公开(公告)号：WO2011023603A3

公开(公告)日：2011-11-03

申请号：PCT/EP2010061986

申请日：2010-08-17

Applicant: IBM ,  XIA FENGNIAN ,  AVOURIS PHAEDON ,  MUELLER THOMAS ,  LIN YU-MING

Inventor： XIA FENGNIAN ,  AVOURIS PHAEDON ,  MUELLER THOMAS ,  LIN YU-MING

IPC: H01L51/42 ,  G02B6/122 ,  H01L51/44

CPC classification number: H01L51/428 ,  H01L29/1606 ,  H01L31/02327 ,  H01L31/035209 ,  H01L31/101 ,  Y02E10/549

Abstract: A photodetector which uses single or multi-layer graphene on a gate oxide layer (12) as the photon detecting layer (14) is disclosed. Multiple embodiments are disclosed with different configurations of the source (8), drain (6) and gate (10) electrodes. In addition, a photodetector array comprising multiple photodetecting elements is disclosed for applications such as imaging and monitoring. An optical waveguide underlying the graphene layer (14) may be embedded into substrate (10) or gate oxide layer (12) in order to channel photons towards graphene layer (14).

Abstract translation: 公开了一种在栅极氧化物层（12）上使用单层或多层石墨烯作为光子检测层（14）的光电检测器。 公开了具有源（8），漏极（6）和栅极（10）电极的不同配置的多个实施例。 此外，公开了包括多个光电检测元件的光电探测器阵列，用于诸如成像和监视的应用。 石墨烯层（14）下面的光波导可以嵌入衬底（10）或栅极氧化物层（12）中，以将光子传导到石墨烯层（14）。

公开(公告)号：WO2014015089A2

公开(公告)日：2014-01-23

申请号：PCT/US2013050973

申请日：2013-07-18

Applicant: IBM

Inventor： JENKINS KEITH A ,  LIN YU-MING

IPC: H03B5/30

CPC classification number: H03B5/1228 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/78684 ,  H03B5/1203 ,  H03B7/06 ,  H03B2200/0084

Abstract: A method includes providing an oscillator having a field effect transistor connected with a resonant circuit. The field effect transistor has a gate electrode coupled to a source of gate voltage, a source electrode, a drain electrode and a graphene channel disposed between the source electrode and the drain electrode and electrically connected thereto. The method further includes biasing the graphene channel via the gate electrode into a negative differential resistance region of operation to cause the oscillator to generate a frequency signal having a resonant frequency fO. There can be an additional step of varying the gate voltage so as to bias the graphene channel into the negative differential resistance region of operation and out of the negative differential resistance region of operation so as to turn on the frequency signal and to turn off the frequency signal, respectively.

Abstract translation: 一种方法包括提供具有与谐振电路连接的场效应晶体管的振荡器。 场效应晶体管具有耦合到栅极电压源的栅电极，源电极，漏电极和设置在源电极和漏电极之间并与其电连接的石墨烯通道。 该方法还包括将石墨烯通道经由栅电极偏置成负的差分电阻操作区域，以使振荡器产生具有谐振频率f0的频率信号。 可以存在改变栅极电压以便将石墨烯通道偏压到负的差分电阻区域和负的差分电阻区域的附加步骤，以便接通频率信号并且关闭频率 信号。

公开(公告)号：DE112012000467T5

公开(公告)日：2013-10-17

申请号：DE112012000467

申请日：2012-01-10

Applicant: IBM

Inventor： LIN YU-MING ,  YAU JENG-BANG

IPC: H01L51/10 ,  H01L51/30

Abstract: Es werden strahlungsfeste Transistoreinheiten auf der Grundlage von Graphen und/oder Kohlenstoff-Nanoröhren und Techniken zu deren Fertigung bereitgestellt. In einem Aspekt wird ein Verfahren zum Fertigen eines strahlungsfesten Transistors bereitgestellt. Das Verfahren beinhaltet die folgenden Schritte. Ein strahlungsfestes Substrat wird bereitgestellt. Es wird ein Material auf der Grundlage von Kohlenstoff auf dem Substrat ausgebildet, wobei ein Abschnitt des Materials auf der Grundlage von Kohlenstoff als Kanalbereich des Transistors dient und sonstige Abschnitte des Materials auf der Grundlage von Kohlenstoff als Source- und Drain-Bereiche des Transistors dienen. An den Abschnitten des Materials auf der Grundlage von Kohlenstoff, die als Source- und Drain-Bereiche des Transistors dienen, werden Kontakte ausgebildet. Über dem Abschnitt des Materials auf der Grundlage von Kohlenstoff, der als Kanalbereich des Transistors dient, wird ein Gate-Dielektrikum abgeschieden. Auf dem Gate-Dielektrikum wird ein Top-Gate-Kontakt ausgebildet.

公开(公告)号：DE112010004367T5

公开(公告)日：2012-11-22

申请号：DE112010004367

申请日：2010-08-31

Applicant: IBM

Inventor： LIN YU-MING ,  JENKINS KEITH AELWYN ,  GARCIA ALBERTO VALDES

IPC: H01L29/786

Abstract: Ein Graphen-Feldeffekttransistor umfasst einen Gate-Stapel, wobei der Gate-Stapel eine Keimschicht, ein über der Keimschicht ausgebildetes Gate-Oxid und ein über dem Gate-Oxid ausgebildetes Gate-Metall umfasst; eine isolierende Schicht; und eine Graphenschicht, welche zwischen der Keimschicht und der isolierenden Schicht angeordnet ist.

公开(公告)号：DE102012222116B4

公开(公告)日：2016-08-25

申请号：DE102012222116

申请日：2012-12-04

Applicant: IBM

Inventor： DIMITRAKOPOULOS CHRISTOS D ,  FARMER DAMON B ,  GRILL ALFRED ,  LIN YU-MING ,  NEUMAYER DEBORAH A ,  PFEIFFER DIRK ,  ZHU WENJUAN

IPC: H01L29/786 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/20 ,  H01L29/16

Abstract: Halbleiterstruktur, aufweisend: eine Graphenschicht (14), die auf einer Oberseite (12) eines Grundsubstrats (10) angeordnet ist; und ein Doppelschicht-Gate-Dielektrikum, das auf einer Oberseite (12) der Graphenschicht (14) angeordnet ist, wobei das Doppelschicht-Gate-Dielektrikum, von unten nach oben, eine Siliciumnitridschicht (16) auf der Oberseite (12) der Graphenschicht (14) bereitstellt und eine auf einer Oberseite (12) der Siliciumsnitridschicht (16) bereitgestellte HfO2-Schicht (18) einschließt, wobei die Siliciumnitridschicht (16) und die HfO2-Schicht (18) über der Oberseite (12) der Graphenschicht (14) kontinuierlich vorhanden sind.

公开(公告)号：DE112012000467B4

公开(公告)日：2015-01-08

申请号：DE112012000467

申请日：2012-01-10

Applicant: IBM

Inventor： LIN YU-MING ,  YAU JENG-BANG

IPC: H01L51/10 ,  H01L51/30

Abstract: Verfahren zum Fertigen eines strahlungsfesten Transistors, das die Schritte aufweist: Bereitstellen eines strahlungsfesten Substrats; wobei das Substrat einen Silicium-Wafer aufweist, der mit einem strahlungsfesten Material bedeckt ist; Ausbilden eines Materials auf der Grundlage von Kohlenstoff auf dem Substrat, wobei ein Abschnitt des Materials auf der Grundlage von Kohlenstoff als Kanalbereich des Transistors dient und sonstige Abschnitte des Materials auf der Grundlage von Kohlenstoff als Source- und Drain-Bereiche des Transistors dienen; Ausbilden von Kontakten an den Abschnitten des Materials auf der Grundlage von Kohlenstoff, die als Source- und Drain-Bereiche des Transistors dienen; Abscheiden eines Gate-Dielektrikums über dem Abschnitt des Materials auf der Grundlage von Kohlenstoff, der als Kanalbereich des Transistors dient; Ausbilden eines Top-Gate-Kontakts auf dem Gate-Dielektrikum wobei das strahlungsfeste Material eine Siliciumcarbid-Dünnschicht aufweist, die epitaktisch auf dem Silicium-Wafer aufgewachsen wird; und thermisches Tempern der Siliciumcarbid-Dünnschicht, um eine strahlungsbeständige Siliciumcarbid-Dünnschicht auszubilden.

公开(公告)号：GB2500851A

公开(公告)日：2013-10-02

申请号：GB201313089

申请日：2012-01-10

Applicant: IBM

Inventor： LIN YU-MING ,  YAU JENG-BANG

IPC: H01L29/786

Abstract: Graphene- and/or carbon nanotube-based radiation-hard transistor devices and techniques for the fabrication thereof are provided. In one aspect, a method of fabricating a radiation-hard transistor is provided. The method includes the following steps. A radiation-hard substrate is provided. A carbon-based material is formed on the substrate wherein a portion of the carbon-based material serves as a channel region of the transistor and other portions of the carbon-based material serve as source and drain regions of the transistor. Contacts are formed to the portions of the carbon-based material that serve as the source and drain regions of the transistor. A gate dielectric is deposited over the portion of the carbon-based material that serves as the channel region of the transistor. A top-gate contact is formed on the gate dielectric.

公开(公告)号：DE112011100907T5

公开(公告)日：2013-01-03

申请号：DE112011100907

申请日：2011-04-26

Applicant: IBM

Inventor： FARMER DAMON BROOKS ,  CHEN KUAN-NENG ,  LIN YU-MING ,  AVOURIS PHAEDON

IPC: H01L27/085 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/336 ,  H01L21/58 ,  H01L21/822 ,  H01L25/04 ,  H01L27/12 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786

Abstract: Es werden Einheiten auf der Grundlage von Graphenkanälen und Techniken zu deren Fertigung bereitgestellt. In einem Aspekt beinhaltet eine Halbleitereinheit einen ersten Wafer, der zumindest einen Graphenkanal, der auf einem ersten Substrat ausgebildet ist, eine erste Oxidschicht, die den Graphenkanal umgibt, und Source- und Drain-Kontakte zu dem Graphenkanal, die sich durch die erste Oxidschicht erstrecken, aufweist; und einen zweiten Wafer, der eine CMOS-Einheitenschicht, die in einem zweiten Substrat ausgebildet ist, eine zweite Oxidschicht, die die CMOS-Einheitenschicht umgibt, und eine Vielzahl von Kontakten zu der CMOS-Einheitenschicht, die sich durch die zweite Oxidschicht erstrecken, aufweist, wobei die Wafer durch eine Oxid-Oxid-Bindung zwischen den Oxidschichten miteinander verbunden sind. Einer oder mehrere der Kontakte zu der Cain-Kontakten in Kontakt. Bei einem oder mehreren der Kontakte zu der CMOS-Einheitenschicht handelt es sich um Gate-Kontakte für den Graphenkanal.

公开(公告)号：GB2487308A

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：GB201201184

申请日：2010-08-31

Applicant: IBM

Inventor： LIN YU-MING ,  JENKINS KEITH AELWYN ,  GARCIA ALBERTO VALDES

IPC: H01L29/786

Abstract: A graphene field effect transistor includes a gate stack, the gate stack including a seed layer, a gate oxide formed over the seed layer, and a gate metal formed over the gate oxide; an insulating layer; and a graphene sheet displaced between the seed layer and the insulating layer.

公开(公告)号：GB2515948B

公开(公告)日：2015-06-24

申请号：GB201418568

申请日：2012-01-10

Applicant: IBM

Inventor： LIN YU-MING ,  YAU JENG-BANG

IPC: H01L29/786