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公开(公告)号：CN100340911C
公开(公告)日：2007-10-03
申请号：CN200410046199.8
申请日：2004-06-02
Applicant: LG.菲利浦LCD株式会社
CPC classification number: H01L29/66757 , H01L27/1285 , H01L29/78603 , H01L29/78675
Abstract: 用于液晶(LCD)显示器的阵列基板的制造方法，包括：在具有显示区和包围显示区的非显示区的基板上形成对准键；对准键上形成非晶硅层；用对准键作基准，结晶非晶硅层的预定部分；用对准键作基准，对非晶硅层进行构图，形成多晶硅层，其中，多晶硅层用非晶硅层的预定部分形成；在半导体层上形成栅绝缘层；用对准键作基准，在栅绝缘层上形成栅极；在栅极上形成隔层绝缘层和在隔层绝缘层上形成源极和漏极。
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公开(公告)号：CN1637548A
公开(公告)日：2005-07-13
申请号：CN200410090892.5
申请日：2004-11-16
Applicant: LG.菲利浦LCD株式会社
CPC classification number: G02F1/13454 , G02F1/133555 , G02F1/136213 , G02F2001/136231 , H01L27/1255 , H01L27/1288 , H01L29/78621
Abstract: 本发明公开了一种CMOS－TFT阵列基板及其制造方法，用低掩模技术减少掩模的使用次数，其包括一基板，该基板包括具有多个像素区的有源区和用于驱动有源区的驱动电路区，各像素区具有透射部分和反射部分；在像素区内形成的具有第一源极/漏极区的第一半导体层；在驱动电路区内形成的具有第二源极/漏极区的第二半导体层；在包括第一和第二半导体层的基板的整个表面上的栅极绝缘层；位于第一和第二半导体层上方的栅极绝缘层上的第一和第二栅极；像素区内的存储电极；在基板的整个表面上的绝缘中间层；在透射部分的绝缘中间层上的透射电极；在包括透射电极的基板的整个表面上的钝化层；在反射部分的钝化层上的反射电极；接触到第一和第二源极/漏极区的第一和第二源极/漏极；以及位于该基板与另一相对基板之间的液晶层。
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公开(公告)号：CN1577011A
公开(公告)日：2005-02-09
申请号：CN200410046199.8
申请日：2004-06-02
Applicant: LG.菲利浦LCD株式会社
CPC classification number: H01L29/66757 , H01L27/1285 , H01L29/78603 , H01L29/78675
Abstract: 用于液晶(LCD)显示器的阵列基板的制造方法，包括：在具有显示区和包围显示区的非显示区的基板上形成对准键；对准键上形成非晶硅层；用对准键作基准，结晶非晶硅层的预定部分；用对准键作基准，对非晶硅层进行构图，形成多晶硅层，其中，多晶硅层用非晶硅层的预定部分形成；在半导体层上形成栅绝缘层；用对准键作基准，在栅绝缘层上形成栅极；在栅极上形成隔层绝缘层和在隔层绝缘层上形成源极和漏极。
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公开(公告)号：CN1637474A
公开(公告)日：2005-07-13
申请号：CN200410062544.7
申请日：2004-06-30
Applicant: LG.菲利浦LCD株式会社
IPC: G02F1/133
CPC classification number: G02F1/136213 , G02F1/136277 , G02F1/136286 , G02F2001/136231
Abstract: 液晶显示器件及其制造方法。一种液晶显示器件以及具有数量减少的掩模和简化的制造工艺的制造方法。该方法包括：提供一基板；在该基板上形成有源图案；在该基板上形成第一绝缘层；在该基板上形成栅极和像素电极；在该基板上形成设置有接触孔的第二绝缘层；以及形成通过该接触孔分别连接到源区和漏区的源极和漏极。
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