公开(公告)号：JP2006108675A

公开(公告)日：2006-04-20

申请号：JP2005288041

申请日：2005-09-30

Applicant: Osram Opto Semiconductors Gmbh ,  オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH

Inventor： JAEGER ARNDT ,  STAUSS PETER

IPC: H01L31/10

CPC classification number: H01L31/1013 ,  G01J3/513 ,  G01J2003/516 ,  H01L31/02162 ,  H01L31/03046 ,  Y02E10/544

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an efficient and small-sized beam detector of a small required area which can be easily manufactured at a low cost for sensing a beam present in a visible spectrum region. SOLUTION: A signal formed in a first sensing element is taken out separately from a signal formed in a second sensing element, the first sensing element is partially permeative in a visible beam, and the visible beam which has permeated the first sensing element forms a signal in the second sensing element. COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种小的要求区域的有效和小尺寸的光束检测器，其可以以低成本容易地制造用于感测存在于可见光谱区域中的光束。 解决方案：形成在第一感测元件中的信号与形成在第二感测元件中的信号分离地取出，第一感测元件部分地透过可见光束，并且已经渗透到第一感测元件的可见光束 在第二感测元件中形成信号。 版权所有（C）2006，JPO＆NCIPI

公开(公告)号：DE102007059887A1

公开(公告)日：2009-04-09

申请号：DE102007059887

申请日：2007-12-12

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： KANITZ ANDREAS ,  SCHMID GUENTER ,  HUNZE ARVID ,  GOEOETZ BRITTA ,  DOBBERTIN THOMAS ,  MALM NORWIN VON ,  JAEGER ARNDT

IPC: H01L51/52 ,  C09K11/06 ,  H01L51/54 ,  H01L51/56

Abstract: Light-emitting organic component comprises: a first charge carrier injection layer (2, 9) and a second charge carrier injection layer and a light emitting layer (6) arranged between them; and a first charge carrier transport layer (4), which is arranged between the first charge carrier injection layer and the light emitting layer, and contains a matrix made of a first material and a charge carrier donor embedded in it, for increasing the charge carrier density. An independent claim is included for production of the organic component, comprising: either providing a cathode, applying a layer, exhibiting an intercalation compound made of a matrix with a charge carrier donor embedded on it, applying an electron transport layer on the layer and producing a further layer for manufacturing the organic component, under preferably a light emitting layer; or providing an anode, applying a hole transport layer on the anode, applying a light emitting layer on the hole transport layer, applying a hole blocking layer on the light emitting layer and an electron transport layer, applying a layer exhibiting an intercalation compound and applying a cathode on the layer.

公开(公告)号：DE102007012115A1

公开(公告)日：2008-06-05

申请号：DE102007012115

申请日：2007-03-13

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： JAEGER ARNDT ,  STREUBEL KLAUS ,  STAUS PETER ,  KUHLMANN WERNER

IPC: G01J1/42 ,  G01J3/46 ,  H01L31/02

Abstract: A radiation detector is disclosed with a detector arrangement, which has a plurality of detector elements, by means of which a detector signal is obtained during operation of the radiation detector, and with a control device, wherein the detector elements each have a spectral sensitivity distribution, and are suited for generating signals, at least one detector element comprises a compound semiconductor material, and this detector element is designed for detecting radiation in the visible spectral region, the radiation detector is designed such that the sensitivity distributions of the detector elements are used to form different spectral sensitivity channels of the radiation detector, a channel signal assigned to the respective sensitivity channel can be generated in these sensitivity channels using the detector elements, and the control device is designed such that the contributions of different channel signals to the detector signal of the radiation detector are differently controlled.

公开(公告)号：DE102006024218A1

公开(公告)日：2007-04-05

申请号：DE102006024218

申请日：2006-05-23

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HOMER ANTONIADIS ,  JAEGER ARNDT ,  HENSELER DEBORA ,  STAUS PETER

IPC: H01L31/103 ,  G01J1/42 ,  H01L31/0232

Abstract: The detector has an active region (4) provided for radiation detection and suitable for signal generation. The active region contains an organic semiconductor material. A filter region (3) is provided for radiation absorption, where the active and filter regions are arranged between a cathode (5) and an anode (2). The active region comprises two different function layers (4a, 4b), which exhibit optical band gaps that are different from each other. One of the function layers absorbs radiation in a wavelength region that comprises wavelengths greater than a mid-wavelength.

公开(公告)号：DE102012109209A1

公开(公告)日：2014-04-03

申请号：DE102012109209

申请日：2012-09-28

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： JAEGER ARNDT ,  SETZ DANIEL STEFFEN

IPC: H01L51/56 ,  G02B1/00 ,  G02B5/02 ,  G02F1/00 ,  H01L51/52

Abstract: In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements bereitgestellt. Das Verfahren kann aufweisen ein Ausbilden mindestens eines Bereichs (220) mit einem erhöhten Brechungsindex an mindestens einer vorgegebenen Position in einem Substrat (202) an einer Oberfläche des Substrats (202)(S4002, S4106) und ein Bilden einer Elektrodenschicht (204) auf oder über der Oberfläche des Substrats (202)(S4006, S4102).

公开(公告)号：DE102012204327A1

公开(公告)日：2013-09-19

申请号：DE102012204327

申请日：2012-03-19

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： DIEZ CAROLA ,  DOBBERTIN THOMAS ,  JAEGER ARNDT ,  NIEDERMEIER ULRICH ,  SCHMID GUENTER ,  SEIDEL STEFAN

IPC: H01L51/50 ,  C07D487/14 ,  C09B47/04 ,  H01L51/42

Abstract: In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird ein optoelektronisches Bauelement (100) bereitgestellt, aufweisend: eine erste organische funktionelle Schichtenstruktur (112); eine zweite organische funktionelle Schichtenstruktur (116); und eine Ladungsträger-Erzeugungs-Schichtenstruktur (114) zwischen der ersten organischen funktionellen Schichtenstruktur (112) und der zweiten organischen funktionellen Schichtenstruktur (116), wobei die Ladungsträger-Erzeugungs-Schichtenstruktur (114) eine lochleitende Ladungsträger-Erzeugungs-Schicht(306), eine elektronenleitende Ladungsträger-Erzeugungs-Schicht (302) und eine Diffusionsbarriere-Schichtstruktur (304) zwischen lochleitender Ladungsträger-Erzeugungs-Schicht (306) und elektronenleitender Ladungsträger-Erzeugungs-Schicht (302) aufweist und wobei die Diffusionsbarriere-Schichtstruktur (304) mindestens ein Phthalocyanin-Derivat aufweist.

公开(公告)号：DE102012203466A1

公开(公告)日：2013-09-12

申请号：DE102012203466

申请日：2012-03-06

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： JAEGER ARNDT ,  WEHLUS THOMAS

IPC: H01L51/52

Abstract: Es wird ein organisches Licht emittierendes Bauelement angegeben, mit – einer ersten Licht emittierenden Schichtenfolge (3), die dazu eingerichtet ist, im Betrieb des Bauelements Licht eines ersten Wellenlängenbereichs zu emittieren, – einer zweiten Licht emittierenden Schichtenfolge (5), die dazu eingerichtet ist, im Betrieb des Bauelements Licht eines zweiten Wellenlängenbereichs zu emittieren, und – einer Ladungsträger erzeugenden Schichtenfolge (4), die dazu eingerichtet ist, im Betrieb des Bauelements Ladungsträger an die erste Licht emittierende Schichtenfolge (3) und an die zweite Licht emittierende Schichtenfolge (4) abzugeben, wobei – der erste Wellenlängenbereich vom zweiten Wellenlängenbereich verschieden ist, – die Ladungsträger erzeugende Schichtenfolge (4) in einer Stapelrichtung (R) des organischen Licht emittierenden Bauelements zwischen der ersten Licht emittierenden Schichtenfolge (3) und der zweiten Licht emittierenden Schichtenfolge (5) angeordnet ist, und – die Ladungsträger erzeugende Schichtenfolge (4) in der Stapelrichtung (R) eine Dicke (d) von höchstens 50 nm aufweist.

公开(公告)号：DE102008049779A1

公开(公告)日：2010-04-01

申请号：DE102008049779

申请日：2008-09-30

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： JAEGER ARNDT

IPC: G02F1/13357 ,  G09F9/35

Abstract: The device has LEDs (2) arranged at two opposite side surfaces of a support body (1) i.e. glass panel. An electrode (3a) is arranged at a main surface (6) of the support electrode. A liquid crystal layer (4) is arranged on an electrode side that is turned away from the supporting body. Another electrode (3b) is arranged on a liquid crystal layer side that is turned away from the former electrode. The radiation emitted from the LEDs is supplied to the support body. The support body and the electrodes are partially radiation-permeable with respect to the radiation emitted from the LEDs. An independent claim is also included for a method for operating an optoelectronic device.

公开(公告)号：WO2015124636A3

公开(公告)日：2015-10-15

申请号：PCT/EP2015053430

申请日：2015-02-18

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： WEHLUS THOMAS ,  LANG ERWIN ,  BAISL RICHARD ,  RIEDEL DANIEL ,  JAEGER ARNDT ,  RAUSCH ANDREAS ,  SCHARNER SILKE

IPC: H01L51/52 ,  H01L27/30

CPC classification number: H01L51/5088 ,  B82Y20/00 ,  H01L27/302 ,  H01L51/0003 ,  H01L51/5012 ,  H01L51/5056 ,  H01L51/5072 ,  H01L51/5092 ,  H01L51/5206 ,  H01L51/5221 ,  H01L51/5237 ,  H01L51/5253 ,  H01L51/5259 ,  H01L51/5268 ,  H01L51/5278 ,  H01L51/56 ,  H01L2251/5369

Abstract: An organic optoelectronic component (1) is disclosed in examples of different embodiments. Said organic optoelectronic component (1) has a first electrode (20), an organic functional layer structure (22) above the first electrode, and a second electrode (23) above the organic functional layer structure (22). The organic functional layer structure (22) comprises a charge carrier pair-generating layer structure (42). The charge carrier pair-generating layer structure (42) comprises electrically conductive nanostructures, the surfaces of which are at least partially covered with a coating material.

Abstract translation: 在各种实施例中，有机光电部件（1）设置。 有机光电子器件（1）具有第一电极（20），在所述第一电极上的有机功能层结构（22）和在所述有机功能层结构（22）的第二电极（23）。 该有机功能层结构（22）具有一个Ladungsträgerpaar-产生层结构（42）。 所述Ladungsträgerpaar-产生层结构（42）是导电的纳米结构包括其表面被至少部分地涂覆有涂层材料。

公开(公告)号：WO2014049121A3

公开(公告)日：2014-08-07

申请号：PCT/EP2013070193

申请日：2013-09-27

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： JAEGER ARNDT ,  SETZ DANIEL STEFFEN

IPC: H01L51/52

CPC classification number: H01L51/5268 ,  H01L51/0096 ,  H01L51/5215 ,  H01L51/5237 ,  H01L51/5253 ,  H01L51/5275 ,  H01L51/56 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521

Abstract: In various exemplary embodiments, a method for producing an optoelectronic component is provided. The method can comprise forming of at least one region (220) having an increased refractive index at at least one predefined position in a substrate (202) at a surface of the substrate (202) (S4002, S4106) and forming an electrode layer (204) on or above the surface of the substrate (202) (S4006, S4102).

Abstract translation: 一种用于制造光电子器件和光电子器件在各个实施例的方法，提供了一种用于制造光电子器件的方法。 该方法可以包括在所述衬底（202）（S4002，S4106），的一个表面上的基板（202）在至少一个预定位置上的凸起折射率形成的至少一个区域（220）和上形成电极层（204）或 上面的基片（202）（S4006，S4102）的表面上。