公开(公告)号：DE112012005023T5

公开(公告)日：2014-08-21

申请号：DE112012005023

申请日：2012-11-23

Applicant: IBM

Inventor： FULLER NICHOLAS C M ,  RANADE RAJIV M ,  TOTIR GEORGE G ,  JOSHI PRATIK P ,  KHOJASTEH MAHMOUD

IPC: H01L21/00

Abstract: Eine organische Planarisierungsschicht (OPL) wird auf einem Halbleitersubstrat gebildet, welches eine Vielzahl von Gate-Leitungen darauf umfasst. Jede Gate-Leitung umfasst zumindest ein High-k-Gate-Dielektrikum und eine Metall-Gate-Zone. Anschließend wird auf der OPL ein strukturierter Photoresist angeordnet, welcher mindestens eine darin ausgebildete Struktur aufweist. Die mindestens eine Struktur in dem Photoresist verläuft senkrecht zu jeder der Gate-Leitungen. Die Struktur wird dann durch Ätzen in die OPL und Abschnitte jeder der darunter liegenden Gate-Leitungen übertragen, um eine Vielzahl von Gate-Stapeln bereitzustellen, welche jeweils zumindest einen High-k-Dielektrikums-Abschnitt und einen Metall-Gate-Abschnitt umfassen. Der strukturierte Photoresist und die verbleibende OPL-Schicht werden dann unter Anwendung einer Folge von Schritten entfernt, welche ein erstes In-Kontakt-Bringen mit einer ersten Säure, ein zweites In-Kontakt-Bringen mit einer wässrigen, Cer enthaltenden Lösung und ein drittes In-Kontakt-Bringen mit einer zweiten Säure umfassen.

公开(公告)号：GB2488653B

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：GB201203506

申请日：2010-12-03

Applicant: IBM

Inventor： KHOJASTEH MAHMOUD ,  TOTIR GEORGE GABRIEL ,  AFZALI-ARDAKANI ALI ,  NUNES RONALD WAYNE

IPC: H01L21/311 ,  G03F7/40 ,  G03F7/42

Abstract: A spin-on formulation that is useful in stripping an ion implanted photoresist is provided that includes an aqueous solution of a water soluble polymer containing at least one acidic functional group, and at least one lanthanide metal-containing oxidant. The spin-on formulation is applied to an ion implanted photoresist and baked to form a modified photoresist. The modified photoresist is soluble in aqueous, acid or organic solvents. As such one of the aforementioned solvents can be used to completely strip the ion implanted photoresist as well as any photoresist residue that may be present. A rinse step can follow the stripping of the modified photoresist.

公开(公告)号：DE112010004081B4

公开(公告)日：2013-08-14

申请号：DE112010004081

申请日：2010-12-03

Applicant: IBM

Inventor： TOTIR GEORGE GABRIEL ,  KHOJASTEH MAHMOUD ,  AFZALI-ARDAKANI ALI ,  NUNES RONALD WAYNE

IPC: H01L21/311 ,  G03F7/42 ,  H01L21/312

Abstract: Verfahren mit Entfernen eines ionenimplantierten Fotolackmaterials von einem Halbleitersubstrat, wobei das Verfahren die folgenden Schritte umfasst: Bereitstellen eines strukturierten Fotolacks auf einer Oberfläche einer Halbleiterstruktur, wobei sich in dem strukturierten Fotolack mindestens eine Öffnung befindet, die eine obere Oberfläche eines Halbleitersubstrats der Halbleiterstruktur freilegt; Einlagern von Dotanden in die freiliegende obere Oberfläche des Halbleitersubstrats sowie in den strukturierten Fotolack durch Ionenimplantation; Bilden eines Polymerfilms, der ein Oxidationsmittel enthält, zumindest auf freiliegenden oberen Oberflächen des ionenimplantierten und strukturierten Fotolacks; Durchführen eines Temperschrittes, der eine Reaktion zwischen dem Polymerfilm und dem ionenimplantierten und strukturierten Fotolack verursacht, bei welcher ein modifizierter strukturierter Fotolack gebildet wird, der in wässrigen, sauren oder organischen Lösemitteln löslich ist; und Entfernen des veränderten strukturierten Fotolacks von der Halbleiterstruktur unter Verwendung eines wässrigen, sauren oder organischen Lösemittels.

公开(公告)号：DE112010004081T5

公开(公告)日：2012-11-15

申请号：DE112010004081

申请日：2010-12-03

Applicant: IBM

Inventor： TOTIR GEORGE GABRIEL ,  KHOJASTEH MAHMOUD ,  AFZALI-ARDAKANI ALI ,  NUNES RONALD WAYNE

IPC: H01L21/311 ,  G03F7/42

Abstract: Es wird eine Rezeptur für die Rotationsbeschichtung bereitgestellt, die zum Ablösen eines ionenimplantierten Fotolacks geeignet ist und eine wässrige Lösung eines wasserlöslichen Polymers, welches mindestens eine saure funktionelle Gruppe und mindestens ein Oxidationsmittel enthält, beinhaltet, wobei Letzteres ein Metall der Lanthanidengruppe enthält. Die Rezeptur für die Rotationsbeschichtung wird auf einen ionenimplantierten Fotolack aufgebracht und getempert, um einen veränderten Fotolack zu bilden. Der veränderte Fotolack ist in wässrigen, sauren oder organischen Lösemitteln löslich. Demgemäß kann eines der oben erwähnten Lösemittel zum vollständigen Ablösen des ionenimplantierten Fotolacks sowie aller möglicherweise vorhandenen Fotolackrückstände verwendet werden. An das Ablösen des veränderten Fotolacks kann sich ein Spülschritt anschließen.