Selektives Züchten einer einzelnen Nanoröhre innerhalb eines Durchgangskontaktes unter Verwendung eines lonenstrahls

    公开(公告)号:DE112010003451B4

    公开(公告)日:2015-01-22

    申请号:DE112010003451

    申请日:2010-08-05

    Applicant: IBM

    Abstract: Verfahren zum selektiven Züchten von Kohlenstoffnanoröhren (44), das folgende Schritte umfasst: Bilden (100) einer Isolierschicht (10) auf einem Substrat (12), wobei die Isolierschicht (10) eine obere Fläche (14) aufweist; Bilden (102) eines Durchgangskontaktes (18) in der Isolierschicht (10); Bilden (104) einer aktiven Metallschicht (30) auf der Isolierschicht (10); Abtragen der aktiven Metallschicht (30) von Teilen der oberen Fläche (14) mittels eines Ionenstrahls (40), der unter einem flachen Winkel auftrifft, wobei der flache Winkel in einem Bereich von –1 Grad bis –45 Grad liegt, um das Abtragen der aktiven Schicht von einem Bodenteil des Durchgangskontaktes (18) zu verhindern; Zuführen eines kohlenstoffhaltigen Gases zum Durchgangskontakt (18), um eine einzelne Kohlenstoffnanoröhre zu bilden; und Anwenden eines zweiten Ionenstrahls (42) unter einem steilen Winkel zur aktiven Metallschicht (30) innerhalb des Durchgangskontaktes (18), wobei der steile Winkel in einem Bereich von ungefähr –46 Grad bis ungefähr –90 Grad liegt, um das selektive Wachstum einer einzelnen Kohlenstoffnanoröhre (44) innerhalb des Durchgangskontaktes (18) zu ermöglichen.

    Selektives Züchten von Nanoröhren innerhalb von Durchgangskontakten unter Verwendungeines lonenstrahls

    公开(公告)号:DE112010003451T5

    公开(公告)日:2012-10-31

    申请号:DE112010003451

    申请日:2010-08-05

    Applicant: IBM

    Abstract: Es wird ein Verfahren zum selektiven Züchten einer oder mehrerer Kohlenstoffnanoröhren beschrieben, wobei das Verfahren folgende Schritte beinhaltet: Bilden einer Isolierschicht (10) auf einem Substrat (12), wobei die Isolierschicht eine obere Fläche (14) aufweist; Bilden eines Durchgangskontaktes (18) in der Isolierschicht; Bilden einer aktiven Metallschicht (30) auf der Isolierschicht, die Flächen der Seitenwände und des Bodens des Durchgangskontaktes beinhaltet; und Abtragen der aktiven Metallschicht von Teilen der oberen Fläche mittels eines Ionenstrahls, um das selektive Züchten einer oder mehrerer Kohlenstoffnanoröhren innerhalb des Durchgangskontaktes zu ermöglichen.

    Selective nanotube growth inside vias using an ion beam

    公开(公告)号:GB2485486A

    公开(公告)日:2012-05-16

    申请号:GB201119868

    申请日:2010-08-05

    Applicant: IBM

    Abstract: A method of selectively growing one or more carbon nano-tubes includes forming an insulating layer (10) on a Substrate (12), the insulating layer having a top surface (14); forming a via (18) in the insulating layer; forming an active metal layer (30) over the insulating layer, including sidewall and bottom surfaces of the via; and removing the active metal layer at portions of the top surface with an ion beam to enable the selective growth of one or more carbon nano-tubes inside the via.

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