Abstract:
본 발명에 따른 페로브스카이트 광흡수층은 화학식 1인 AMX3(A는 1가의 유기 양이온, M은 2가의 금속 이온 및 X는 I-와 Br-을 포함하는 할로겐 음이온)을 만족하는 페로브스카이트 화합물; 및 음이온 편석 방지제로 주석 이온;을 함유한다. 본 발명에 따른 페로브스카이트 광흡수층은 광에 의한 음이온 편석이 방지되어, 페로브스카이트 광흡수층이 안정적으로 와이드 밴드갭 특성을 유지할 수 있는 장점이 있다.
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본 발명에 따른 유무기 페로브스카이트 화합물은 유기 양이온으로, 아미디니움계 1가 양이온, 알킬암모늄계 1가 양이온 및 알킬렌다이암모늄계 2가 양이온을 함유하고, 무기 양이온으로, 2가 금속 이온 및 상기 2가 금속 이온의 이온 반경 기준 0.8 내지 1.3의 이온반경을 갖는 알칼리 금속 이온을 함유하며, 무기 음이온으로 할로겐 이온을 함유한다.
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본 발명에 따른 전구체는 유무기 페로브스카이트 화합물 제조에 사용되는 유무기 페로브스카이트 화합물용 전구체로, 상세하게, 본 발명에 따른 전구체는 1가 금속 양이온과 2가 금속 양이온으로 도핑된 금속할로겐화물이다. 본 발명에 따른 전구체를 이용하여 유무기 페로브스카이트 화합물을 제조하는 경우, 페로브스카이트 화합물의 광 안정성 및 광전 변환 효율을 크게 향상시킬 수 있다.
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본 발명에 따른 무 /유기 하이브리드 페로브스카이트 화합물 막이구비되는 소자의 제조방법은 a)하기 i~v) 중 적어도 한 물질을 함유하는 계 1표면층을 포함하는 제 1구조체와,제 1표면층과 독립적으로 하기 i~v) 중 적어도 한 물질을 함유하는 제 2표면층을 포함하는 제 2구조체를,계 1표면층과 제 2표면층이 맞닿도록 적층하는 단계, 및 b) 제 1구조체와 제 2구조체가 적층된 적층체에 열 및 물리적 힘을 인가하는 단계를 포함한다. i)무 /유기하이브리드 페로브스카이트 화합물, ii)유기할로겐화물, iii) 금속할로겐화물, iv)무 /유기 하이브리드 페로브스카이트 화합물 전구물질, V) 금속할로겐화물 전구물질.
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본 개시의 일 실시예에 따른 첨가제를 이용한 페로브스카이트 박막 제조방법은, 페로브스카이트 전구체 용액을 기판 상에 공급하는 단계, 제1 첨가제를 기판 상에 공급하는 단계, 제1 첨가제와 상이한 제2 첨가제를 기판 상에 공급하는 단계 및 기판을 어닐링(annealing)하는 단계를 포함한다.
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본 발명은 페로브스카이트 구조결정; 상기 페로브스카이트 구조결정의 입계에 형성된 루이스 염기 결정; 을 포함하는 부동화된 결정입계를 갖는 페로브스카이트 박막, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 페로브스카이트 박막에 관한 것으로, 본 발명의 페로브스카이트 박막을 채용한 전자소자는 놀랍도록 향상된 특성을 가진다.
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본 개시의 일 실시예에 따른 페로브스카이트 복합체는, 페로브스카이트, 및 MACl(메틸암모늄염화물, CH3NH3Cl)를 포함하고, 페로브스카이트는 유기 양이온(A), 금속 양이온(M), 및 할로겐 음이온(X)을 함유하고, 페로브스카이트 복합체는 산소, 질소, 염소, 브롬 및 요오드 중 적어도 하나 이상의 원소를 포함하는 용매에 해당하는 게스트 분자(GM)를 더 포함한다.
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본 발명은 카바졸릴아미노기를 치환기로 가지는 특정중심골격의 화합물을 채용한 페로브스카이트 태양전지를 제공하는 것으로, 상세하게는 카바졸릴아미노기를 치환기로 가지는 특정중심골격의 화합물을 정공전달물질로 채용한 페로브스카이트 태양전지 및 카바졸릴페닐아미노기를 스피로비플루오렌 화합물에 관한 것이며, 본 발명에 따른 페로브스카이트 태양전지는 높은 발전 효율을 가지면서도 고온안정성이 매우 우수하다.