公开(公告)号：FR2947481B1

公开(公告)日：2011-08-26

申请号：FR0954608

申请日：2009-07-03

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： DI CIOCCIO LEA ,  GUEGUEN PIERRIC ,  RIVOIRE MAURICE

IPC: B32B15/01 ,  C23C10/28 ,  H01L21/02

公开(公告)号：FR2947481A1

公开(公告)日：2011-01-07

申请号：FR0954608

申请日：2009-07-03

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： DI CIOCCIO LEA ,  GUEGUEN PIERRIC ,  RIVOIRE MAURICE

IPC: B32B15/01 ,  C23C10/28 ,  H01L21/02

Abstract: 1. Procédé de collage d'un premier élément en cuivre sur un deuxième élément en cuivre comportant une étape de formation d'une couche cristalline de cuivre enrichie en oxygène sur chacune des surfaces de chacun des premier et deuxième éléments par lesquelles les éléments seront en contact, l'épaisseur totale des deux couches étant inférieure à 6 nm, ladite étape comprenant : a) au moins une étape de polissage des surfaces de sorte à obtenir une rugosité inférieure à 1 nm RMS, et des surfaces hydrophiles; b) au moins une étape de nettoyage des dites surfaces afin de supprimer la présence de particules dues au polissage et la majeure partie des inhibiteurs de corrosion ; c) une étape de mise en contact des deux couches cristallines de cuivre enrichies en oxygène

公开(公告)号：FR3003689A1

公开(公告)日：2014-09-26

申请号：FR1352657

申请日：2013-03-25

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： BERTHIER JEAN ,  DI CIOCCIO LEA ,  MERMOZ SEBASTIEN

IPC: H01L23/12 ,  H01L21/48 ,  H01L21/58

Abstract: Support comportant une zone de réception (Z1, Z2) dont l'enveloppe externe correspond à la forme d'une plaque (P1, P2) destinée à être posée sur une gouttelette (G) placée au moins dans la zone de réception afin de réaliser l'autoassemblage capillaire de la plaque et du support, caractérisé en ce qu'il comporte au moins une piste (T11, T12 ; T21, T22) s'étendant sur le support depuis la zone de réception (Z1, Z2), l'au moins une piste présentant une affinité de type lyophile avec la gouttelette de sorte qu'un débordement de la gouttelette en dehors de la zone de réception est canalisé dans l'au moins une piste.

公开(公告)号：FR2988517B1

公开(公告)日：2014-04-11

申请号：FR1252577

申请日：2012-03-22

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： DI CIOCCIO LEA ,  MERMOZ SEBASTIEN ,  SANCHEZ LOIC

IPC: H01L21/98

Abstract: L'invention concerne un procédé de fabrication d'au moins un plot d'assemblage (50) sur un support (43) destiné à la mise en oeuvre d'un procédé d'auto-assemblage d'au moins un élément sur le support. Le procédé de fabrication comprend les étapes successives suivantes : (a) former, sur le support, une couche (48) d'au moins un matériau fluoré autour de l'emplacement du plot d'assemblage ; et (b) exposer la couche et l'emplacement à un traitement ultraviolet en présence d'ozone pour former le plot d'assemblage audit emplacement.

公开(公告)号：FR2980639B1

公开(公告)日：2013-10-25

申请号：FR1158500

申请日：2011-09-23

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： TAIBI RACHID ,  DI CIOCCIO LEA ,  CHAPELON LAURENT-LUC

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/98 ,  H01L23/52

公开(公告)号：FR2947571B1

公开(公告)日：2011-09-09

申请号：FR0954610

申请日：2009-07-03

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： DI CIOCCIO LEA ,  GUEGUEN PIERRIC ,  RIVOIRE MAURICE

IPC: C30B33/00 ,  C30B1/00 ,  H01L21/28 ,  H01L21/44 ,  H01L23/52

公开(公告)号：JPH10189474A

公开(公告)日：1998-07-21

申请号：JP33904997

申请日：1997-12-09

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： BRUEL MICHEL ,  DI CIOCCIO LEA

IPC: H01L21/265 ,  C30B31/22 ,  C30B33/00 ,  G01L1/14 ,  G01L9/00 ,  H01L21/02 ,  H01L27/12

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To separate two compositional materials being bonded through interatomic bond by introducing ions having energy sufficient for reaching an interface at a dose sufficient for breaking interatomic bond. SOLUTION: A compositional material 11 is silicon oxide deposited on a compositional material 12, i.e., a single crystal silicon substrate, by low pressure CVD. Energy of ions being implanted into the interface 13 through the surface 14 of a parallel layer 11 is set at 100-140keV, for example. Heat treatment process following to the ion implantation process can be carried out at 500 deg.C for 30min, for example. The implanted ions vary the interatomic bond of the compositional material on the opposite sides of the interface 13. These ions are introduced into the interface 13 at a specified dose. The dose is set at a level suitable for separating two compositional materials, e.g. 5×10 ions/cm .

公开(公告)号：WO2005057637A3

公开(公告)日：2006-03-30

申请号：PCT/FR2004050656

申请日：2004-12-06

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE ,  MORICEAU HUBERT ,  MORALES CHRISTOPHE ,  DI CIOCCIO LEA

Inventor： MORICEAU HUBERT ,  MORALES CHRISTOPHE ,  DI CIOCCIO LEA

IPC: H01L21/18 ,  H01L21/20 ,  H01L21/98 ,  H01L25/065 ,  H01L21/58

CPC classification number: H01L25/50 ,  H01L25/0657 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: The invention relates to a method for the direct molecular adhesion of an electronic component (6) to a polymer (4). According to the invention, the polymer (4) is covered with a bonding layer (5), for example, of silicon oxide, which eliminates the problems caused by the presence of hydrocarbons. The inventive method can be used to produce three-dimensional structures (10) without glue.

Abstract translation: 本发明涉及一种将电子部件（6）直接分子粘合到聚合物（4）上的方法。 根据本发明，聚合物（4）被例如氧化硅的接合层（5）覆盖，这消除了由烃的存在引起的问题。 本发明的方法可用于生产没有胶水的三维结构（10）。

公开(公告)号：WO2012010662A3

公开(公告)日：2012-05-24

申请号：PCT/EP2011062540

申请日：2011-07-21

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE ,  DI CIOCCIO LEA ,  GUEGUEN PIERRIC

Inventor： DI CIOCCIO LEA ,  GUEGUEN PIERRIC

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/98 ,  H01L23/485

CPC classification number: H01L21/70 ,  H01L21/2007 ,  H01L23/481 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/08 ,  H01L24/11 ,  H01L24/12 ,  H01L24/80 ,  H01L24/81 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05007 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05186 ,  H01L2224/05562 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/08121 ,  H01L2224/80357 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/81894 ,  H01L2224/83894 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2224/05552

Abstract: Process for direct bonding a first (I) and a second (II) element, each element being provided with a surface comprising copper portions (6, 106) separated by a dielectric material (4, 104), said process comprising: A) a step of polishing said surfaces so that the surfaces to be joined can be direct bonded; B) a step of selectively forming a diffusion barrier (10, 110) on the copper portions (6, 106) of the first and second elements, the surface of the second diffusion barrier of the first and second elements being flush with said surface to within less than 5 nanometres; and C) a step of bringing the two surfaces into contact with each other so that the copper portions (6, 106) of one surface at least partially cover the copper portions (106, 6) of the other surface, and so that the surfaces are direct bonded.

Abstract translation: 用于直接接合第一（I）和第二（II）元件的方法，每个元件设置有包括由电介质材料（4,104）分隔的铜部分（6,106）的表面，所述方法包括：A） 对所述表面进行抛光的步骤，使得待接合的表面可以直接粘合; B）在第一和第二元件的铜部分（6,106）上选择性地形成扩散阻挡层（10,110）的步骤，第一和第二元件的第二扩散阻挡层的表面与所述表面齐平 小于5纳米; 以及C）使两个表面彼此接触的步骤，使得一个表面的铜部分（6,106）至少部分地覆盖另一个表面的铜部分（106,6），并且使得表面 是直接粘合。

公开(公告)号：WO2009019265A2

公开(公告)日：2009-02-12

申请号：PCT/EP2008060261

申请日：2008-08-05

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE ,  BORDEL DAMIEN ,  DI CIOCCIO LEA

Inventor： BORDEL DAMIEN ,  DI CIOCCIO LEA

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L21/2007

Abstract: The invention relates to a method for transferring a layer (2) to be transferred onto a support, comprising: - the transfer of said layer, assembled on an initial substrate (4), onto a liquid layer (10) previously deposited on said support (12), - the release of said layer from the initial substrate (4), by chemical attack, - the evacuation of the liquid layer (10) to allow the molecular adhesion of the layer to the support (12).

Abstract translation: 本发明涉及一种用于转移待转移到载体上的层（2）的方法，包括：将组装在初始衬底（4）上的所述层转移到预先沉积在所述载体上的液体层（10）上， （12）， - 通过化学侵蚀从所述初始基底（4）释放所述层， - 液体层（10）的抽空以使所述层与所述载体（12）分子粘附。