Selbstausgerichteter Graphentransistor

    公开(公告)号:DE112010004367T5

    公开(公告)日:2012-11-22

    申请号:DE112010004367

    申请日:2010-08-31

    Applicant: IBM

    Abstract: Ein Graphen-Feldeffekttransistor umfasst einen Gate-Stapel, wobei der Gate-Stapel eine Keimschicht, ein über der Keimschicht ausgebildetes Gate-Oxid und ein über dem Gate-Oxid ausgebildetes Gate-Metall umfasst; eine isolierende Schicht; und eine Graphenschicht, welche zwischen der Keimschicht und der isolierenden Schicht angeordnet ist.

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