公开(公告)号：GB2485486B

公开(公告)日：2013-10-30

申请号：GB201119868

申请日：2010-08-05

Applicant: IBM

Inventor： CALLEGARI ALESSANDRO ,  BABICH KATHERINA ,  O'SULLIVAN EUGENE ,  CONNOLLY JOHN

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/532

公开(公告)号：DE112010003451T5

公开(公告)日：2012-10-31

申请号：DE112010003451

申请日：2010-08-05

Applicant: IBM

Inventor： CALLEGARI ALESSANDRO ,  BABICH KATHERINA ,  O'SULLIVAN EUGENE ,  CONNOLLY JOHN

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/532

Abstract: Es wird ein Verfahren zum selektiven Züchten einer oder mehrerer Kohlenstoffnanoröhren beschrieben, wobei das Verfahren folgende Schritte beinhaltet: Bilden einer Isolierschicht (10) auf einem Substrat (12), wobei die Isolierschicht eine obere Fläche (14) aufweist; Bilden eines Durchgangskontaktes (18) in der Isolierschicht; Bilden einer aktiven Metallschicht (30) auf der Isolierschicht, die Flächen der Seitenwände und des Bodens des Durchgangskontaktes beinhaltet; und Abtragen der aktiven Metallschicht von Teilen der oberen Fläche mittels eines Ionenstrahls, um das selektive Züchten einer oder mehrerer Kohlenstoffnanoröhren innerhalb des Durchgangskontaktes zu ermöglichen.

公开(公告)号：GB2485486A

公开(公告)日：2012-05-16

申请号：GB201119868

申请日：2010-08-05

Applicant: IBM

Inventor： CALLEGARI ALESSANDRO ,  BABICH KATHERINA ,  O'SULLIVAN EUGENE ,  CONNOLLY JOHN

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/532

Abstract: A method of selectively growing one or more carbon nano-tubes includes forming an insulating layer (10) on a Substrate (12), the insulating layer having a top surface (14); forming a via (18) in the insulating layer; forming an active metal layer (30) over the insulating layer, including sidewall and bottom surfaces of the via; and removing the active metal layer at portions of the top surface with an ion beam to enable the selective growth of one or more carbon nano-tubes inside the via.