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    CIRCUITS AND METHODS FOR IMPLEMENTING POWER AMPLIFIERS FOR MILLIMETER WAVE APPLICATIONS
    2.
    发明申请
    CIRCUITS AND METHODS FOR IMPLEMENTING POWER AMPLIFIERS FOR MILLIMETER WAVE APPLICATIONS 审中-公开
    用于实施用于微波波形应用的功率放大器的电路和方法

    公开(公告)号：WO2006124087A2

    公开(公告)日：2006-11-23

    申请号：PCT/US2006005012

    申请日：2006-02-10

    Applicant: IBM ,  FLOYD BRIAN A ,  GARCIA ALBERTO VALDES ,  PFEIFFER ULLRICH R ,  REYNOLDS SCOTT KEVIN

    Inventor： FLOYD BRIAN A ,  GARCIA ALBERTO VALDES ,  PFEIFFER ULLRICH R ,  REYNOLDS SCOTT KEVIN

    IPC: H03F3/217

    CPC classification number: H03F3/2176 ,  H03F2200/222 ,  H03F2200/318 ,  H03F2200/411 ,  H03F2200/451 ,  H03F2200/75

    Abstract: Circuits and methods are provided for implementing highly efficient switch-mode power amplifiers using BJTs (bipolar junction transistors) as active switching devices at millimeter- wave frequencies. For example, a power amplifier circuit (100) includes an active switch device comprising a BJT (bipolar junction transistor) (Tl) and an input network (105), (106) coupled to a base of the BJT (Tl) to drive the active switch device to achieve highly efficient switch-mode (e.g., Class E) operation at millimeter wave frequencies (e.g., 60 GHz). The input network (105), (106), which may be a passive or active driver network, is designed to provide optimal driving conditions. For instance, the input network (105), (106) is designed to present a real input impedance in a range of about 7 Ohms to about 15 Ohms as seen from the base of the active switch device (Tl). Another optimal driving condition includes the input network (105), (106) being designed to provide an asymmetrical drive current to the base of the active switch device (Tl), wherein the negative peak base current exceeds the positive peak base current. Further, the input network is designed to provide an asymmetrical drive base current to the active switch device (Tl) such that the base voltage has a swing that does not exceed about 400 mVpp (millivolts peak-to-peak).

    Abstract translation: 提供电路和方法，用于实现使用BJT（双极结型晶体管）作为毫米波频率的有源开关器件的高效开关模式功率放大器。 例如，功率放大器电路（100）包括有源开关器件，其包括耦合到BJT（T1）的基极的BJT（双极结型晶体管）（T1）和输入网络（105）（106），以驱动 主动开关装置，以实现毫米波频率（例如，60GHz）下的高效开关模式（例如，E类）操作。 可以是被动或主动的驱动器网络的输入网络（105）（106）被设计成提供最佳驾驶条件。 例如，输入网络（105）（106）被设计成在从有源开关器件（T1）的基极看到的情况下，呈现大约7欧姆到大约15欧姆的范围内的实际输入阻抗。 另一个最佳驱动条件包括输入网络（105），（106）被设计成向有源开关器件（T1）的基极提供非对称驱动电流，其中负峰值基极电流超过正峰值基极电流。 此外，输入网络被设计为向有源开关器件（T1）提供不对称驱动基极电流，使得基极电压具有不超过约400mVpp（毫伏峰峰值）的摆幅。

    Self-aligned graphene transistor
    4.
    发明专利
    Self-aligned graphene transistor 未知

    公开(公告)号：GB2487308A

    公开(公告)日：2012-07-18

    申请号：GB201201184

    申请日：2010-08-31

    Applicant: IBM

    Inventor： LIN YU-MING ,  JENKINS KEITH AELWYN ,  GARCIA ALBERTO VALDES

    IPC: H01L29/786

    Abstract: A graphene field effect transistor includes a gate stack, the gate stack including a seed layer, a gate oxide formed over the seed layer, and a gate metal formed over the gate oxide; an insulating layer; and a graphene sheet displaced between the seed layer and the insulating layer.

    Phased-array transceiver
    6.
    发明专利
    Phased-array transceiver 未知

    公开(公告)号：GB2509414A

    公开(公告)日：2014-07-02

    申请号：GB201403466

    申请日：2012-06-21

    Applicant: IBM

    Inventor： REYNOLDS SCOTT ,  LIU DUIXIAN ,  NATARAJAN ARUN ,  GARCIA ALBERTO VALDES ,  FRIEDMAN DANIEL JOSEPH

    IPC: H01Q21/06 ,  H01L23/58 ,  H01Q1/22 ,  H01Q23/00

    Abstract: Systems, methods, devices and apparatuses directed to transceiver devices are disclosed. In accordance with one method, a first set of antenna positions in a first section of a set of sections of a circuit layout for the circuit package is selected. The method further includes selecting another set of antenna positions in another section of the circuit layout such that an arrangement of selected antenna positions of the other set is different from an arrangement of selected antenna positions of a previously selected set of antenna positions. The selecting another set of positions in another section is iterated until selections have been made for a total number of antennas. The selecting the other set is performed such that consecutive unselected positions in the other section do not exceed a predetermined number of positions. In addition, antenna elements are formed at the selected positions to fabricate the circuit package.

    Techniken zum Abbilden von Millimeterwellen mit einer phasengesteuerten Anordnung
    8.
    发明专利
    Techniken zum Abbilden von Millimeterwellen mit einer phasengesteuerten Anordnung 未知

    公开(公告)号：DE112011101420B4

    公开(公告)日：2016-03-24

    申请号：DE112011101420

    申请日：2011-01-10

    Applicant: IBM

    Inventor： KAM DONG G ,  LIU DUIXIAN ,  NATARAJAN ARUN S ,  REYNOLDS SCOTT K ,  GARCIA ALBERTO VALDES

    IPC: G01S13/89 ,  H01Q3/26 ,  H01Q3/36

    Abstract: Eine Vorrichtung zum Detektieren eines Hochfrequenzbildes, wobei die Vorrichtung Folgendes umfasst: ein Array (104) von Hochfrequenzantennen (106), die durch eine oder mehrere gehäuste integrierte Schaltungen (108) getragen werden; und eine Steuereinheit (110), die so eingerichtet ist, dass sie Hochfrequenzsignale von den Antennen selektiv phasenverschiebt, so dass mindestens ein Bereich des Hochfrequenzbildes fokussiert ist, eine Linsenbaugruppe (404), die mindestens eine feste Linse (406) enthält; wobei das Array (104) von Antennen in einer Fokusebene der Linsenbaugruppe angeordnet ist, und einen Leistungskoppler (502), der so eingerichtet ist, dass er die Hochfrequenzsignale von den Antennen kombiniert; eine Mehrzahl von Hochfrequenzschaltern (504), wobei jeder Hochfrequenzschalter (504) jeweils mit einer entsprechenden Hochfrequenzantenne (106) verbunden ist, so dass das Signal von jeder Antenne einzeln abgebildet oder durch den Leistungskoppler mit anderen Hochfrequenzsignalen von den Antennen kombiniert wird; und einen Phasenschieber (506) für jede Antenne.

    Strukturen auf Graphen-Basis und Verfahren zum Abschirmen elektromagnetischer Strahlung
    10.
    发明专利
    Strukturen auf Graphen-Basis und Verfahren zum Abschirmen elektromagnetischer Strahlung 未知

    公开(公告)号：DE102013210162A1

    公开(公告)日：2013-12-19

    申请号：DE102013210162

    申请日：2013-05-31

    Applicant: IBM

    Inventor： AVOURIS PHAEDON ,  GARCIA ALBERTO VALDES ,  SUNG CHUN-YUNG ,  XIA FENGNIAN ,  YAN HUGEN

    IPC: H05K9/00 ,  C01B31/04 ,  C09D5/32 ,  C09D5/33

    Abstract: Strukturen zum Abschirmen elektromagnetischer Störungen und Verfahren zum Abschirmen eines Objekts vor elektromagnetischer Strahlung bei Frequenzen, die höher als ein Megahertz sind, beinhalten im Allgemeinen das Bereitstellen hoch dotierter dünner Lagen aus Graphen um das abzuschirmende Objekt herum. Die hoch dotierten dünnen Lagen aus Graphen können eine Dotierstoffkonzentration, die höher als > 1e1013 cm–2 ist, die dahingehend wirksam ist, dass die elektromagnetische Strahlung reflektiert wird, oder eine Dotierstoffkonzentration von 1e1013 cm–2 > n > 0 cm–2 aufweisen, die dahingehend wirksam ist, dass die elektromagnetische Strahlung absorbiert wird.

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