公开(公告)号：DE102008025755A1

公开(公告)日：2009-12-03

申请号：DE102008025755

申请日：2008-05-29

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： RIEGEL NINA ,  DOBBERTIN THOMAS

IPC: H01L51/50 ,  H01L27/28 ,  H05B44/00

Abstract: In at least one embodiment of the organic light-emitting component (10), the latter comprises a unipolar charge carrier balder layer (3), a first layer (1) and a second layer (2) which are applied to opposing sides of the charge carrier barrier layer (3) and are in each case formed of at least one organic material, and two ambipolar injection layers (4), which are applied to the sides of the first (1) and second layers (2) remote from the charge carrier barrier layer (3). Such an organic, light-emitting component (10) may be operated efficiently with alternating current.

公开(公告)号：DE102007059887A1

公开(公告)日：2009-04-09

申请号：DE102007059887

申请日：2007-12-12

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： KANITZ ANDREAS ,  SCHMID GUENTER ,  HUNZE ARVID ,  GOEOETZ BRITTA ,  DOBBERTIN THOMAS ,  MALM NORWIN VON ,  JAEGER ARNDT

IPC: H01L51/52 ,  C09K11/06 ,  H01L51/54 ,  H01L51/56

Abstract: Light-emitting organic component comprises: a first charge carrier injection layer (2, 9) and a second charge carrier injection layer and a light emitting layer (6) arranged between them; and a first charge carrier transport layer (4), which is arranged between the first charge carrier injection layer and the light emitting layer, and contains a matrix made of a first material and a charge carrier donor embedded in it, for increasing the charge carrier density. An independent claim is included for production of the organic component, comprising: either providing a cathode, applying a layer, exhibiting an intercalation compound made of a matrix with a charge carrier donor embedded on it, applying an electron transport layer on the layer and producing a further layer for manufacturing the organic component, under preferably a light emitting layer; or providing an anode, applying a hole transport layer on the anode, applying a light emitting layer on the hole transport layer, applying a hole blocking layer on the light emitting layer and an electron transport layer, applying a layer exhibiting an intercalation compound and applying a cathode on the layer.

公开(公告)号：DE102007024152A1

公开(公告)日：2008-10-23

申请号：DE102007024152

申请日：2007-05-24

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： DOBBERTIN THOMAS ,  KLEIN MARKUS

IPC: H01L51/30 ,  H01L51/40

公开(公告)号：DE102011086277A1

公开(公告)日：2013-05-16

申请号：DE102011086277

申请日：2011-11-14

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： DOBBERTIN THOMAS ,  REUSCH THILO ,  SETZ DANIEL STEFFEN

IPC: H01L51/54 ,  H01L51/52

Abstract: Es wird ein organisches Licht emittierendes Bauelement angegeben, das ein transluzentes Substrat (1), auf dem eine optische Auskoppelschicht (2) aufgebracht ist, eine transluzente Elektrode (3) auf der Auskoppelschicht (2), einen organischen funktionellen Schichtenstapel mit organischen funktionellen Schichten aufweisend eine erste organische Licht emittierende Schicht (51) auf der transluzenten Elektrode (3) und eine zweite organische Licht emittierende Schicht (52) auf der ersten organischen Licht emittierenden Schicht (51) und darüber eine reflektierende Elektrode (7) aufweist, wobei die erste organische Licht emittierende Schicht (51) beliebig angeordnete Emittermoleküle aufweist und wobei die zweite organische Licht emittierende Schicht (52) Emittermoleküle mit einer anisotropen Molekülstruktur aufweist, die anisotrop ausgerichtet sind.

公开(公告)号：DE102011086255A1

公开(公告)日：2013-05-16

申请号：DE102011086255

申请日：2011-11-14

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： DOBBERTIN THOMAS ,  REUSCH THILO ,  SETZ DANIEL STEFFEN

IPC: H01L51/52

Abstract: Es wird ein organisches Licht emittierendes Bauelement angegeben, das ein Substrat (1) aufweist, auf dem eine optische Auskoppelschicht (2), eine transluzente Elektrode (3) auf der Auskoppelschicht (2), eine organische Löcher leitende Schicht (4) oder eine organische Elektronen leitende Schicht (6) auf der transluzenten Elektrode (3), eine organische Licht emittierende Schicht (5) auf dieser, eine organische Elektronen leitende Schicht (6) oder eine organische Löcher leitende Schicht (4) auf der organischen Licht emittierenden Schicht und eine reflektierende Elektrode (7) aufgebracht sind, wobei die organische Licht emittierende Schicht (5) einen Abstand von größer oder gleich 150 nm zur reflektierenden Elektrode (7) aufweist.

公开(公告)号：DE102009024411A1

公开(公告)日：2010-09-30

申请号：DE102009024411

申请日：2009-06-09

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： BECKER DIRK ,  DOBBERTIN THOMAS ,  LANG ERWIN ,  REUSCH THILO

IPC: H01L51/10 ,  H01L21/56 ,  H01L23/06

Abstract: Es wird eine Dünnschichtverkapselung (1) für ein optoelektronisches Bauelement offenbart. Die Dünnschichtverkapselung (1) weist eine Schichtenfolge (2) auf, die folgende Schichten umfasst: - eine erste mittels Atomlagenabscheidung abgeschiedene ALD-Schicht (3), und - eine zweite mittels Atomlagenabscheidung abgeschiedene ALD-Schicht (4). Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung der Dünnschichtverkapselung und ein optoelektronisches Bauelement mit einer solchen Dünnschichtverkapselung beschrieben.

公开(公告)号：DE102008023874A1

公开(公告)日：2009-08-27

申请号：DE102008023874

申请日：2008-05-16

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： LANG ERWIN ,  KLEIN MARKUS ,  WITTMANN MARTIN ,  BECKER DIRK ,  DOBBERTIN THOMAS ,  JAEGER ARNDT ,  DIEKMANN KARSTEN

IPC: H01L51/50 ,  G09F13/22 ,  H01L27/32

Abstract: A radiation-emitting arrangement comprises, in particular, a carrier element (1) having an at least partly non-transparent main surface (10) and arranged on the carrier element (1), an organic radiation-emitting component (2) having an organic layer sequence (23) with an active region between an at least partly transparent first electrode (21) and an at least partly transparent second electrode (22). The active region (29) is suitable for generating electromagnetic radiation (91, 93) in a switched-on operating state. The radiation-emitting arrangement has a radiation exit area (3) for emitting the electromagnetic radiation (92, 93) on that side of the organic radiation-emitting component (2) which faces away from the carrier element. (1) The at least partly non-transparent main surface (10) of the carrier element (1) is perceptible by an external observer through the radiation exit area (3) in a switched-off operating state of the organic radiation-emitting component (2).

公开(公告)号：DE102008010031A1

公开(公告)日：2009-04-02

申请号：DE102008010031

申请日：2008-02-20

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： KLEIN MARKUS ,  GOEOETZ BRITTA ,  DOBBERTIN THOMAS ,  HEUSER KARSTEN ,  KANITZ ANDREAS ,  SCHMID GUENTER ,  HUNZE ARVID

IPC: H01L51/52 ,  B82B1/00 ,  H01L51/56

Abstract: The device has a charge injection layer (30) provided on an electrode (20). An organic functional layer (40) is provided on the injection layer. Another electrode is provided on the functional layer. The injection layer is provided with organic nanostructures that include a preferred direction. The nanostructures are provided with carbon nano-tubes (35) that are arranged transverse to the electrodes and the functional layer. The carbon nano-tubes are arranged perpendicular to the electrodes, the injection layer and the functional layer, where one of the electrodes is composed of metals (25). An independent claim is also included for a method for production of a radiation-emitting device.

公开(公告)号：DE102012200084A1

公开(公告)日：2013-07-04

申请号：DE102012200084

申请日：2012-01-04

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： DOBBERTIN THOMAS ,  REUSCH THILO ,  RIEGEL NINA ,  SETZ DANIEL STEFFEN ,  WEHLUS THOMAS

IPC: H01L51/52 ,  H01L51/56

Abstract: Es wird ein strahlungsemittierendes, organisches Bauteil angegeben, mit – einem strahlungsdurchlässigen Trägerkörper (1) mit einer ersten Oberfläche (1a) an einer Oberseite des Trägerkörpers (1), – einer strahlungsdurchlässigen, strukturierten Schicht (2), die an der ersten Oberfläche (1a) angeordnet ist und diese zumindest stellenweise bedeckt, – einer strahlungsdurchlässigen ersten Elektrode (3), die an der dem Trägerkörper (1) abgewandten Seite der strukturierten Schicht (2) angeordnet ist, – einem Schichtenstapel (10), der an der der strukturierten Schicht (2) abgewandten Seite der ersten Elektrode (3) angeordnet ist und einen organischen aktiven Bereich (10a) umfasst, und – einer zweiten Elektrode (6), wobei – der aktive Bereich (10a) über die erste Elektrode (3) und die zweite Elektrode (6) elektrisch kontaktierbar ist, – die strukturierte Schicht (2) vom strahlungsdurchlässigen Trägerkörper (1) verschieden ist, und – die strukturierte Schicht (2) Strukturen (2a) umfasst, die zur Brechung und/oder Streuung von im Betrieb im aktiven Bereich (10) erzeugter elektromagnetischer Strahlung vorgesehen sind.

公开(公告)号：DE102011086805A1

公开(公告)日：2013-05-23

申请号：DE102011086805

申请日：2011-11-22

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： REUSCH THILO ,  SETZ DANIEL STEFFEN ,  DOBBERTIN THOMAS

IPC: H01L51/52 ,  H01L51/05 ,  H01L51/56

Abstract: Es wird ein strahlungsemittierendes, organisches Bauteil angegeben, mit – einem strahlungsdurchlässigen Trägerkörper (1), dessen Außenfläche einen rauen Bereich (1a) mit einer ersten mittleren Rauheit aufweist, – einer strahlungsdurchlässigen Zwischenschicht (2), die direkt auf den rauen Bereich (1a) aufgebracht ist und diesen zumindest stellenweise bedeckt, – einer strahlungsdurchlässigen ersten Elektrode (3), die an der dem Trägerkörper (1) abgewandten Seite der Zwischenschicht (2) angeordnet ist, – einem Schichtenstapel (4, 5), der an der der Zwischenschicht (2) abgewandten Seite der ersten Elektrode (3) angeordnet ist und einen organischen aktiven Bereich (10) umfasst, und – einer zweiten Elektrode (6), wobei – der aktive Bereich (10) über die erste Elektrode (3) und die zweite Elektrode (6) elektrisch kontaktierbar ist, und – die Zwischenschicht (2) einen optischen Brechungsindex aufweist, der wenigstens so groß ist wie ein mittlerer optischer Berechungsindex des Schichtenstapel (4, 5), und – die Zwischenschicht (2) einen optischen Brechungsindex aufweist, der größer ist als ein optischer Brechungsindex des Trägerkörpers.