layer(130). The plural lower electrode lines(120) are equidistantly and in parallel arranged on a transistor. The plural upper electrode lines(140) are also equidistantly and in parallel arranged on a transistor while they cross the plural lower electrode lines(120). The data record layer(130) includes cells formed between the plural lower electrode lines(120) and plural upper electrode lines(140). The overall surface is covered with a silicon oxide film. The transistor actively controls the current amount supplied for the each cell.

Abstract translation: 目的：提供使用数据存储介质的数据存储介质和光学系统，以使用矩阵型电路机制在数据存储介质上记录或重新生成数据。 构成：介质包括多个下电极线（120），多个上电极线（140）和数据记录层（130）。 多个下电极线（120）在晶体管上等距并联。 多个上电极线（140）在等离子体并排配置在晶体管上同时跨越多个下电极线（120）。 数据记录层（130）包括形成在多个下电极线（120）和多个上电极线（140）之间的单元。 整个表面被氧化硅膜覆盖。 晶体管主动地控制为每个单元提供的电流量。

公开(公告)号：KR100388497B1

公开(公告)日：2003-06-25

申请号：KR1020010030890

申请日：2001-06-01

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김준호 ,  김상협 ,  성건용

IPC: H01L39/12 ,  H01L39/24

CPC classification number: H01L39/2487 ,  C30B1/023 ,  C30B23/02 ,  C30B29/10

Abstract: 본 발명은
초전도 물질인 MgB
2 와 (Mg
1-X M
X )B
2 (M=Cu,Zn,Be,Na,Li)의 에피택셜 박막 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 육방정계 결정구조(Hexagonal crystal structure)의 단결정 기판이나, 그 구조를 갖는 박막을 밑틀층으로 하여 MgB
2 와 (Mg
1-X M
X )B
2 (M=Cu,Zn,Be,Na,Li)의 에피택셜 박막을 성장하되, 성장 중에 Mg 증기를 흘려서 Mg을 보충하거나, 증착 후에 후 열처리를 Mg 증기 분위기에서 실시한다.

Abstract translation: 本发明利用二硼化镁（MgB2）或（Mg1-xMx）B2作为可应用于快速单通量子（RSFQ）电路的超导薄膜。 制造其中包含超导薄膜的超导体的方法从制备单晶衬底开始。 之后，在基板的顶部形成模板膜，其中模板具有六方晶体结构。 MgB2或（Mg1-xMx）B2的超导薄膜形成在模板膜的顶部。 如果超导薄膜中的Mg量不足，则Mg蒸气在超导薄膜的表面上流动，而后退火处理在400℃以上的温度下进行。 C.到900＆deg; C。

公开(公告)号：KR1020020092038A

公开(公告)日：2002-12-11

申请号：KR1020010030890

申请日：2001-06-01

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김준호 ,  김상협 ,  성건용

IPC: H01L39/12 ,  H01L39/24

CPC classification number: H01L39/2487 ,  C30B1/023 ,  C30B23/02 ,  C30B29/10

Abstract: PURPOSE: An epitaxial thin film of MgB2 and (Mg1-xMx)B2 as an intermetallic compound superconductive material and a method for manufacturing the same are provided to implement an RSFQ(Rapid Single Flux Quantum). CONSTITUTION: A lower layer(22) of a hexagonal crystal structure having correlative crystal structure and lattice constant is formed on a single crystalline substrate(21). A superconductive thin film(23) containing magnesium(Mg) and boron(B) is formed on the lower layer(22). The single crystalline substrate(21) consists of one of GaN, Al2O3, SiC, ZnO, SiAlO2, and LiGaO2. The lower layer(22) consists of one of GaN, Al2O3, SiC, ZnO, LiAlO2, LiGaO2, and SrTiO3. Also, MgB2 or (Mg1-xMx)B2 (where, M=Cu, Zn, Na, Be, or Li) is used as the superconductive thin film(23).

Abstract translation: 目的：提供MgB2和（Mg1-xMx）B2作为金属间化合物超导材料的外延薄膜及其制造方法，以实现RSFQ（快速单通量）。 构成：在单晶衬底（21）上形成具有相关晶体结构和晶格常数的六方晶体结构的下层（22）。 在下层（22）上形成含有镁（Mg）和硼（B）的超导薄膜（23）。 单晶衬底（21）由GaN，Al 2 O 3，SiC，ZnO，SiAlO 2和LiGaO 2之一组成。 下层（22）由GaN，Al2O3，SiC，ZnO，LiAlO2，LiGaO2和SrTiO3中的一种构成。 此外，使用MgB2或（Mg1-xMx）B2（其中，M = Cu，Zn，Na，Be或Li）作为超导薄膜（23）。

公开(公告)号：KR100734844B1

公开(公告)日：2007-07-03

申请号：KR1020050108943

申请日：2005-11-15

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 송기봉 ,  김준호

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/66765 ,  H01L27/1266 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78675 ,  H01L29/78678

Abstract: 본 발명은 기판, 금속층, 제1 비정질 실리콘층, 절연물층, 제2 비정질 실리콘층을 포함하는 막구조물 및 여기에 단일 펄스 레이저를 주사하여 상기 제2 비정질 실리콘층을 결정화하는 방법에 관한 것이다. 상기 막구조물을 이용함으로써 별도의 광학계가 필요 없는 단일 펄스 레이저를 이용하여 이중 펄스 레이저를 사용하는 것과 동등 이상으로 비정질 실리콘의 거대 그레인을 형성할 수 있는 효과를 갖는다. 따라서 상기 막구조물을 적용한 반도체 소자는 전자 이동도를 극대화할 수 있다.
비정질 실리콘, 결정화, 그레인, 단일 펄스 레이저. 열 열매

公开(公告)号：KR1020040042420A

公开(公告)日：2004-05-20

申请号：KR1020020070716

申请日：2002-11-14

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이성규 ,  송기봉 ,  박강호 ,  김준호 ,  김은경 ,  박기환 ,  염우섭

IPC: G01N13/16

CPC classification number: G01Q60/32

Abstract: PURPOSE: A non-contact type measurement apparatus by using frequency response division and a measuring method thereof are provided to reduce the number of driving sections by measuring a surface level and vibrating a cantilever using one driver. CONSTITUTION: A non-contact type measurement apparatus includes a base section(10). An X-Y scanner(11) is aligned on the X-Y scanner(11). A sample(12) is positioned on the X-Y scanner(11). A cantilever(15) having a sensing section(13) is formed on the sample(12). One end of the cantilever(15) is supported by a driving section(16) and the other end of the cantilever(15) is provided with a tip(14). A fixing member(17) is provided to support the driving section(16). A sensing section(13) detects amplitude of frequency according to a variation of a distance between the tip(14) and the sample(12).

Abstract translation: 目的：提供使用频率响应分割的非接触型测量装置及其测量方法，以通过使用一个驱动器测量表面水平和振动悬臂来减少驱动部分的数量。 构成：非接触型测量装置包括基部（10）。 X-Y扫描仪（11）在X-Y扫描仪（11）上对准。 样品（12）位于X-Y扫描仪（11）上。 在样品（12）上形成具有感测部分（13）的悬臂（15）。 悬臂（15）的一端由驱动部分（16）支撑，并且悬臂（15）的另一端设置有尖端（14）。 设置固定构件（17）以支撑驱动部分（16）。 感测部（13）根据尖端（14）和样本（12）之间的距离的变化来检测频率的振幅。

公开(公告)号：KR100499029B1

公开(公告)日：2005-07-01

申请号：KR1020020064662

申请日：2002-10-22

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 송기봉 ,  김은경 ,  이성규 ,  박강호 ,  김준호

IPC: G11B11/26

CPC classification number: G11B7/1387 ,  G01Q60/22 ,  G01Q80/00 ,  G11B7/22 ,  H01L21/30608 ,  H01L21/31116

Abstract: 본 발명은 광 정보 저장장치의 헤드에 적용 가능한 캔티레버형 근접장 탐침 구조 및 그 제작 방법에 관한 것이다.
본 발명은 윗부분과 아랫부분에 유전체 박막이 마스크 층으로 형성되고 위쪽 마스크 층에 유전체 원형 박막이 형성되어 홀더(Holder) 역할을 하는 실리콘 기판에 산화막을 형성하고, 이때 상기 유전체 원형 박막에 의해 발생하는 산화막의 성장률 차이에 기인하는 새부리(bird's beak) 효과에 의해 탐침의 끝부분이 포물선 구조가 되는 초기 탐침을 형성한 후, 이 초기 탐침에서 상기 유전체 원형 박막을 제거한 다음 실리콘 기판의 바닥면을 제거하여 고투과율을 가지는 근접장 에퍼처가 형성된 탐침을 완성하도록 되어 있으며,
이에 따라서, 차세대 고밀도 광 정보 저장장치의 헤드에 적용하면 광 손실 영역을 최대한 짧게 할 수 있으며, 광 정보의 기록 및 재생에 필요한 탐침의 광 투과율을 기존의 광섬유 탐침의 투과율보다 수천 배 이상 향상시킬 수 있는 장점이 있다.

公开(公告)号：KR1020050065902A

公开(公告)日：2005-06-30

申请号：KR1020030097064

申请日：2003-12-26

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김준호 ,  박강호 ,  송기봉 ,  김은경 ,  이성규

IPC: G03F7/00 ,  B82B3/00 ,  B82B1/00

CPC classification number: C25D11/022 ,  G01Q80/00

Abstract: 본 발명은 화학(chemistry)에서의 분자전자(molecular electronics) 분야, 생물학(biology)에서의 분자역학(molecular dynamics) 분야에서 연구되고 있는 나노(nano) 스케일의 포어(pore) 형성 방법에 관한 것으로, 원자현미경(AFM)을 이용한 아노딕 나노 산화(anodic nano-oxidation) 방법으로 마스크 박막에 선택적으로 산화 패턴을 형성한 후 산화 패턴을 선택적으로 식각하여 나노 스케일의 포어를 형성한다. 본 발명을 이용하면 간단한 공정으로 용이하게 나노 포어 어레이를 형성할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020030024423A

公开(公告)日：2003-03-26

申请号：KR1020010057569

申请日：2001-09-18

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김준호 ,  김상협 ,  성건용

IPC: H01L39/22

Abstract: PURPOSE: Josephson junction including a superconducting MgB2 thin film is provided to not only have such a uniform junction so as to be applied in an integrated circuit but also be used to make a circuit with a common refrigerator under low temperature ranging 15 to 20 K. CONSTITUTION: A bottom superconductor thin film(12) made up of MgB2 is formed on a substrate(10). A metal barrier layer(20a) is formed on the bottom superconductor thin film. A top superconductor thin film(22a) is formed on the metal barrier layer. The first capping layer is formed on the superconductor thin film to prevent diffusion of Mg. After exposing the product in the air, the first capping layer, A top superconductor thin film and barrier layer are patterned in sequence. The second capping layer(32) is formed to isolate the bottom superconductor thin film from the top superconductor thin film electrically. After patterning the first capping layer again so as to expose the top superconductor thin film, electric pads(40) and wires(42) are formed on the exposed surface of it.

Abstract translation: 目的：提供包括超导MgB2薄膜的约瑟夫逊结，不仅具有这样一个均匀的结，以便被应用在集成电路中，而且还可用于在15至20K的低温下用普通冰箱制作电路。 构成：在基板（10）上形成由MgB 2构成的底部超导体薄膜（12）。 在底部超导体薄膜上形成金属阻挡层（20a）。 在金属阻挡层上形成顶层超导体薄膜（22a）。 第一覆盖层形成在超导体薄膜上以防止Mg的扩散。 在空气中暴露产物之后，依次对第一覆盖层，A顶部超导体薄膜和阻挡层进行图案化。 形成第二封盖层（32）以电隔离底部超导体薄膜与顶部超导体薄膜。 在再次图案化第一覆盖层以暴露顶部超导体薄膜之后，在其暴露的表面上形成电焊盘（40）和电线（42）。

公开(公告)号：KR1020070013980A

公开(公告)日：2007-01-31

申请号：KR1020050108943

申请日：2005-11-15

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 송기봉 ,  김준호

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/66765 ,  H01L27/1266 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78675 ,  H01L29/78678

Abstract: A crystallization method is provided to form a large grain by delaying a crystallization speed of amorphous silicon using a unit pulse layer. A predetermined layer structure is formed on a substrate(100). The predetermined layer structure is composed of a first amorphous silicon layer(300), an insulating layer(400) and a second amorphous silicon layer(500). A crystallization process is performed on the second amorphous silicon layer by irradiating a laser beam on the predetermined layer structure. The insulating layer is made of a silicon oxide layer. The laser beam is a unit pulse layer beam. A metal film made of a tungsten alloy is capable of being interposed between the substrate and the first amorphous silicon layer.

Abstract translation: 提供了通过使用单位脉冲层延迟非晶硅的结晶速度来形成大晶粒的结晶方法。 在基板（100）上形成预定的层结构。 预定层结构由第一非晶硅层（300），绝缘层（400）和第二非晶硅层（500）组成。 通过在预定层结构上照射激光来对第二非晶硅层进行结晶处理。 绝缘层由氧化硅层制成。 激光束是单位脉冲层束。 由钨合金制成的金属膜能够插入在基板和第一非晶硅层之间。