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    쇼트키 배리어 다이오드 및 그 제조 방법
    15.
    发明公开
    쇼트키 배리어 다이오드 및 그 제조 방법 有权
    肖特基势垒二极管及其制造方法

    公开(公告)号：KR1020180005005A

    公开(公告)日：2018-01-15

    申请号：KR1020160084839

    申请日：2016-07-05

    Applicant: 현대자동차주식회사

    Inventor： 천대환 ,  정영균 ,  주낙용 ,  박정희 ,  이종석

    IPC: H01L29/872 ,  H01L29/47 ,  H01L29/66 ,  H01L29/16 ,  H01L21/02 ,  H01L21/04 ,  H01L21/265

    CPC classification number: H01L29/872 ,  H01L21/046 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0688 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/08 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/6606 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/0455 ,  H01L21/265 ,  H01L29/47 ,  H01L29/66143

    Abstract: 본발명의일 실시예에따른쇼트키배리어다이오드는 n+형탄화규소기판의제1면에위치하는 n-형층, 상기 n-형층위에위치하며, 서로이격되어있는 p+형영역및 p형영역, 상기 n-형층, 상기 p+형영역및 상기 p형영역위에위치하는애노드전극, 그리고상기 n+형탄화규소기판의제2면에위치하는캐소드전극을포함하고, 상기 p형영역은복수개이고, 평면상으로육각형상이며, 매트릭스형태로위치하고, 상기 p+형영역과상기 p형영역사이에위치하는상기 n-형층은평면상으로육각형상이고, 상기 p형영역을감싸고, 상기 p형영역의중심점을지나는수평선은평면상으로열 방향으로서로인접하게위치한상기 p형영역의중심점을지나는수평선과만나지않는다.

    Abstract translation: 根据本发明的一个实施例的肖特基势垒二极管是位于n型层，位于彼此间隔开的基板中，p +型区域和p型区域的第一表面上的n-型层，其中n +型碳化硅 n型层，p +型区域与阳极电极，并且包括设置在n +型碳化硅衬底的第二表面上的阴极电极，和形成在p型区域数倍的p型区域的，平面 六边形形状，位于一个矩阵形式，所述p +型区域和所述在位于围绕所述六边形形状，则p型区域，p型区域地平线恩平穿过区域的中心点p型区之间的n型层恩平平面 不要遇到通过在列方向上彼此相邻的p型区域的中心点的水平线。

    반도체 소자 및 그 제조 방법
    16.
    发明授权
    반도체 소자 및 그 제조 방법 有权

    公开(公告)号：KR101786668B1

    公开(公告)日：2017-10-18

    申请号：KR1020150178098

    申请日：2015-12-14

    Applicant: 현대자동차주식회사

    Inventor： 천대환 ,  정영균 ,  주낙용 ,  박정희 ,  이종석

    IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/10 ,  H01L29/66 ,  H01L21/265 ,  H01L29/739

    CPC classification number: H01L29/7806 ,  H01L21/047 ,  H01L21/0495 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7813

    Abstract: 본발명의일 실시예에따른반도체소자는 n+ 형탄화규소기판의제1면에위치하는 n- 형에피층, 상기 n- 형에피층에위치하며서로이격되어있는제1 트렌치및 제2 트렌치, 상기제1 트렌치의측면및 코너를감싸는 p형영역, 상기 p형영역과상기제1 트렌치및 상기제2 트렌치사이의상기 n- 형에피층위에위치하는 n+ 영역, 상기제2 트렌치내에위치하는게이트절연막, 상기게이트절연막위에위치하는게이트전극, 상기게이트전극위에위치하는산화막, 상기산화막위, 상기 n+ 영역위 및상기제1 트렌치내에위치하는소스전극, 그리고상기 n+ 형탄화규소기판의제2면에위치하는드레인전극을포함하고, 상기소스전극은상기제1 트렌치의하부에위치하는상기 n- 형에피층과접촉한다.

    반도체 소자 및 그 제조 방법
    17.
    发明授权
    반도체 소자 및 그 제조 방법 有权

    公开(公告)号：KR101786664B1

    公开(公告)日：2017-10-18

    申请号：KR1020150177102

    申请日：2015-12-11

    Applicant: 현대자동차주식회사

    Inventor： 천대환 ,  정영균 ,  주낙용 ,  박정희 ,  이종석

    IPC: H01L29/10 ,  H01L29/16 ,  H01L21/02 ,  H01L29/66 ,  H01L29/47 ,  H01L29/423 ,  H01L21/265

    CPC classification number: H01L29/7805 ,  H01L21/047 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7806 ,  H01L29/7813

    Abstract: 본발명의일 실시예에따른반도체소자는 n+ 형탄화규소기판의제1면에위치하는 n- 형에피층, 상기 n- 형에피층에위치하는트렌치, 상기 n- 형에피층에위치하며, 상기트렌치의측면에위치하는 n+ 형영역및 제1 p형영역, 상기 n- 형에피층에위치하며, 상기제1 p형영역과이격되어있는복수의제2 p형영역, 상기트렌치에위치하는제1 게이트전극및 상기제1 게이트전극으로부터연장되어있는복수의제2 게이트전극을포함하는게이트전극, 상기게이트전극위에상기게이트전극과절연되어위치하는소스전극, 그리고상기 n+ 형탄화규소기판의제2면에위치하는드레인전극을포함하고, 상기복수의제2 p형영역을서로이격되어있고, 상기소스전극은상기복수의제2 p형영역및 상기복수의제2 p형영역사이에위치하는상기 n- 형에피층과접촉한다.

    쇼트키 배리어 다이오드 및 그 제조 방법
    18.
    发明公开
    쇼트키 배리어 다이오드 및 그 제조 방법 审中-实审
    肖特基势垒二极管及其制造方法

    公开(公告)号：KR1020170064948A

    公开(公告)日：2017-06-12

    申请号：KR1020150171002

    申请日：2015-12-02

    Applicant: 현대자동차주식회사

    Inventor： 박정희 ,  정영균 ,  주낙용 ,  이종석 ,  천대환

    IPC: H01L29/872 ,  H01L29/47 ,  H01L29/66 ,  H01L29/16 ,  H01L21/02 ,  H01L27/108

    Abstract: 본발명의실시예에따른쇼트키배리어다이오드는 n+ 형탄화규소기판의제1면에위치하는 n- 형에피층, 상기 n- 형에피층에위치하며, 서로이격되어있는제1 종단트렌치, 제2 종단트렌치, 복수의통전트렌치및 정렬키트렌치, 상기제1 종단트렌치, 상기제2 종단트렌치및 상기복수의통전트렌치아래에각각위치하는 p 영역, 상기제1 종단트렌치, 상기제2 종단트렌치및 상기정렬키트렌치에위치하는절연막, 상기복수의통전트렌치및 상기 n- 형에피층위에위치하는쇼트키전극, 그리고상기 n+형탄화규소기판의제2면에위치하는드레인전극을포함하고, 상기복수의통전트렌치는상기제1 종단트렌치및 상기제2 종단트렌치사이에위치하고, 상기제1 종단트렌치, 상기제2 종단트렌치및 상기복수의통전트렌치의깊이는동일하고, 상기정렬키트렌치의깊이는상기제1 종단트렌치의깊이보다깊다.

    Abstract translation: 根据本发明的一个实施例的肖特基势垒二极管位于在皮质皮质，在n型的n型，其位于在n +型碳化硅衬底，其彼此间隔开的第一末端沟道的第一表面，所述 2终止沟槽，多个导电沟槽和排序键沟槽，所述第一终端沟槽，所述第二终止沟槽和所述p-区，其中所述第一终止沟槽，分别位于所述多个导电沟槽的下面，所述第二终止沟槽和 其形成在其中位于排序键沟槽，多个通电沟槽和n-型的绝缘膜的皮层，并且包括设置在n +型碳化硅衬底的第二表面上的漏电极，并且所述多个肖特基电极 uitong前沟槽是在第一端沟槽和所述第二端定位在所述沟槽，其中，所述第一终止沟槽之间，所述第二终止沟槽和所述对准键沟槽的深度等于所述多个激励所述沟槽的深度，并且是 第一个末端沟槽 比深。

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