公开(公告)号：KR100651728B1

公开(公告)日：2006-12-06

申请号：KR1020040091576

申请日：2004-11-10

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이효영 ,  도현정 ,  김도현 ,  정태형 ,  전근

IPC: C07D311/86 ,  C07D311/80

CPC classification number: H01L51/0071 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  H01L51/0065 ,  H01L51/0595 ,  H01L51/4206

Abstract: 로즈 벤갈 (Rose Bengal) 분자에 정착기로서 티올기를 도입한 화합물 및 그 제조 방법과, 그 화합물이 자기조립 방법에 의하여 전극에 고정된 전자 소자 및 그 제조 방법에 관하여 개시한다. 본 발명에 따른 전자 소자용 화합물은 다음 식으로 표시된다.

식중, R은 C
2 ∼ C
20 의 포화 또는 불포화 탄화수소기이다. 분자 스위치/메모리 특성을 제공할 수 있는 본 발명에 따른 화합물들은 분자 전자 소자 제작에 있어서 자기 조립 방식에 의하여 단일 분자층을 형성할 수 있다.
분자 전자 소자, 분자 스위치/메모리, 자기조립, 로즈 벤갈, 티올

Abstract translation: 提供了引入玫瑰红分子中具有硫醇基作为锚定基团的化合物，制备该化合物的方法，包含通过自组装方法固定在电极上的化合物的电子器件，以及制造电子器件的方法 。 化合物具有下式：其中R是不饱和或饱和的C 2 -C 20烃基。 该化合物可以提供开关/记忆性质，并在制造分子电子器件时通过自组装形成单一分子层。

公开(公告)号：KR100470831B1

公开(公告)日：2005-03-08

申请号：KR1020020027863

申请日：2002-05-20

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 추혜용 ,  이효영 ,  김성현 ,  최성율 ,  정태형 ,  도이미

IPC: H01L29/02 ,  B82Y99/00

Abstract: 나노갭을 용이하고 재현성있게 제조하는 분자전자소자의 제조방법을 개시한다. 본 발명에서는, 기판 상에 제1, 제2 및 제3 반도체층을 순차 적층한 다음, 제2 반도체층의 측면을 식각함으로써 제1 반도체층과 제3 반도체층 사이에 나노갭을 형성한다. 나노갭이 형성된 결과물 표면에 금속막을 형성한 후 기판에 수직하게 절개하여 결과물의 상부와 하부를 전기적으로 단락시키고, 나노갭 부근의 단락된 두 금속막 상에 분자전자 소재를 도포하여 분자전자소자를 제조한다. 본 발명에 따르면 나노 리소그래피를 사용하지 않고서 분자전자소자를 제조하므로, 제조단가가 상승하는 문제없이 재현성이 뛰어나고 측정이 용이한 분자전자소자를 제조할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020050009383A

公开(公告)日：2005-01-25

申请号：KR1020030048664

申请日：2003-07-16

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이효영 ,  정문석 ,  김도현 ,  정태형

IPC: C07C323/55

CPC classification number: C07C327/28 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  C07C319/12 ,  C07C319/20 ,  C07C2603/50 ,  H01L27/28 ,  H01L27/285 ,  H01L51/0054 ,  H01L51/0575 ,  H01L51/0595 ,  C07C323/16

Abstract: PURPOSE: Provided is a novel electron donor-sigma-electron acceptor-thiol compound derivative useful for molecular rectifying material in an electronic device, which solves the problem of salt precipitation occurring when a donor separated from an acceptor is used in one reactor. CONSTITUTION: The compound having molecular rectifying property is represented by the following formula, wherein R is H, methyl, alkyl or acetyl group, and n is an integer of 1-25. The compound is useful for forming a separator in a molecular diode device. The molecular diode device comprises: a first electrode, a second electrode opposite to the first electrode; and the compound represented by the above formula, which can be bonded to the surface of the second electrode to form a separator.

Abstract translation: 目的：提供一种用于电子设备中的分子整流材料的新颖的电子供体-Sigma电子受体 - 硫醇化合物衍生物，其解决了当在一个反应​​器中使用从受体分离的供体时发生盐沉淀的问题。 构成：具有分子整流性的化合物由下式表示，其中R为H，甲基，烷基或乙酰基，n为1-25的整数。 该化合物可用于在分子二极管器件中形成隔膜。 分子二极管器件包括：第一电极，与第一电极相对的第二电极; 和由上式表示的化合物，其可以结合到第二电极的表面以形成隔膜。

公开(公告)号：KR1020030053545A

公开(公告)日：2003-07-02

申请号：KR1020010083298

申请日：2001-12-22

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 추혜용 ,  이정익 ,  이효영 ,  오지영 ,  김성현 ,  양용석 ,  김기현 ,  도이미

IPC: H05B33/18

CPC classification number: H01L51/5008 ,  H01L51/0002

Abstract: PURPOSE: An organic electroluminescence device is provided to be capable of realizing a high efficiency by making holes injected from an anode electrode easily. CONSTITUTION: An anode electrode(110) is formed on a substrate(100), and a cathode electrode(180) is opposite to the anode electrode. A luminescence layer(150) is interposed between the anode electrode and the cathode electrode. A hole injection layer(120) and a hole transport layer(130) are sequentially interposed between the anode electrode and the luminescence layer. An electron transport layer(160) and an electron injection layer(170) are sequentially interposed between the luminescence layer and the cathode layer. A buffer layer(140) is interposed between the luminescence layer and the hole transport layer and makes holes smoothly flow from the hole transport layer to the luminescence layer.

Abstract translation: 目的：提供一种有机电致发光器件，能够通过从阳极电极容易地注入孔而实现高效率。 构成：在基板（100）上形成阳极电极（110），阴极电极（180）与阳极电极相对。 在阳极电极和阴极电极之间插入发光层（150）。 在阳极电极和发光层之间依次插入空穴注入层（120）和空穴传输层（130）。 在发光层和阴极层之间依次插入电子传输层（160）和电子注入层（170）。 在发光层和空穴输送层之间插入缓冲层（140），使空穴顺畅地从空穴传输层流向发光层。

公开(公告)号：KR1020020072643A

公开(公告)日：2002-09-18

申请号：KR1020010012585

申请日：2001-03-12

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이정익 ,  추혜용 ,  도이미 ,  김성현 ,  이효영 ,  정태형

IPC: C09K11/06

CPC classification number: C09K11/06 ,  C09K2211/1416 ,  H01L51/0035 ,  H01L51/5012 ,  H05B33/14 ,  Y10S428/917

Abstract: PURPOSE: Provided are an organic, electroluminescent polymer compound which has high luminescence efficiency and excellent adhesion to insulation layer or metal electrode, and an organic, electroluminescent device comprising the same. CONSTITUTION: The organic, electroluminescent polymer compound has a structure represented by formula 1. In the formula 1, Ar is an aryl group having polar side chain, R3 and R4, which are same or different, represent a linear or branched alkyl group having C1-C20, each of x and y represents a ratio of each monomer and 0.01

Abstract translation: 目的：提供一种具有高发光效率和对绝缘层或金属电极具有优异粘合性的有机电致发光聚合物化合物，以及包含该化合物的有机电致发光器件。 构成：有机电致发光高分子化合物具有由式1表示的结构。在式1中，Ar是具有极性侧链的芳基，R3和R4相同或不同，表示具有C1的直链或支链烷基 -C 20，x和y各自表示各单体的比例，0.01

公开(公告)号：KR1020100092229A

公开(公告)日：2010-08-20

申请号：KR1020090011512

申请日：2009-02-12

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 정미희 ,  이효영

IPC: G03F7/00 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/0002 ,  B29C59/022 ,  H01L21/302 ,  H01L21/30604

Abstract: PURPOSE: A patterning method of a semiconductor material is provided to economically operate the method by forming a zinc oxide crystal film without using an expensive catalyst. CONSTITUTION: A patterning method of a semiconductor material comprises the following steps: forming a molding pattern on a substrate(100) to expose the substrate in between the substrate and a protrusion unit using an imprint process; forming a first film(110) coving the exposed substrate; removing the molding pattern to expose the substrate under the first film; forming a seed film covering the exposed substrate; and forming a metal oxide crystal film from the seed film.

Abstract translation: 目的：提供半导体材料的图案化方法，以便在不使用昂贵的催化剂的情况下形成氧化锌晶体膜来经济地操作该方法。 构成：半导体材料的图案化方法包括以下步骤：在基板（100）上形成模制图案，以使用压印工艺在基板和突出单元之间露出基板; 形成第一薄膜（110），该第一薄膜（110）将暴露的基底 去除所述模制图案以将所述基底暴露在所述第一膜下方; 形成覆盖所述暴露的基板的种子膜; 从种子膜形成金属氧化物晶体膜。

公开(公告)号：KR100889482B1

公开(公告)日：2009-03-19

申请号：KR1020070127791

申请日：2007-12-10

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 정미희 ,  이효영

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/20 ,  B82Y40/00

CPC classification number: G03F7/0002 ,  B01J23/007 ,  B01J23/80 ,  B01J37/0215 ,  B01J37/03 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  B81C1/0046

Abstract: A pattern formation method of the catalyst using the nano imprint process is provided to increase the surface area of the obtained catalyst by performing the patterning process and the sintering process by the imprinting manner. The catalyst turns out slurry and forms the catalyst slurry(S11). A stamp is manufactured in order to form the catalyst pattern(S12). The catalyst slurry is coated on the top of the substrate and is contacted with the stamp. The catalyst pattern is formed by performing the pattern and sintering processes through the nano imprint method, at the same time(S13). The catalyst pattern is dried(S14). The catalyst is the Cu:Zn system methanol synthesis catalyst manufactured by the hydrotalcite.

Abstract translation: 提供使用纳米压印方法的催化剂的图案形成方法，以通过以压印方式进行图案化工艺和烧结工艺来增加所获得的催化剂的表面积。 催化剂产生浆料并形成催化剂浆料（S11）。 制造印模以形成催化剂图案（S12）。 将催化剂浆料涂覆在基材的顶部上并与印模接触。 通过纳米压印法同时进行图案和烧结工艺，形成催化剂图案（S13）。 将催化剂图案干燥（S14）。 催化剂是由水滑石制造的Cu：Zn系甲醇合成催化剂。

公开(公告)号：KR100848312B1

公开(公告)日：2008-07-24

申请号：KR1020060103137

申请日：2006-10-23

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이효영 ,  방경숙 ,  박종혁 ,  이정현 ,  최낙진 ,  구자룡

IPC: H01L29/66

Abstract: 하부 도전층과 분자 활성층과의 사이에 형성된 유기 유전박막을 포함하는 분자 전자 소자 및 그 제조 방법에 관하여 개시한다. 본 발명에 따른 분자 전자 소자는 기판과, 기판 위에 형성되어 있는 유기 유전박막과, 유기 유전박막 위에 형성되어 있고 전하 트랩 사이트를 가지는 분자 활성층과, 분자 활성층 위에 형성된 전극을 포함한다. 유기 유전박막은 전극 또는 Si층 위에 자기조립 방법으로 고정화될 수 있다. 유기 유전박막은 상호 수소 결합되어 있는 제1 분자층 및 제2 분자층을 포함할 수 있다. 유기 유전박막은 M'-RT (식중, M'은 티올 유도체 또는 실란 유도체이고, R은 F로 치환 또는 비치환된 C
1 ∼ C
20 의 포화 또는 불포화 탄화수소기이고, T는 -NH
2 또는 -COOH)로 표시되는 구조를 가지는 유기 화합물이 기판상에 자기조립됨으로써 형성될 수 있다.
분자 전자 소자, 유기 유전박막, 아민알킬티올, 분자 활성층, 자기조립

公开(公告)号：KR100843552B1

公开(公告)日：2008-07-04

申请号：KR1020070071993

申请日：2007-07-19

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 정미희 ,  이효영 ,  최낙진 ,  박강호

IPC: H01L21/027 ,  B82Y40/00

CPC classification number: H01L21/31144 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F7/0002 ,  H01L21/0331 ,  H01L51/0022 ,  Y10S977/889 ,  H01L21/0272

Abstract: A nano-electrode line manufacturing method using nano-imprint lithography is provided to prevent crosstalk effect by forming a metal layer of a line type independently. A nano-electrode line manufacturing method includes the steps of: forming an insulating layer(2), a first photoresist layer(3), and a second photoresist of drop type on a substrate(1); forming an imprint mold having a plurality of molding patterns on the upper surface of the second photoresist; applying the second photoresist to the mold pattern by pressing the mold; hardening the second photoresist by irradiating the UV light to the mold; removing the mold from the second photoresist; patterning the second photoresist; patterning the first photoresist layer by using the second photoresist as a mask; patterning the insulating layer; and forming a metal layer between the patterned insulating layers.

Abstract translation: 提供使用纳米压印光刻的纳米电极线制造方法，以通过独立地形成线型金属层来防止串扰效应。 纳米电极线的制造方法包括以下步骤：在基板（1）上形成绝缘层（2），第一光致抗蚀剂层（3）和第二液晶型光致抗蚀剂; 在所述第二光致抗蚀剂的上表面上形成具有多个成型图案的压印模具; 通过按压模具将第二光致抗蚀剂施加到模具图案上; 通过将UV光照射到模具来硬化第二光致抗蚀剂; 从第二光致抗蚀剂去除模具; 图案化第二光致抗蚀剂; 通过使用第二光致抗蚀剂作为掩模来图案化第一光致抗蚀剂层; 图案化绝缘层; 以及在图案化的绝缘层之间形成金属层。

公开(公告)号：KR100714127B1

公开(公告)日：2007-05-02

申请号：KR1020060018872

申请日：2006-02-27

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이효영 ,  최낙진 ,  이정현 ,  박종혁 ,  방경숙 ,  백희열

IPC: H01L29/66

Abstract: 제1 전극과, 티올 또는 실란계 정착기를 이용하여 제1 전극 위에 자기조립되어 있는 분자 활성층과, 상기 분자 활성층을 덮는 유기 전극층을 포함하는 제2 전극으로 이루어지는 분자 전자 소자에 관하여 개시한다. 제2 전극은 상기 유기 전극층과, 상기 유기 전극층 위에 형성된 금속 전극층을 포함할 수 있다. 유기 전극층은 전기전도도가 큰 단량체, 올리고머 또는 고분자 화합물로 이루어진다. 본 발명에 따른 분자 전자 소자의 분자 활성층은 제1 전극과 제2 전극과의 사이에 인가되는 전압에 따라 온 상태 및 오프 상태 사이에서 상호 스위칭 가능한 스위치 소자, 또는 상기 양 전극에 인가되는 전압에 따라 소정의 전기 신호를 저장하는 메모리 소자를 구성한다.
분자 전자 소자, 유기 전극층, 분자 활성층, 스위칭, 메모리

Abstract translation: 一种分子电极，包括第一电极，使用硫醇或硅烷基熔凝器在第一电极上自组装的分子活性层和包含覆盖分子活性层的有机电极层的第二电极。 第二电极可以包括有机电极层和形成在有机电极层上的金属电极层。 有机电极层由具有高导电性的单体，低聚物或高分子化合物构成。 根据本发明的分子电子器件的分子有源层可以是取决于施加在第一电极和第二电极之间的电压而在导通状态和截止状态之间可切换的开关元件， 并且构成用于存储预定电信号的存储元件。