公开(公告)号：GB2508745A

公开(公告)日：2014-06-11

申请号：GB201402956

申请日：2012-03-06

Applicant: IBM

Inventor： GUO DECHAO ,  HAN SHU-JEN ,  WONG KEITH KWONG HON ,  YUAN JUN

IPC: H01L21/8238 ,  H01L29/165 ,  H01L29/49 ,  H01L29/66 ,  H01L29/78

Abstract: In a replacement gate scheme, a continuous material layer is deposited on a bottom surface and a sidewall surface in a gate cavity. A vertical portion of the continuous material layer is removed to form a gate component of which a vertical portion does not extend to a top of the gate cavity. The gate component can be employed as a gate dielectric or a work function material portion to form a gate structure that enhances performance of a replacement gate field effect transistor.

公开(公告)号：DE112012003020T5

公开(公告)日：2014-05-08

申请号：DE112012003020

申请日：2012-03-06

Applicant: IBM

Inventor： GUO DECHAO ,  HAN SHU-JEN ,  WONG KEITH KWONG HON ,  YUAN JUN

IPC: H01L27/00

Abstract: In einem Ersatz-Gate-Schema wird eine durchgehende Materialschicht auf einer Bodenfläche und einer Seitenwandfläche in einem Gate-Hohlraum abgeschieden. Ein vertikaler Abschnitt der durchgehenden Materialschicht wird entfernt, um eine Gate-Komponente auszubilden, deren vertikaler Abschnitt sich nicht bis zu einer Oberseite des Gate-Hohlraums erstreckt. Die Gate-Komponente kann als Gate-Dielektrikum oder als Austrittsarbeits-Materialabschnitt eingesetzt werden, um eine Gate-Struktur auszubilden, die die Leistungsfähigkeit eines Ersatz-Gate-Feldeffekttransistors verbessert.

公开(公告)号：GB2504434A

公开(公告)日：2014-01-29

申请号：GB201320100

申请日：2012-05-18

Applicant: IBM

Inventor： GUO DECHAO ,  HAN SHU-JEN ,  WONG KEITH KWONG HON ,  YUAN JUN

IPC: H01L27/108 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/66 ,  H01L29/786 ,  H01L51/05

Abstract: A device and method for device fabrication includes forming (202) a buried gate electrode in a dielectric substrate and patterning (212) a stack comprising a high dielectric constant layer, a carbon-based semi-conductive layer and a protection layer over the buried gate electrode. An isolation dielectric layer formed over the stack is opened (216) to define recesses in regions adjacent to the stack. The recesses are etched (218) to form cavities and remove a portion of the high dielectric constant layer to expose the carbon-based semi- conductive layer on opposite sides of the buried gate electrode. A conductive material is deposited (224) in the cavities to form self-aligned source and drain regions.