公开(公告)号：JP2011199278A

公开(公告)日：2011-10-06

申请号：JP2011044673

申请日：2011-03-02

Applicant: Internatl Business Mach Corp ,  インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーションInternational Business Maschines Corporation

Inventor： SUPRATIK GUHA ,  JENKINS KEITH AELWYN ,  BARWICZ TYMON

IPC: H01L27/105 ,  H01L45/00 ,  H01L49/00

CPC classification number: G11C11/404 ,  G11C13/0007 ,  H01L28/40 ,  H01L49/003

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a memory device where a transition metal oxide layer performs reading or writing operations by undergoing metal-insulator transition.SOLUTION: The memory device 100 and a method of forming the memory device 100 are provided. The memory device 100 includes: a substrate; a set of electrodes disposed on the substrate 110; a dielectric layer 102 formed between the set of electrodes; and a transition metal oxide layer 104 formed between the set of electrodes, the transition metal oxide layer 104 being configured to undergo the metal-insulator transition (MIT) to perform a reading or writing operation.

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种过渡金属氧化物层通过经历金属 - 绝缘体转变进行读取或写入操作的存储器件。解决方案：提供存储器件100和形成存储器件100的方法。 存储装置100包括：基板; 设置在基板110上的一组电极; 形成在该组电极之间的电介质层102; 以及形成在所述电极组之间的过渡金属氧化物层104，所述过渡金属氧化物层104被配置为经历金属 - 绝缘体转变（MIT）以执行读取或写入操作。

公开(公告)号：DE102015120493A1

公开(公告)日：2016-06-23

申请号：DE102015120493

申请日：2015-11-26

Applicant: IBM

Inventor： ASSEFA SOLOMON ,  BARWICZ TYMON ,  GREEN WILLIAM M ,  KHATER MARWAN H ,  ROSENBERG JESSIE C ,  SHANK STEVEN M

IPC: H01L27/144 ,  H01L21/314 ,  H01L21/762

Abstract: Es werden Vorgehensweisen für eine Silicium-Photonik-Integration bereitgestellt. Ein Verfahren beinhaltet: Bilden von zumindest einer verkapselnden Schicht über einem Photodetektor und um diesen herum; thermisches Kristallisieren des Photodetektor-Materials nach dem Bilden der zumindest einen verkapselnden Schicht; und Bilden einer konformen abdichtenden Schicht auf der zumindest einen verkapselnden Schicht und über zumindest einer Einheit nach dem thermischen Kristallisieren des Photodetektor-Materials. Die konforme abdichtende Schicht ist so konfiguriert, dass sie einen Riss in der zumindest einen verkapselnden Schicht abdichtet. Der Photodetektor und die zumindest eine Einheit befinden sich auf einem gleichen Substrat. Die zumindest eine Einheit beinhaltet eine Komplementär-Metall-Oxid-Halbleiter-Einheit oder eine passive Photonik-Einheit.

公开(公告)号：DE112012001959T5

公开(公告)日：2014-02-06

申请号：DE112012001959

申请日：2012-04-30

Applicant: IBM

Inventor： BARWICZ TYMON

IPC: H01L27/148

Abstract: Ein transparenter Photodetektor. Der transparente Photodetektor weist ein Substrat auf; einen Wellenleiter auf dem Substrat; eine bewegliche Struktur, die in Bezug auf das Substrat beweglich ist, wobei die bewegliche Struktur in der Nähe des Wellenleiters liegt; und ein Silicium-Nanodraht-Array, das in Bezug auf das Substrat aufgehängt ist und mit der beweglichen Struktur mechanisch verbunden ist, wobei das Silicium-Nanodraht-Array eine Vielzahl von Silicium-Nanodrähten mit einem Piezowiderstand aufweist. In Betrieb führt eine Lichtquelle, die sich durch den Wellenleiter ausbreitet, zu einer optischen Kraft an der beweglichen Struktur, was zudem zu einer Beanspruchung an den Nanodrähten führt, um eine Änderung im elektrischen Widerstand der Nanodrähte zu bewirken. Das Substrat kann ein Halbleiter-auf-Isolator-Substrat sein.

公开(公告)号：GB2505120A

公开(公告)日：2014-02-19

申请号：GB201320141

申请日：2012-04-30

Applicant: IBM

Inventor： BARWICZ TYMON

IPC: G01J1/42 ,  B82Y20/00

Abstract: A transparent photodetector. The transparent photodetector includes a substrate; a waveguide on the substrate; a displaceable structure that can be displaced with respect to the substrate, the displaceable structure in proximity to the waveguide; and a silicon nanowire array suspended with respect to the substrate and mechanically linked to the displaceable structure, the silicon nanowire array comprising a plurality of silicon nanowires having piezoresistance. In operation, a light source propagating through the waveguide results in an optical force on the displaceable structure which further results in a strain on the nanowires to cause a change in electrical resistance of the nanowires. The substrate may be a semiconductor on insulator substrate.

公开(公告)号：DE112020002692T5

公开(公告)日：2022-02-17

申请号：DE112020002692

申请日：2020-06-02

Applicant: IBM

Inventor： BARWICZ TYMON

IPC: G02B6/10 ,  G02B6/30

Abstract: Ausführungsformen der Erfindung betreffen einen Lichtwellenleiter mit einem ersten Lichtwellenleitersegment, das einen Satz Begrenzungsparameter des ersten Lichtwellenleitersegments umfasst; einem zweiten Lichtwellenleitersegment mit Leitungsbiegungen und einem Satz Begrenzungsparameter des zweiten Lichtwellenleitersegments; und einem dritten Lichtwellenleitersegment mit einem Satz Begrenzungsparameter des dritten Lichtwellenleitersegments. Der Lichtwellenleiter ist so gestaltet, dass er optische Daten gemäß einer asymmetrischen optischen Verlustleistungskurve weiterleitet, die eine Darstellung der Sätze Begrenzungsparameter des ersten, zweiten und dritten Lichtwellenleitersegments auf einer ersten Achse; und eines Wertes der optischen Verlustleistung ist, der sich aus den Sätzen Begrenzungsparameter des ersten, zweiten und dritten Lichtwellenleitersegments auf einer zweiten Achse ergibt. Die Sätze Begrenzungsparameter des ersten, zweiten und dritten Lichtwellenleitersegments sind so beschaffen, dass sie gemeinsam einen höchstmöglichen vorgegebenen Grenzwert der optischen Verlustleistungs der asymmetrischen optischen Verlustleistungskurve innerhalb eines Bereichs der Fertigungstoleranzen des Lichtwellenleiters bewirken.

公开(公告)号：DE102015120493B4

公开(公告)日：2021-03-11

申请号：DE102015120493

申请日：2015-11-26

Applicant: IBM

Inventor： ASSEFA SOLOMON ,  BARWICZ TYMON ,  GREEN WILLIAM M ,  KHATER MARWAN H ,  ROSENBERG JESSIE C ,  SHANK STEVEN M

IPC: H01L27/144 ,  H01L21/314 ,  H01L21/762 ,  H01L31/173

Abstract: Verfahren zum Bilden einer Halbleiterstruktur, das aufweist:Bilden von zumindest einer verkapselnden Schicht über einem Photodetektor und um diesen herum;thermisches Kristallisieren des Photodetektor-Materials nach dem Bilden der zumindest einen verkapselnden Schicht;Bilden einer konformen abdichtenden Schicht auf der zumindest einen verkapselnden Schicht und über zumindest einer Einheit nach dem thermischen Kristallisieren des Photodetektor-Materials, wobei das Bilden der konformen abdichtenden Schicht ein Bilden einer Schicht aus Siliciumnitrid unter Verwendung einer schnellen thermischen chemischen Gasphasenabscheidung aufweist;Bilden einer Barrierenschicht sowohl auf einem ersten Teilbereich der konformen abdichtenden Schicht über dem Photodetektor als auch auf einem zweiten Teilbereich der konformen abdichtenden Schicht über einem Laser-Gitter-Koppler, wobei das Bilden der Barrierenschicht ein Bilden einer Schicht aus Siliciumnitrid unter Verwendung einer plasmaunterstützten chemischen Gasphasenabscheidung aufweist; undselektives Entfernen eines Teilbereichs der Barrierenschicht von dem Gebiet über dem Laser-Gitter-Koppler,wobei die konforme abdichtende Schicht so konfiguriert ist, dass sie einen Riss in der zumindest einen verkapselnden Schicht abdichtet,sich der Photodetektor und die zumindest eine Einheit auf einem gleichen Substrat befinden; unddie zumindest eine Einheit eine Komplementär-Metall-Oxid-Halbleiter-Einheit und dem Laser-Gitter-Koppler aufweist.

公开(公告)号：GB2505120B

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：GB201320141

申请日：2012-04-30

Applicant: IBM

Inventor： BARWICZ TYMON

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/08