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公开(公告)号：KR102117954B1
公开(公告)日：2020-06-02
申请号：KR1020180021315
申请日：2018-02-22
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: B41M3/00 , C08L25/06 , C08K5/00 , C01B32/182 , H01L29/16 , H01L21/02 , H01L21/324
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公开(公告)号：KR1020100093315A
公开(公告)日：2010-08-25
申请号：KR1020090012443
申请日：2009-02-16
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: PURPOSE: A method for preparing carbon nanotube reinforced copper composite powder is provided to improve the efficiency of obtaining spherical power particles by using carbon nanotube coated with copper. CONSTITUTION: A method for preparing carbon nanotube reinforced copper composite powder comprises steps of preparing copper-coated carbon nanotube and copper powder, and putting the carbon nanotube and copper powder into a ball milling machine, wherein the volume ratio of the carbon nanotube to the copper powder is 0.1~0.5% and the weight ratio of the steel ball to the carbon nanotube and copper powder is 1:8~1:12.
Abstract translation: 目的：提供一种制备碳纳米管增强铜复合粉末的方法，以通过使用涂覆有铜的碳纳米管来提高获得球形粒子的效率。 构成：制备碳纳米管增强铜复合粉末的方法包括制备铜包覆碳纳米管和铜粉的步骤，将碳纳米管和铜粉放入球磨机中，其中碳纳米管与铜的体积比 粉末为0.1〜0.5％，钢球与碳纳米管和铜粉的重量比为1：8〜1：12。
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公开(公告)号：KR102095372B1
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：KR1020170137172
申请日：2017-10-23
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: C08G77/18 , C09D183/04
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公开(公告)号：KR101744231B1
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：KR1020150113682
申请日：2015-08-12
Applicant: 성균관대학교산학협력단 , 숭실대학교산학협력단
Abstract: 그래핀-유기반도체수직형트랜지스터, 및상기그래핀-유기반도체수직형트랜지스터의제조방법에관한것이다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020170019626A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：KR1020150113682
申请日：2015-08-12
Applicant: 성균관대학교산학협력단 , 숭실대학교산학협력단
Abstract: 그래핀-유기반도체수직형트랜지스터, 및상기그래핀-유기반도체수직형트랜지스터의제조방법에관한것이다.
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公开(公告)号：KR1020160114320A
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：KR1020150040635
申请日：2015-03-24
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: C01B31/04 , H01L29/786 , H01L29/66
CPC classification number: C01B32/194 , H01L29/66477 , H01L29/786
Abstract: 그래핀의도핑방법에관한것이다.
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公开(公告)号：KR1020120034349A
公开(公告)日：2012-04-12
申请号：KR1020100095834
申请日：2010-10-01
Applicant: 성균관대학교산학협력단 , 숭실대학교산학협력단
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/0669 , H01L29/16 , H01L29/4908 , H01L51/0045
Abstract: PURPOSE: A flexible field effect transistor and a manufacturing method thereof are provided to manufacture low voltage operation graphene FET(Field Effect Transistor) array on a plastic substrate by using ionic gel for a gate insulator. CONSTITUTION: A semiconductor layer includes a carbon nano-structure which is arranged to form a channel region between a source electrode and a drain electrode. The carbon nano structure includes graphene. The graphene is formed on a metal catalytic layer by chemical vapor deposition. An ionic gel layer is formed between the semiconductor layer and the gate electrode including the carbon nano-structure. The ionic gel layer forms an insulator layer between the channel region and the gate electrode.
Abstract translation: 目的：提供一种灵活的场效应晶体管及其制造方法，通过使用离子凝胶作为栅极绝缘体，在塑料基板上制造低压操作石墨烯FET（场效应晶体管）阵列。 构成：半导体层包括碳纳米结构，其被布置成在源极和漏极之间形成沟道区。 碳纳米结构包括石墨烯。 通过化学气相沉积在金属催化剂层上形成石墨烯。 在半导体层和包括碳纳米结构的栅电极之间形成离子凝胶层。 离子凝胶层在沟道区和栅电极之间形成绝缘体层。
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公开(公告)号：KR101088580B1
公开(公告)日：2011-12-05
申请号：KR1020090012443
申请日：2009-02-16
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: 본 발명은 저밀도, 우수한 내부식성 및 내마모성, 우수한 휨 특성을 가지는 다중벽 탄소나노튜브에 구리를 코팅하여 제조된 구리 코팅 탄소나노튜브를 구리 파우더와 함께 볼 밀링기에 투입하여 구리 파우더 내부에 탄소나노튜브가 기계적 고용효과에 의하여 강하게 임플란트되는, 균질한 탄소나노튜브 강화 구리복합파우더를 제조하는 방법에 관한 것이다.
탄소나노튜브 강화 구리복합파우더 제조 방법은 구리로 코팅한 탄소나노튜브 및 구리파우더를 준비하는 단계; 및 상기 준비된 구리로 코팅한 탄소나노튜브 및 상기 구리파우더를 볼밀링하는 단계를 포함한다.
탄소나노튜브, 구리복합파우더, 구리 코팅, 볼밀링
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