公开(公告)号：DE112009003724T5

公开(公告)日：2012-07-05

申请号：DE112009003724

申请日：2009-12-04

Applicant: HITACHI HIGH TECH CORP

Inventor： OHSHIMA TAKASHI ,  TOMIMATSU SATOSHI

IPC: H01J37/073

Abstract: Zur Ausbildung eines SEM, das sowohl hohe Auflösung bei niedriger Beschleunigungsspannung vermittelt als auch eine Hochgeschwindigkeits-Elementverteilungsmessung gestattet, ist eine SE-Elektronenquelle, die Zr-O als Diffusionsquelle enthält, so gestaltet, dass der Krümmungsradius r der Spitze mehr als 0,5 μm und weniger als 1 μm und der Konuswinkel eines konischen Teils in der Nähe der Spitze in einer Entfernung von 3r bis 8r von der Spitze mehr als 5° und weniger als (8/r)° beträgt. Eine andere SE-Elektronenquelle verwendet Ba-O und enthält eine Bariumdiffusions-Versorgungseinrichtung, die aus einem Sintermetall und einer Bariumoxid enthaltenden Bariumdiffusionsquelle aufgebaut ist.

公开(公告)号：DE112019007690T5

公开(公告)日：2022-07-07

申请号：DE112019007690

申请日：2019-10-31

Applicant: HITACHI HIGH TECH CORP

Inventor： OHSHIMA TAKASHI ,  MORISHITA HIDEO ,  IDE TATSURO ,  KOHMU NAOHIRO ,  ENYAMA MOMOYO ,  OSE YOICHI ,  AGEMURA TOSHIHIDE ,  KATANE JUNICHI

IPC: H01J1/34 ,  H01J3/07 ,  H01J37/073 ,  H01J37/147 ,  H01J37/285

Abstract: Es wird ein von einer photoangeregten Elektronenkanone emittierter Elektronenstrahl mit erhöhter Leuchtdichte bereitgestellt. Eine Elektronenkanone 15 umfasst: eine Photokathode 1 mit einem Substrat 11 und einer photoelektrischen Dünnschicht 10; eine Lichtquelle 7, die gepulstes Anregungslicht emittiert; eine Sammellinse 2, die das gepulste Anregungslicht zur Photokathode fokussiert; und eine Extraktionselektrode 3, die der Photokathode gegenüberliegt und die einen Elektronenstrahl beschleunigt, der durch die photoelektrische Dünnschicht erzeugt wird, indem das gepulste Anregungslicht durch die Sammellinse fokussiert wird, das Substrat der Photokathode durchläuft und auf die Photokathode einfällt. Das gepulste Anregungslicht wird an verschiedenen Zeitpunkten an verschiedenen Positionen auf der photoelektrischen Dünnschicht der Photokathode fokussiert.

公开(公告)号：DE112009001537B4

公开(公告)日：2018-10-18

申请号：DE112009001537

申请日：2009-06-10

Applicant: HITACHI HIGH TECH CORP

Inventor： KASUYA KEIGO ,  OHSHIMA TAKASHI ,  KATAGIRI SOUICHI ,  KOKUBO SHIGERU ,  TODOKORO HIDEO

IPC: H01J37/073 ,  H01J1/304 ,  H01J37/06

Abstract: Vorrichtung mit einem geladenen Teilchenstrahl mit einer Feldemissions-Elektronenquelle (4) und einer Elektrode (11) zum Anlegen eines elektrischen Feldes an die Feldemissions-Elektronenquelle, wobei die Vorrichtung umfaßteine Vakuum-Abpumpeinheit (20, 23) zum Aufrechterhalten eines Drucks um die Feldemissions-Elektronenquelle von weniger als 1 × 10Pa,eine Heizeinheit (16) für die Feldemissions-Elektronenquelle undeine Steuereinheit (17) zum Steuern der Heizeinheit,wobei von den von der Feldemissions-Elektronenquelle emittierten Elektronenstrahlen ein Elektronenstrahl mit einem zentralen Abstrahlwinkel innerhalb von 1×10sr verwendet wird, undwobei die Steuereinheit dazu ausgelegt ist, die Heizeinheit derart zu steuern, dass sie die Feldemissions-Elektronenquelle heizt, wenn die zweite Ableitung des Stromes des Elektronenstrahls nach der Zeit nach einer Schnellverdampfung an der Feldemissions-Elektronenquelle negativ oder Null ist.

公开(公告)号：DE112010005188B4

公开(公告)日：2016-04-07

申请号：DE112010005188

申请日：2010-08-11

Applicant: HITACHI HIGH TECH CORP

Inventor： HATANO MICHIO ,  WATANABE YASUKO ,  SATO MITSUGU ,  HONDA HIROYUKI ,  SAWAHATA TETSUYA ,  ITO SUKEHIRO ,  OHSHIMA TAKASHI

IPC: H01J37/244 ,  H01J37/28

Abstract: Vorrichtung zum Bestrahlen mit geladenen Teilchen, mit einer Quelle (15) für geladene Teilchen, die geladene Primärteilchen (3) als Sonde erzeugt, mit einem optischen System (13) für die geladenen Primärteilchen (3), mit einem Probentisch (49) für die Aufnahme einer Probe (50), mit einem Vakuumpumpsystem, mit einer Blende (24) zum Begrenzen der Sonde, mit einer leitenden Schicht (1; 43; 31; 39; 46), und mit einem Detektor (2; 27; 34; 41) zum Erfassen geladener Sekundärteilchen, die durch Auftreffen der als Sonde dienenden geladenen Primärteilchen (3) auf die Probe (50) entstehen, wobei die leitende Schicht (1; 43; 31; 39; 46) an einer Stelle außerhalb der optischen Achse des optischen Systems (13) zwischen dem Probentisch (49) und der Blende (24) angeordnet ist, wobei der Abstand zwischen der Erfassungsfläche (9) des Detektors (2; 27; 34; 41) für geladene Teilchen und dem Probentisch (49) größer ist als der Abstand zwischen dem Probentisch (49) und der leitenden Schicht (1; 43; 31; 39; 46), dadurch gekennzeichnet, dass die Oberfläche der leitenden Schicht (1; 43; 31; 39; 46) und die Erfassungsfläche (9) des Detektors (2; 27; 34; 41) zueinander geneigt sind, und die Dicke der leitenden Schicht (1; 43; 31; 39; 46) so bemessen ist, dass die geladenen Sekundärteilchen (6), die an der von der Probe (50) abgewandten Seite der leitenden Schicht (1; 43; 31; 39; 46) erzeugt werden, und deren Energien innerhalb eines gewünschten Energiebands liegen, vom Detektor ...

公开(公告)号：DE112012003268T5

公开(公告)日：2014-06-05

申请号：DE112012003268

申请日：2012-09-24

Applicant: HITACHI HIGH TECH CORP

Inventor： ITO SUKEHIRO ,  KATAGIRI SOUICHI ,  OHSHIMA TAKASHI

IPC: H01J1/304 ,  H01J37/06 ,  H01J37/073

Abstract: Das Erhöhen des Volumens oder Gewichts von Zirconiumdioxid als Diffusions- und Versorgungsquelle zum Verlängern der Lebensdauer einer Elektronenquelle vom Feldemissionstyp führt zu dem Problem, daß die Diffusions- und Versorgungsquelle oder die Wolframnadel dabei leicht Schaden nimmt. Wenn die Diffusions- und Versorgungsquelle zur Vermeidung dieses Problems als dünne Schicht ausgebildet wird, kann keine Lebensdauer mehr erhalten werden, die 8000 Stunden und mehr beträgt. Es wurde festgestellt, daß mit einer geringen Erhöhung der Menge für die Diffusions- und Versorgungsquelle eine Elektronenquelle vom Feldemissionstyp erhalten werden kann, bei der in der Diffusions- und Versorgungsquelle keine Risse und Abblätterungen auftreten und bei der die Lebensdauer 8000 Stunden und mehr beträgt.

公开(公告)号：DE112011102731T5

公开(公告)日：2013-08-22

申请号：DE112011102731

申请日：2011-07-07

Applicant: HITACHI HIGH TECH CORP

Inventor： HATANO MICHIO ,  MORISHITA HIDEO ,  OHSHIMA TAKASHI

IPC: H01J37/20 ,  H01J37/04 ,  H01J37/244 ,  H01J37/28

Abstract: Die vorliegende Erfindung schafft eine Elektronenstrahlvorrichtung mit Mitteln zum Visualisieren einer axialen Verlagerung eines verzögernden elektrischen Feldes und Mitteln zum Einstellen der axialen Verlagerung. Die Axialverlagerungs-Visualisierungsmittel enthalten eine reflektierende Platte (6) und ein optisches System (2, 3), um einen Sekundärelektronenstrahl (9) auf der reflektierenden Platte (6) zu konvergieren, während die Axialverlagerungs-Einstellmittel einen Neigungs- und Drehungs-Mechanismus (8) für eine Probenbühne (5) enthalten. Mit dieser Konfiguration können in einer Elektronenstrahlvorrichtung wie etwa einem SEM und dergleichen Probleme wie etwa eine Gesichtsfeldverlagerung, die durch die Verlagerung der axialen Symmetrie zwischen dem elektrischen Feld zwischen der Objektivlinse (3) und einer Probe (4) verursacht wird, und das Unvermögen, Sekundärelektronen und reflektierte Elektronen, die erwünschte Informationen bereitstellen, zu messen, vermieden werden.

公开(公告)号：DE112017000260B4

公开(公告)日：2022-01-27

申请号：DE112017000260

申请日：2017-01-25

Applicant: HITACHI HIGH TECH CORP

Inventor： IMAMURA SHIN ,  OHSHIMA TAKASHI ,  TSUCHIYA TOMONOBU ,  KAWANO HAJIME ,  SUZUKI MAKOTO

IPC: H01J37/244 ,  G01T1/202

Abstract: Ladungsteilchendetektor, der einen lichtemittierenden Abschnitt (1) enthält, der eine Schichtungsstruktur aufweist, in der eine Schicht (21), die GaInN enthält, und eine GaN-Schicht (22) geschichtet sind, wobei der Ladungsteilchendetektoreine leitfähige Schicht (2) umfasst, die sich mit der Schicht (21), die GaInN enthält, in Kontakt befindet und die auf einer Seite einer Einfallsfläche für geladene Teilchen der Schichtungsstruktur vorgesehen ist, undeine Anzahl der Schichten (21), die GaInN enthalten, in einem Bereich von 5 bis 25 liegt.

公开(公告)号：DE112011100306B4

公开(公告)日：2019-06-19

申请号：DE112011100306

申请日：2011-01-12

Applicant: HITACHI HIGH TECH CORP

Inventor： MORISHITA HIDEO ,  HATANO MICHIO ,  OHSHIMA TAKASHI ,  SATO MITSUGU ,  SAWAHATA TETSUYA ,  ITO SUKEHIRO ,  AOKI YASUKO

IPC: H01J37/244 ,  H01J37/22

Abstract: Ladungsteilchenstrahlvorrichtung miteiner Quelle (12) für geladene Teilchen zum Erzeugen eines Strahls (4) der geladenen Teilchen, der als Sonde dient;einer Blende (16) zum Begrenzen des Durchmessers des Teilchenstrahls; einer Optik (11) für den Strahl der geladenen Teilchen;einem Probenhalter (21), an dem eine Probe (20) angeordnet ist, auf die der Strahl der geladenen Teilchen eingestrahlt wird;einem Detektor (2) für geladene Teilchen, der geladene Sekundärteilchen und von der Probe rückgestreute geladene Teilchen erfasst; und miteiner Signalberechnungseinheit (81) zum Verarbeiten des Ausgangssignals des Detektors für geladene Teilchen,wobei der Detektor für geladene Teilchen einen ersten kleinen Detektor (51) mit einer ersten Erfassungsempfindlichkeit und einen zweiten kleinen Detektor (52) mit einer zweiten Erfassungsempfindlichkeit, die höher ist als die erste Erfassungsempfindlichkeit, umfasst,wobei bei dem Detektor für geladene Teilchen der Erfassungsraumwinkel, gesehen von der Stelle auf der Probe, auf die der Strahl der geladenen Teilchen eingestrahlt wird, für den ersten kleinen Detektor und den zweiten kleinen Detektor jeweils gleich groß ist, undwobei die Signalberechnungseinheit dazu ausgelegt ist, Energieunterschiede geladener Sekundärteilchen und von der Probe rückgestreuter geladener Teilchen auf der Grundlage von Signalen des ersten kleinen Detektors und Signalen des zweiten kleinen Detektors zu berechnen.

公开(公告)号：DE112009001537B8

公开(公告)日：2019-01-24

申请号：DE112009001537

申请日：2009-06-10

Applicant: HITACHI HIGH TECH CORP

Inventor： KASUYA KEIGO ,  OHSHIMA TAKASHI ,  KATAGIRI SOUICHI ,  KOKUBO SHIGERU ,  TODOKORO HIDEO

IPC: H01J37/073 ,  H01J1/304 ,  H01J37/06

公开(公告)号：DE112012003413B4

公开(公告)日：2017-10-19

申请号：DE112012003413

申请日：2012-05-28

Applicant: HITACHI HIGH TECH CORP

Inventor： OHSHIMA TAKASHI ,  HATANO MICHIO ,  MORISHITA HIDEO ,  ITO SUKEHIRO

IPC: H01J37/244 ,  H01J37/28

Abstract: Rasterelektronenmikroskop, welches Folgendes aufweist: eine Elektronenquelle (29), die einen als Sonde zu verwendenden Elektronenstrahl (31) erzeugt, eine Blende (26), die den Durchmesser des Elektronenstrahls (31) begrenzt, einen Probenhalter (3), auf dem eine mit dem Elektronenstrahl (31) zu bestrahlende Probe (2) angeordnet wird, eine Objektivlinse (4-1; 4-2) zum Konvergieren des Elektronenstrahls (31) auf der Oberfläche der Probe (2), eine Ablenkeinrichtung (10) zum Ablenken des Elektronenstrahls (31) auf der mit dem Elektronenstrahl (31) zu bestrahlenden Probe (2), einen Sekundärelektronendetektor (8), der Sekundärelektronen (32-1) von der Probe (2) detektiert, einen Rückstreuelektronendetektor (9), der rückgestreute Elektronen (32-2) von der Probe (2) oder Konversionselektronen (32-3), die von den rückgestreuten Elektronen (32-2) herrühren, detektiert, und eine zylindrische Beschleunigungsröhre (5) in einer Position zwischen der Elektronenquelle (29) und der auf dem Probenhalter (3) anzuordnenden Probe (2), wobei sich eine Detektorebene des Rückstreuelektronendetektors (9) auf einer ferneren Seite von der Elektronenquelle (29) als der Sekundärelektronendetektor (8) und die Ablenkeinrichtung (10) befindet, dadurch gekennzeichnet, dass die Detektorebene des Rückstreuelektronendetektors (9) innerhalb der Beschleunigungsröhre (5) angeordnet ist, und ...