公开(公告)号：JP2011199278A

公开(公告)日：2011-10-06

申请号：JP2011044673

申请日：2011-03-02

Applicant: Internatl Business Mach Corp ,  インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーションInternational Business Maschines Corporation

Inventor： SUPRATIK GUHA ,  JENKINS KEITH AELWYN ,  BARWICZ TYMON

IPC: H01L27/105 ,  H01L45/00 ,  H01L49/00

CPC classification number: G11C11/404 ,  G11C13/0007 ,  H01L28/40 ,  H01L49/003

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a memory device where a transition metal oxide layer performs reading or writing operations by undergoing metal-insulator transition.SOLUTION: The memory device 100 and a method of forming the memory device 100 are provided. The memory device 100 includes: a substrate; a set of electrodes disposed on the substrate 110; a dielectric layer 102 formed between the set of electrodes; and a transition metal oxide layer 104 formed between the set of electrodes, the transition metal oxide layer 104 being configured to undergo the metal-insulator transition (MIT) to perform a reading or writing operation.

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种过渡金属氧化物层通过经历金属 - 绝缘体转变进行读取或写入操作的存储器件。解决方案：提供存储器件100和形成存储器件100的方法。 存储装置100包括：基板; 设置在基板110上的一组电极; 形成在该组电极之间的电介质层102; 以及形成在所述电极组之间的过渡金属氧化物层104，所述过渡金属氧化物层104被配置为经历金属 - 绝缘体转变（MIT）以执行读取或写入操作。

公开(公告)号：DE112010004367T5

公开(公告)日：2012-11-22

申请号：DE112010004367

申请日：2010-08-31

Applicant: IBM

Inventor： LIN YU-MING ,  JENKINS KEITH AELWYN ,  GARCIA ALBERTO VALDES

IPC: H01L29/786

Abstract: Ein Graphen-Feldeffekttransistor umfasst einen Gate-Stapel, wobei der Gate-Stapel eine Keimschicht, ein über der Keimschicht ausgebildetes Gate-Oxid und ein über dem Gate-Oxid ausgebildetes Gate-Metall umfasst; eine isolierende Schicht; und eine Graphenschicht, welche zwischen der Keimschicht und der isolierenden Schicht angeordnet ist.

公开(公告)号：DE112010004367B4

公开(公告)日：2014-08-07

申请号：DE112010004367

申请日：2010-08-31

Applicant: IBM

Inventor： LIN YU-MING ,  JENKINS KEITH AELWYN ,  VALDES GARCIA ALBERTO

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/49

Abstract: Graphen-Feldeffekttransistor, welcher das Folgende umfasst: einen Gate-Stapel, wobei der Gate-Stapel eine Keimschicht (504), ein über der Keimschicht ausgebildetes Gate-Oxid (502) und ein über dem Gate-Oxid ausgebildetes Gate-Metall (402) umfasst; eine isolierende Schicht (104); und eine Graphenschicht (106), welche zwischen der Keimschicht und der isolierenden Schicht angeordnet ist; und einen Abstandhalter (602), der auf einer oberen Seite und auf beiden Seiten des Gate-Stapels ausgebildet ist.

公开(公告)号：GB2487308A

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：GB201201184

申请日：2010-08-31

Applicant: IBM

Inventor： LIN YU-MING ,  JENKINS KEITH AELWYN ,  GARCIA ALBERTO VALDES

IPC: H01L29/786

Abstract: A graphene field effect transistor includes a gate stack, the gate stack including a seed layer, a gate oxide formed over the seed layer, and a gate metal formed over the gate oxide; an insulating layer; and a graphene sheet displaced between the seed layer and the insulating layer.

公开(公告)号：GB2487308B

公开(公告)日：2014-03-05

申请号：GB201201184

申请日：2010-08-31

Applicant: IBM

Inventor： LIN YU-MING ,  JENKINS KEITH AELWYN ,  GARCIA ALBERTO VALDES

IPC: H01L29/786