公开(公告)号：DE112010003659T5

公开(公告)日：2012-10-31

申请号：DE112010003659

申请日：2010-08-25

Applicant: IBM

Inventor： ROSSNAGEL STEPHEN ,  YANG CHIH-CHAO ,  EDELSTEIN DANIEL ,  NOGAMI TAKESHI

IPC: H01L21/768

Abstract: Es werden eine Verbindungsstruktur, die einen verringerten elektrischen Widerstand aufweist, und ein Verfahren zum Bilden einer solchen Verbindungsstruktur bereitgestellt. Die Verbindungsstruktur umfasst ein dielektrisches Material (24), welche mindestens eine darin befindliche Öffnung umfasst. Die mindestens eine Öffnung ist mit einer optionalen Diffusionsbarrierenschicht (30), einer Kornwachstums-Förderungsschicht (32), einer agglomerierten Galvanisierungs-Keimschicht (34'), gegebenenfalls einer zweiten Galvanisierungs-Keimschicht und einer leitfähigen Struktur (38) gefüllt. Die leitfähige Struktur, welche ein metallhaltiges leitfähiges Material, typischerweise Cu, umfasst, weist eine Bambus-Mikrostruktur und eine mittlere Korngröße von mehr als 0,05 Mikrometern auf. In einigen Ausführungsformen umfasst die leitfähige Struktur leitfähige Körner, welche eine (111)-Kristallorientierung aufweisen.

公开(公告)号：ES2320523T3

公开(公告)日：2009-05-25

申请号：ES00931376

申请日：2000-05-15

Applicant: IBM

Inventor： EDELSTEIN DANIEL ,  MCGAHAY VINCENT ,  NYE HENRY ,  OTTEY BRIAN ,  PRICE WILLIAM

IPC: H01L23/485 ,  H01L23/52 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/60 ,  H01L23/532

Abstract: Una estructura de interconexión que comprende una capa de cobre, una capa barrera, una capa de AlCu y una capa limitadora de almohadilla, en la que la capa de AlCu y la capa barrera están interpuestas entre la capa de cobre y la capa limitadora de almohadilla, y en la que la capa barrera está situada entre la capa de cobre y la capa de AlCu.

公开(公告)号：AT426247T

公开(公告)日：2009-04-15

申请号：AT00931376

申请日：2000-05-15

Applicant: IBM

Inventor： EDELSTEIN DANIEL ,  MCGAHAY VINCENT ,  NYE HENRY ,  OTTEY BRIAN ,  PRICE WILLIAM

IPC: H01L23/485 ,  H01L23/52 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/60 ,  H01L23/532

Abstract: A structure comprising a layer of copper, a barrier layer, a layer of AlCu, and a pad-limiting layer, wherein the layer of AlCu and barrier layer are interposed between the layer of copper and pad-limiting layer.

公开(公告)号：PL351305A1

公开(公告)日：2003-04-07

申请号：PL35130500

申请日：2000-05-15

Applicant: IBM

Inventor： EDELSTEIN DANIEL ,  MCGAHAY VINCENT ,  NYE HENRY ,  OTTEY BRIAN ,  PRICE WILLIAM

IPC: H01L23/52 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/60 ,  H01L23/485 ,  H01L23/532

Abstract: A structure comprising a layer of copper, a barrier layer, a layer of AlCu, and a pad-limiting layer, wherein the layer of AlCu and barrier layer are interposed between the layer of copper and pad-limiting layer.

公开(公告)号：HU0201473A2

公开(公告)日：2002-08-28

申请号：HU0201473

申请日：2000-05-15

Applicant: IBM

Inventor： EDELSTEIN DANIEL ,  MCGAHAY VINCENT ,  NYE HENRY ,  OTTEY BRIAN ,  PRICE WILLIAM

IPC: H01L23/52 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/60 ,  H01L23/485

Abstract: A structure comprising a layer of copper, a barrier layer, a layer of AlCu, and a pad-limiting layer, wherein the layer of AlCu and barrier layer are interposed between the layer of copper and pad-limiting layer.