公开(公告)号：DE102015111085A1

公开(公告)日：2016-01-14

申请号：DE102015111085

申请日：2015-07-09

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KIEP ANDREAS ,  RUETHING HOLGER ,  WOLTER FRANK

IPC: G01K7/01 ,  H01L27/06 ,  H01L29/86

Abstract: Ein Halbleiter-Die enthält ein diskretes Halbleiterbauelement und wenigstens eine Diode. Die Temperatur des diskreten Halbleiterbauelements wird bestimmt durch Messen eines ersten Durchlassspannungsabfalls der wenigstens einen Diode unter einer ersten Testbedingung, Messen eines zweiten Durchlassspannungsabfalls der wenigstens einen Diode unter einer zweiten Testbedingung und Schätzen der Temperatur des diskreten Halbleiterbauelements auf der Basis der Differenz zwischen der ersten und zweiten Durchlassspannungsabfallmessung.

公开(公告)号：DE102015108412A1

公开(公告)日：2015-12-03

申请号：DE102015108412

申请日：2015-05-28

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KIEP ANDREAS ,  STRASSER ANDREAS ,  WILLKOFER STEFAN

IPC: H01L29/86 ,  G01K7/01 ,  G01K7/16 ,  H01L23/62 ,  H01L27/06

Abstract: Ein integrierter Temperatursensor umfasst eine Sperrschicht, die mindestens zwei leitende Elemente verbindet, wobei die Sperrschicht einen positiven Temperaturkoeffizienten aufweist.

公开(公告)号：DE10232640B4

公开(公告)日：2004-05-19

申请号：DE10232640

申请日：2002-07-18

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KIEP ANDREAS ,  HESENER ALFRED

IPC: H02M3/155 ,  H03K17/00 ,  H03K17/0412 ,  H03K17/04 ,  H03K17/687 ,  H03K17/695

公开(公告)号：DE102015109528B4

公开(公告)日：2022-11-10

申请号：DE102015109528

申请日：2015-06-15

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KIEP ANDREAS ,  WILLKOFER STEFAN ,  SCHULZE HANS-JOACHIM

IPC: H01L29/423 ,  H01L25/07

Abstract: Diskreter Halbleitertransistor, umfassend:einen Gatewiderstand (105), der elektrisch zwischen einem Gateanschluss (110) und einem Gateelektrodenanschluss (111) des diskreten Halbleitertransistors (100) gekoppelt ist, wobei:ein Widerstandswert R des Gatewiderstandes (105) bei einer Temperatur von -40°C größer ist als bei der Temperatur von 150°C, und der Gatewiderstand (105) eine Parallelverbindung von einer Vielzahl von Gate-Unterwiderständen (1055, 1056, 1057) ist, wobei jeder Gate-Unterwiderstand elektrisch mit einer verschiedenen Gruppe von Transistorzellen des diskreten Halbleitertransistors (100) gekoppelt ist, und ein Widerstandswert von wenigstens zwei der Gate-Unterwiderstände verschieden ist, um einer ungleichmäßigen Temperaturverteilung über einem Chipgebiet während eines Transistorbetriebs entgegenzuwirken.

公开(公告)号：DE102020118987A1

公开(公告)日：2022-01-20

申请号：DE102020118987

申请日：2020-07-17

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KIEP ANDREAS ,  HUCHZERMEIER JOHANNES

IPC: B60T17/18 ,  B60R16/03 ,  B60T13/66 ,  B60T13/74 ,  B60T17/22

Abstract: Des Weiteren wird eine lokale Steuereinheit für eine Bremsanlage beschrieben. Die Steuereinheit dient der Ansteuerung einer elektromechanischen Bremse der Bremsanlage eines Rades und weißt gemäß einem Ausführungsbeispiel einen ersten Anschluss für eine Hauptenergieversorgung und einen zweiten Anschluss für einen mit dem Rad gekoppelten Generator auf, der eine Ersatz-Energieversorgung für die Steuereinheit bereitstellt.

公开(公告)号：DE102015108410A1

公开(公告)日：2015-12-03

申请号：DE102015108410

申请日：2015-05-28

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KIEP ANDREAS ,  WILLKOFER STEFAN

IPC: H01L23/62 ,  H01L27/06 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: Ein Beispiel betrifft eine Schaltung, die ein elektronisches Schaltelement und ein Temperaturkompensationselement, das in der Nähe des elektronischen Schaltelements angeordnet ist, umfasst.

公开(公告)号：DE102015109528A1

公开(公告)日：2015-12-17

申请号：DE102015109528

申请日：2015-06-15

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KIEP ANDREAS ,  WILLKOFER STEFAN ,  SCHULZE HANS-JOACHIM

IPC: H01L29/423 ,  H01L25/07

Abstract: Ein diskreter Halbleitertransistor (100) umfasst einen Gatewiderstand (105), der elektrisch zwischen einem Gateelektrodenanschluss (111) und einer Gateelektrode (110) des diskreten Halbleitertransistors (100) gekoppelt ist. Ein Widerstandswert R des Gatewiderstandes (105) bei einer Temperatur von –40°C ist größer als bei der Temperatur von 150°C.

公开(公告)号：DE10316223B3

公开(公告)日：2004-09-09

申请号：DE10316223

申请日：2003-04-09

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KIEP ANDREAS

IPC: H03K17/06 ,  H03K17/18 ,  H03K17/687

Abstract: A square-wave is fed to the first terminal (IN) of the circuit. The input is fed to a drive switching circuit (10) which is connected to earth (GND) and the source (S) of the MOSFET (T). The drive switching circuit is also connected to a current monitor circuit (20) which in turn is sends a current (Ig) to the gate (G) of the MOSFET. The drive switching circuit also sends a current measurement signal (S1) to the evaluation circuit (30) which produces a transistor state signal (ST). The drain (D) of the MOSFET is connected to a power supply voltage (Vcc) via a load resistor (Last).

公开(公告)号：DE10103144A1

公开(公告)日：2002-08-01

申请号：DE10103144

申请日：2001-01-24

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： FELDTKELLER MARTIN ,  KIEP ANDREAS

IPC: H01L23/495 ,  H02M1/00 ,  H02M7/5387

Abstract: A half-bridge circuit includes: a vertically designed n-conducting first MOS transistor that is integrated in a first semiconductor body having a front side and a rear side; and a vertically designed p-conducting second MOS transistor that is integrated in a second semiconductor body having a front side and a rear side. The first and second transistors are connected in series between a first connection terminal and a second connection terminal. The half-bridge circuit also includes a drive circuit for driving the first and second transistors. The first and second transistors are applied to a common connection plate.

公开(公告)号：DE102014008894B4

公开(公告)日：2019-05-02

申请号：DE102014008894

申请日：2014-06-12

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： WILLKOFER STEFAN ,  KIEP ANDREAS

IPC: H01L23/62 ,  H01L27/06 ,  H01L29/739 ,  H03K17/567

Abstract: Vorrichtung, umfassend- einen High-Side-Halbleiter (Q1),- einen Low-Side-Halbleiter (Q2),- ein erstes Erfassungselement (TS1), das angrenzend an dem High-Side-Halbleiter (Q1) angeordnet ist, wobei das erste Erfassungselement (TS1) von dem High-Side-Halbleiter (Q1) isoliert ist;- ein zweites Erfassungselement (TS2), das angrenzend an dem Low-Side-Halbleiter (Q2) angeordnet ist,- wobei das erste Erfassungselement (TS1) mit einer Verarbeitungseinheit (101) direkt verbunden ist,- wobei das zweite Erfassungselement (TS2) von dem Low-Side-Halbleiter (Q2) isoliert ist und- wobei das zweite Erfassungselement (TS2) mit der Verarbeitungseinheit (101) direkt verbunden ist,- wobei das erste Erfassungselement (TS1) und das zweite Erfassungselement (TS2) über mindestens eine laterale Isolation (202) und über mindestens eine vertikale Isolation (203) von dem High-Side-Halbleiter (Q1) und von dem Low-Side-Halbleiter (Q2) isoliert sind,- wobei die vertikale Isolation (203) eine Isolation im Bereich von 1,5 µm bis 2 µm umfasst.