公开(公告)号：DE102014008894A1

公开(公告)日：2014-12-18

申请号：DE102014008894

申请日：2014-06-12

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： WILLKOFER STEFAN ,  KIEP ANDREAS

IPC: H01L23/62 ,  H01L29/739

Abstract: Eine Ausführungsform betrifft eine Vorrichtung, umfassend einen High-Side-Halbleiter, einen Low-Side-Halbleiter, ein erstes Erfassungselement, das angrenzend an dem High-Side-Halbleiter angeordnet ist. Das erste Erfassungselement ist von dem High-Side-Halbleiter isoliert und das erste Erfassungselement ist mit einer Verarbeitungseinheit direkt verbindbar.

公开(公告)号：DE102011101035A1

公开(公告)日：2012-11-15

申请号：DE102011101035

申请日：2011-05-10

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： AHRENS CARSTEN ,  SCHUDERER BERTHOLD ,  WILLKOFER STEFAN

IPC: H01L21/283 ,  H01L21/308 ,  H01L21/762

Abstract: Bei einem Verfahren zur Herstellung eines Anschlussgebiets an einer Seitenwand eines Halbleiterkörpers wird ein Halbleiterkörper bereitgestellt. An einer ersten Oberfläche des Halbleiterkörpers wird mindestens ein erster Graben in den Halbleiterkörper hinein erzeugt. An den Seitenwänden und am Boden des ersten Grabens wird eine Isolationsschicht ausgebildet, wobei der erste Graben nur teilweise verfüllt wird. Der unverfüllte Teil des ersten Grabens wird mit einem elektrisch leitfähigen Material verfüllt. Entlang des ersten Grabens wird ein Trenngraben derart erzeugt, dass eine Seitenwand des Trenngrabens an den ersten Graben unmittelbar angrenzt. Der an den Trenngraben angrenzende Teil der Isolationsschicht wird zumindest teilweise entfernt, so dass zumindest ein Teil des elektrisch leitfähigen Materials in dem ersten Graben frei liegt.