公开(公告)号：GB2505612A

公开(公告)日：2014-03-05

申请号：GB201322170

申请日：2012-04-15

Applicant: IBM

Inventor： CAI JIN ,  DENNARD ROBERT HEATH ,  HAENSCH WILFRIED E A ,  NING TAK HUNG

IPC: H01L21/8228 ,  H01L21/84 ,  H01L27/082 ,  H01L27/12

Abstract: An example embodiment is a complementary transistor inverter circuit. The circuit includes a semiconductor-on-insulator (SOI) substrate, a lateral PNP bipolar transistor fabricated on the SOI substrate, and a lateral NPN bipolar transistor fabricated on the SOI substrate. The lateral PNP bipolar transistor includes a PNP base, a PNP emitter, and a PNP collector. The lateral NPN bipolar transistor includes a NPN base, a NPN emitter, and a NPN collector. The PNP base, the PNP emitter, the PNP collector, the NPN base, the NPN emitter, and the NPN collector abut the buried insulator of the SOI substrate.

公开(公告)号：DE112010004414T5

公开(公告)日：2012-12-06

申请号：DE112010004414

申请日：2010-11-02

Applicant: IBM

Inventor： NING TAK HUNG ,  CAI JIN ,  KHAKIFIROOZ ALI ,  DENNARD HEATH ROBERT ,  YAU JENG-BANG

IPC: H01L21/84 ,  H01L27/12

Abstract: SOI-CMOS-Strukturen mit mindestens einer programmierbaren elektrisch potentialfreien Rückplatte werden bereitgestellt. Jede elektrisch potentialfreie Rückplatte ist individuell programmierbar. Die Programmierung kann durch die Injektion von Elektronen in jede leitende potentialfreie Rückplatte durchgeführt werden. Die Löschung der Programmierung kann durchgeführt werden, indem die Elektronen aus der potentialfreien Rückplatte ausgetunnelt werden. Mindestens eines von zwei Mitteln kann die Programmierung der elektrisch potentialfreien Rückplatte durchführen. Die beiden Mittel umfassen Fowler-Nordheim-Tunneln und die Injektion energiereicher Elektronen unter Verwendung eines SOI-pFET. Die Injektion der energiereichen Elektronen unter Verwendung eines pFET kann mit einer sehr viel niedrigeren Spannung als die Injektion durch Tunnelelektroneninjektion durchgeführt werden.