公开(公告)号：WO2005024900A3

公开(公告)日：2005-06-09

申请号：PCT/US2004021345

申请日：2004-07-01

Applicant: IBM ,  KHATER MARWAN H ,  DUNN JAMES S ,  HARAME DAVID L ,  JOSEPH ALVIN J ,  LIU QIZHI ,  PAGETTE FRANCOIS ,  ST ONGE STEPHEN A ,  STRICKER ANDREAS D

Inventor： KHATER MARWAN H ,  DUNN JAMES S ,  HARAME DAVID L ,  JOSEPH ALVIN J ,  LIU QIZHI ,  PAGETTE FRANCOIS ,  ST ONGE STEPHEN A ,  STRICKER ANDREAS D

IPC: H01L21/331 ,  H01L29/10 ,  H01L29/732 ,  H01L29/737 ,  H01L23/62

CPC classification number: H01L29/66287 ,  H01L29/1004 ,  H01L29/66242 ,  H01L29/732 ,  H01L29/7378

Abstract: A bipolar transistor with raised extrinsic base and selectable self-alignment between the extrinsic base and the emitter (106) is disclosed. The fabrication method may include the formation of a predefined thickness of a first extrinsic base layer (102) of polysilicon or silicon on an intrinsic base (108). A dielectric landing pad (128) is then formed by lithography on the first extrinsic base layer (102). Next, a second extrinsic base layer (104) of polysilicon or silicon is formed on top of the dielectric landing pad (128) to finalize the raised extrinsic base total thickness. An emitter (106) opening is formed using lithography and RIE, where the second extrinsic base layer (104) is etched stopping on the dielectric landing pad (128). The degree of self-alignment between the emitter (106) and the raised extrinsic base is achieved by selecting the first extrinsic base layer (102) thickness, the dielectric landing pad (128) width, and the spacer width.

Abstract translation: 公开了一种具有凸起的非本征基极和在本征基极和发射极（106）之间的可选自对准的双极晶体管。 制造方法可以包括在内在基极（108）上形成多晶硅或硅的第一非本征基极层（102）的预定厚度。 然后通过光刻在第一非本征基极层（102）上形成电介质着色焊盘（128）。 接下来，在电介质着色焊盘（128）的顶部上形成多晶硅或硅的第二非本征基极层（104），以最终确定凸出的非本征基本总厚度。 使用光刻和RIE形成发射器（106）开口，其中第二外部基极层（104）被蚀刻停止在电介质着色焊盘（128）上。 通过选择第一非本征基极层（102）的厚度，电介质着陆焊盘（128）的宽度和间隔物宽度来实现发射极（106）和凸起的外在基极之间的自对准程度。

公开(公告)号：DE102015120493B4

公开(公告)日：2021-03-11

申请号：DE102015120493

申请日：2015-11-26

Applicant: IBM

Inventor： ASSEFA SOLOMON ,  BARWICZ TYMON ,  GREEN WILLIAM M ,  KHATER MARWAN H ,  ROSENBERG JESSIE C ,  SHANK STEVEN M

IPC: H01L27/144 ,  H01L21/314 ,  H01L21/762 ,  H01L31/173

Abstract: Verfahren zum Bilden einer Halbleiterstruktur, das aufweist:Bilden von zumindest einer verkapselnden Schicht über einem Photodetektor und um diesen herum;thermisches Kristallisieren des Photodetektor-Materials nach dem Bilden der zumindest einen verkapselnden Schicht;Bilden einer konformen abdichtenden Schicht auf der zumindest einen verkapselnden Schicht und über zumindest einer Einheit nach dem thermischen Kristallisieren des Photodetektor-Materials, wobei das Bilden der konformen abdichtenden Schicht ein Bilden einer Schicht aus Siliciumnitrid unter Verwendung einer schnellen thermischen chemischen Gasphasenabscheidung aufweist;Bilden einer Barrierenschicht sowohl auf einem ersten Teilbereich der konformen abdichtenden Schicht über dem Photodetektor als auch auf einem zweiten Teilbereich der konformen abdichtenden Schicht über einem Laser-Gitter-Koppler, wobei das Bilden der Barrierenschicht ein Bilden einer Schicht aus Siliciumnitrid unter Verwendung einer plasmaunterstützten chemischen Gasphasenabscheidung aufweist; undselektives Entfernen eines Teilbereichs der Barrierenschicht von dem Gebiet über dem Laser-Gitter-Koppler,wobei die konforme abdichtende Schicht so konfiguriert ist, dass sie einen Riss in der zumindest einen verkapselnden Schicht abdichtet,sich der Photodetektor und die zumindest eine Einheit auf einem gleichen Substrat befinden; unddie zumindest eine Einheit eine Komplementär-Metall-Oxid-Halbleiter-Einheit und dem Laser-Gitter-Koppler aufweist.

公开(公告)号：DE102015120493A1

公开(公告)日：2016-06-23

申请号：DE102015120493

申请日：2015-11-26

Applicant: IBM

Inventor： ASSEFA SOLOMON ,  BARWICZ TYMON ,  GREEN WILLIAM M ,  KHATER MARWAN H ,  ROSENBERG JESSIE C ,  SHANK STEVEN M

IPC: H01L27/144 ,  H01L21/314 ,  H01L21/762

Abstract: Es werden Vorgehensweisen für eine Silicium-Photonik-Integration bereitgestellt. Ein Verfahren beinhaltet: Bilden von zumindest einer verkapselnden Schicht über einem Photodetektor und um diesen herum; thermisches Kristallisieren des Photodetektor-Materials nach dem Bilden der zumindest einen verkapselnden Schicht; und Bilden einer konformen abdichtenden Schicht auf der zumindest einen verkapselnden Schicht und über zumindest einer Einheit nach dem thermischen Kristallisieren des Photodetektor-Materials. Die konforme abdichtende Schicht ist so konfiguriert, dass sie einen Riss in der zumindest einen verkapselnden Schicht abdichtet. Der Photodetektor und die zumindest eine Einheit befinden sich auf einem gleichen Substrat. Die zumindest eine Einheit beinhaltet eine Komplementär-Metall-Oxid-Halbleiter-Einheit oder eine passive Photonik-Einheit.