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公开(公告)号：CN1992293A
公开(公告)日：2007-07-04
申请号：CN200610168254.X
申请日：2006-12-28
Applicant: LG.菲利浦LCD株式会社
IPC: H01L27/12 , H01L23/522 , H01L21/84 , H01L21/768 , G02F1/1362
CPC classification number: H01L27/12 , G02F1/134363 , G02F1/13439 , G02F1/1362 , G02F1/136213 , G02F1/136227 , G02F2001/136231 , G02F2201/124 , H01L27/124 , H01L27/1288
Abstract: 本发明公开了一种薄膜晶体管阵列基板及其制造方法。具体地，采用减少数量的掩模形成薄膜晶体管阵列。该薄膜晶体管阵列基板包括：彼此交叉以限定基板上的像素区域的栅线和数据线；与每一个一条栅线和一条数据线的交叉点相邻设置的多个薄膜晶体管，每个薄膜晶体管包括从栅线伸出的栅极、从数据线伸出的源极和与该源极相邻的漏极；在所述像素区域上的多个像素电极，所述像素电极与该漏极相邻；以及与一条数据线相邻的多个透明电极图案，其中所述源极从该数据线伸出。
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公开(公告)号：CN1963602A
公开(公告)日：2007-05-16
申请号：CN200610087272.5
申请日：2006-06-14
Applicant: LG.菲利浦LCD株式会社
CPC classification number: H01L21/823814 , G02F1/13454 , G02F1/136213 , G02F1/136227 , G02F1/1368 , G02F2001/136218 , G02F2001/13629 , G02F2202/104
Abstract: 液晶显示器件包括在基板非显示区域中的p－型驱动薄膜晶体管和n－型驱动薄膜晶体管。该p－型驱动薄膜晶体管包括第一多晶硅半导体图案、第一栅极、第一源极和第一漏极。该n－型驱动薄膜晶体管包括第二多晶硅半导体图案、第二栅极、第二源极和第二漏极。液晶显示器件进一步包括在基板显示区域中彼此交叉确定像素区域的栅线和数据线、和与栅线和数据线连接的像素驱动薄膜晶体管。该像素薄膜晶体管包括第三多晶硅半导体图案、第三栅极、第三源极和第三漏极。液晶显示器件进一步包括覆盖并直接接触第三漏极的像素电极、覆盖并直接接触第一源极和第一漏极、第二源极和第二漏极每一个的遮光图案、和覆盖并直接接触数据线和第三源极的遮光线。
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公开(公告)号：CN1734334A
公开(公告)日：2006-02-15
申请号：CN200510077764.1
申请日：2005-06-24
Applicant: LG.菲利浦LCD株式会社
IPC: G02F1/136 , G02F1/133 , H01L21/027 , G03F7/20
CPC classification number: G02F1/136227 , G02F2001/136231 , G02F2202/104 , H01L27/124 , H01L27/1288
Abstract: 本发明涉及一种制造LCD器件的方法，包括提供第一和第二基板；在第一基板上形成具有源区、漏区及沟道区的有源层；第一和第二绝缘层；第一和第二导电层；形成暴露源区和漏区的接触孔；在第一基板上形成第三导电层；暴露第二导电层，形成通过接触孔与源区和漏区电性连接的源极和漏极；及在第一和第二基板之间形成液晶层。
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公开(公告)号：CN1637548A
公开(公告)日：2005-07-13
申请号：CN200410090892.5
申请日：2004-11-16
Applicant: LG.菲利浦LCD株式会社
CPC classification number: G02F1/13454 , G02F1/133555 , G02F1/136213 , G02F2001/136231 , H01L27/1255 , H01L27/1288 , H01L29/78621
Abstract: 本发明公开了一种CMOS－TFT阵列基板及其制造方法，用低掩模技术减少掩模的使用次数，其包括一基板，该基板包括具有多个像素区的有源区和用于驱动有源区的驱动电路区，各像素区具有透射部分和反射部分；在像素区内形成的具有第一源极/漏极区的第一半导体层；在驱动电路区内形成的具有第二源极/漏极区的第二半导体层；在包括第一和第二半导体层的基板的整个表面上的栅极绝缘层；位于第一和第二半导体层上方的栅极绝缘层上的第一和第二栅极；像素区内的存储电极；在基板的整个表面上的绝缘中间层；在透射部分的绝缘中间层上的透射电极；在包括透射电极的基板的整个表面上的钝化层；在反射部分的钝化层上的反射电极；接触到第一和第二源极/漏极区的第一和第二源极/漏极；以及位于该基板与另一相对基板之间的液晶层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100364105C
公开(公告)日：2008-01-23
申请号：CN02140533.6
申请日：2002-06-28
Applicant: LG.菲利浦LCD株式会社
CPC classification number: H01L27/3244 , H01L27/3248
Abstract: 在一种多层结构的有机EL器件中，在一个缓冲层上形成一个栅极绝缘层。在栅极绝缘层上形成第一绝缘层。在第一绝缘层上形成一个阳极。在阳极上依次形成具有共同的开口部的第二和第三绝缘层。通过开口部将一个有机EL层和一个阴极连接到阳极。阳极通过一个阳极接触孔连接到一个TFT的漏极，并且用第三绝缘层将TFT与有机EL层隔离。
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公开(公告)号：CN1963614A
公开(公告)日：2007-05-16
申请号：CN200610087271.0
申请日：2006-06-14
Applicant: LG.菲利浦LCD株式会社
IPC: G02F1/1333 , G02F1/136 , G03F7/20 , H01L29/786
CPC classification number: H01L27/1288 , G02F1/13454 , G02F1/136213 , H01L27/1255
Abstract: 本发明公开了一种液晶显示器件的阵列基板及其制造方法。所述阵列基板包括：确定显示区域和非显示区域的基板；在非显示区域中的n－型驱动薄膜晶体管和p－型驱动薄膜晶体管；在显示区域中的开关薄膜晶体管；在显示区域中的存储电容器，该存储电容器包括以中间夹入层间绝缘层的方式顺序层叠的第一到第三存储电极，其中第一存储层与与第一存储层下方的第一半导体层接触；以及显示区域中的像素电极，该像素电极与开关薄膜晶体管相连。
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公开(公告)号：CN1746755A
公开(公告)日：2006-03-15
申请号：CN200510079951.3
申请日：2005-06-27
Applicant: LG.菲利浦LCD株式会社
IPC: G02F1/136 , G02F1/133 , H01L21/027
CPC classification number: G02F1/136227 , G02F1/136213 , H01L27/14621
Abstract: 一种制造液晶显示装置的方法包括：提供第一和第二基板；在第一基板上形成有源层，其中所述有源层包括源区、漏区、沟道区和存储区；在第一基板上形成第一绝缘层；在第一基板上形成栅极、栅线、像素电极和存储线；基中存储线与存储区交迭；在第一基板上形成第二绝缘层；形成贯穿第一和第二绝缘层的第一和第二接触孔，其中第一和第二接触孔暴露各个源区和漏区；形成贯穿第二绝缘层的像素孔，其中像素孔暴露像素电极；形成源极和漏极，所述源极通过第一接触孔与源区电连接，所述漏极通过第二接触孔与漏区电连接；和在第一及第二基板之间形成液晶层。
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公开(公告)号：CN1637474A
公开(公告)日：2005-07-13
申请号：CN200410062544.7
申请日：2004-06-30
Applicant: LG.菲利浦LCD株式会社
IPC: G02F1/133
CPC classification number: G02F1/136213 , G02F1/136277 , G02F1/136286 , G02F2001/136231
Abstract: 液晶显示器件及其制造方法。一种液晶显示器件以及具有数量减少的掩模和简化的制造工艺的制造方法。该方法包括：提供一基板；在该基板上形成有源图案；在该基板上形成第一绝缘层；在该基板上形成栅极和像素电极；在该基板上形成设置有接触孔的第二绝缘层；以及形成通过该接触孔分别连接到源区和漏区的源极和漏极。
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公开(公告)号：CN100399174C
公开(公告)日：2008-07-02
申请号：CN200510082261.3
申请日：2005-06-30
Applicant: LG.菲利浦LCD株式会社
CPC classification number: H01L27/124 , G02F1/1345 , G02F1/13458 , H01L27/12 , H01L27/1214 , H01L27/13
Abstract: 公开了一种多晶硅液晶显示器件的薄膜晶体管基板及其简化制造方法。根据本发明的液晶显示器件包括与薄膜晶体管相连的选通线和数据线；与选通线相连的选通焊盘和与数据线相连的数据焊盘，所述数据焊盘与选通焊盘具有相同的剖面结构；以及从数据焊盘延伸出来的数据连接部，并且经由第一接触孔与数据线相连，其中所述数据线和所述第一接触孔被形成在由密封剂密封的区域内。
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