公开(公告)号：JP2008270812A

公开(公告)日：2008-11-06

申请号：JP2008109118

申请日：2008-04-18

Applicant: Osram Opto Semiconductors Gmbh ,  オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH

Inventor： DOBBERTIN THOMAS ,  KLEIN MARKUS

IPC: H01L51/50 ,  H05B33/10

CPC classification number: H01L51/5234 ,  H01L51/5088 ,  H01L51/5092 ,  H01L51/5215 ,  H01L51/5265

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an organic optoelectronic element suitable for emitting electromagnetic radiation, and to provide a method for manufacturing the same.
SOLUTION: In the organic optoelectronic element and the method of manufacturing the same, the organic optoelectronic element includes a substrate, a first electrode on the substrate, at least an organic layer array formed on the first electrode adequate for emitting electromagnetic radiation in operation, a conductive inorganic passivation layer formed on at least one of the organic layer array, and a second electrode formed on the inorganic passivation layer, wherein at least one of the first electrode (2) and the second electrode (5) has a layer array (21,22,23) that includes a transparent oxide layer (21) and a transparent metal layer (22).
COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Abstract translation: 要解决的问题：提供适于发射电磁辐射的有机光电元件，并提供其制造方法。 在有机光电子元件及其制造方法中，有机光电子元件包括衬底，衬底上的第一电极，至少形成在第一电极上的有机层阵列，其足以发射电磁辐射 操作，形成在有机层阵列中的至少一个上的导电无机钝化层和形成在无机钝化层上的第二电极，其中第一电极（2）和第二电极（5）中的至少一个具有层 阵列（21,22,23），其包括透明氧化物层（21）和透明金属层（22）。 版权所有（C）2009，JPO＆INPIT

公开(公告)号：WO2012080267A3

公开(公告)日：2012-08-16

申请号：PCT/EP2011072632

申请日：2011-12-13

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  FRAUNHOFER GES FORSCHUNG ,  RIEGEL NINA ,  SETZ DANIEL STEFFEN ,  FRISCHEISEN JOERG ,  BRUETTING WOLFGANG ,  DOBBERTIN THOMAS ,  KRUMMACHER BENJAMIN CLAUS ,  FLAEMMICH MICHAEL ,  HEUSER KARSTEN ,  DANZ NORBERT

Inventor： RIEGEL NINA ,  SETZ DANIEL STEFFEN ,  FRISCHEISEN JOERG ,  BRUETTING WOLFGANG ,  DOBBERTIN THOMAS ,  KRUMMACHER BENJAMIN CLAUS ,  FLAEMMICH MICHAEL ,  HEUSER KARSTEN ,  DANZ NORBERT

IPC: H01L51/50 ,  H01L51/00 ,  H01L51/52

CPC classification number: H01L51/56 ,  H01L51/001 ,  H01L51/0012 ,  H01L51/0083 ,  H01L51/0085 ,  H01L51/5016 ,  H01L51/5293

Abstract: The invention relates to a method for producing a radiation-emitting organic-electronic device having a first and a second electrode layer and an emitter layer, comprising the following steps, and to a device produced by said method: A) providing a phosphorescent emitter having an anisotropic molecule structure and a matrix material, B) applying the first electrode layer to a substrate, C) applying the emitter layer under thermodynamic control, wherein the phosphorescent emitter and the matrix material are evaporated under vacuum and deposited on the first electrode layer such that an anisotropic orientation of the molecules of the phosphorescent emitter takes place, and D) applying the second electrode layer to the emitter layer. The detected relative intensity (14) of molecules of the phosphorescent emitter which have an anisotropic orientation, is depicted depending on the emission angle for p-polarized light of a wavelength of 610 nm. Especially for angles larger than 45° the detected relative intensity is identical to the simulated intensity distribution (13) for an emitter layer in which 60% of the emitter molecules are randomly distributed and 40% horizontally oriented dipoles are present (dotted line).

Abstract translation: A）提供磷光发射体具有各向异性的分子结构和基质材料，b）将所述第一：一种制造具有一个第一和一个第二电极层和设置有以下步骤，因此制备的器件的发射极层上的发射辐射的有机电子器件的方法 ，使得存在电极层的基板，C）将热力学控制下的发射极层，其中该磷光发射体和基体材料在真空中蒸发和沉积在第一电极层，该磷光发射体，D）将所述第二分子的各向异性取向上 所述发射极层上的电极层。 磷光发射体，其各向异性对准的分子的检测到的相对强度（14）被示出在波长为610nm的p偏振光出射角度的功能。 它是45°全等与模拟强度分布（13）是用于发射极层大，其中在角度willkürklich尤其分布和40％的水平定向的偶极子存在（虚线）的发光体分子的60％。

公开(公告)号：DE102012204327A1

公开(公告)日：2013-09-19

申请号：DE102012204327

申请日：2012-03-19

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： DIEZ CAROLA ,  DOBBERTIN THOMAS ,  JAEGER ARNDT ,  NIEDERMEIER ULRICH ,  SCHMID GUENTER ,  SEIDEL STEFAN

IPC: H01L51/50 ,  C07D487/14 ,  C09B47/04 ,  H01L51/42

Abstract: In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird ein optoelektronisches Bauelement (100) bereitgestellt, aufweisend: eine erste organische funktionelle Schichtenstruktur (112); eine zweite organische funktionelle Schichtenstruktur (116); und eine Ladungsträger-Erzeugungs-Schichtenstruktur (114) zwischen der ersten organischen funktionellen Schichtenstruktur (112) und der zweiten organischen funktionellen Schichtenstruktur (116), wobei die Ladungsträger-Erzeugungs-Schichtenstruktur (114) eine lochleitende Ladungsträger-Erzeugungs-Schicht(306), eine elektronenleitende Ladungsträger-Erzeugungs-Schicht (302) und eine Diffusionsbarriere-Schichtstruktur (304) zwischen lochleitender Ladungsträger-Erzeugungs-Schicht (306) und elektronenleitender Ladungsträger-Erzeugungs-Schicht (302) aufweist und wobei die Diffusionsbarriere-Schichtstruktur (304) mindestens ein Phthalocyanin-Derivat aufweist.

公开(公告)号：DE102012200302A1

公开(公告)日：2013-07-11

申请号：DE102012200302

申请日：2012-01-11

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： DOBBERTIN THOMAS ,  LANG ERWIN ,  ROSSBACH STEVEN

IPC: F21S8/06

Abstract: Es wird eine Leuchte (1) zur Allgemeinbeleuchtung angegeben, mit – einem Leuchtmittel (10), das eine erste Lichtabstrahlfläche (10a) und eine zweite Lichtabstrahlfläche (10b) aufweist, wobei – das Leuchtmittel (10) einen organischen, Licht erzeugenden Bereich (113) umfasst, – die erste Lichtabstrahlfläche (10a) und die zweite Lichtabstrahlfläche (10b) an zwei einander gegenüberliegenden Hauptflächen des Leuchtmittels (10) angeordnet sind, – an der ersten Lichtabstrahlfläche (10a) im Betrieb des Leuchtmittels (10) ein erstes Licht (21) austritt, – an der zweiten Lichtabstrahlfläche (10b) im Betrieb des Leuchtmittels (10) ein zweites Licht (22) austritt, – das erste Licht (21) und das zweite Licht (22) sich hinsichtlich der Farbe und/oder der Farbtemperatur voneinander unterscheiden, und – das erste Licht (21) und das zweite Licht (22) die Leuchte (1) in voneinander unterschiedliche Abstrahlrichtungen (A, B) verlassen.

公开(公告)号：DE102011079160A1

公开(公告)日：2013-01-17

申请号：DE102011079160

申请日：2011-07-14

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： BAISL RICHARD ,  BECKER DIRK ,  DOBBERTIN THOMAS ,  FISCHER DOREEN ,  KRUMMACHER BENJAMIN CLAUS ,  LANG ERWIN ,  SCHLENKER TILMAN ,  SCHMID CHRISTIAN

IPC: H01L51/52 ,  H01L51/56

Abstract: Eine Verkapselungsstruktur für ein optoelektronisches Bauelement weist auf: eine Dünnschichtverkapselung zum Schutz des optoelektronischen Bauelements vor chemischen Verunreinigungen, eine auf der Dünnschichtverkapselung ausgebildete Klebeschicht und eine auf der Klebeschicht ausgebildete Deckschicht zum Schutz der Dünnschichtverkapselung und/oder des optoelektronischen Bauelements vor mechanischer Beschädigung.

公开(公告)号：DE102009034822A1

公开(公告)日：2011-02-03

申请号：DE102009034822

申请日：2009-07-27

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： BECKER DIRK ,  DOBBERTIN THOMAS ,  REUSCH THILO ,  LANG ERWIN

IPC: H01L51/52

Abstract: Die vorliegende Erfindung betrifft ein elektronisches Bauelement (100), das ein Substrat (1), wenigstens eine auf dem Substrat (1) angeordnete, erste Elektrode (3) und auf der dem Substrat (1) zugewandten Seite der Elektrode (3) eine Aufwachsschicht (7), aufweist, wobei die auf der Aufwachsschicht (7) angeordnete Elektrode (3) eine Metallschicht (9) mit einer Dicke von kleiner oder gleich 30 nm aufweist und die Aufwachsschicht (7) eine Dicke besitzt, die kleiner oder gleich 10 nm ist. Die vorliegende Erfindung betrifft ferner einen elektrischen Kontakt.

公开(公告)号：DE102013013129A1

公开(公告)日：2015-02-12

申请号：DE102013013129

申请日：2013-08-07

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： REUSCH THILO ,  SETZ DR DANIEL STEFFEN ,  SCHMID GÜNTER ,  RIEGEL NINA ,  DOBBERTIN THOMAS

IPC: H01L51/52 ,  C07C211/54 ,  C07D209/86 ,  C08F20/06 ,  C08G65/02 ,  G02B1/00 ,  H01L51/56

Abstract: Die Erfindung betrifft ein optoelektronisches Bauelement umfassend zumindest eine organisch funktionelle Schicht mit einem aktiven Bereich der elektromagnetische Strahlung emittiert, einem Auskoppelelement, das im Strahlengang der emittierenden elektromagnetischen Strahlung angeordnet ist, wobei das Auskoppelelement ein Matrixmaterial und zumindest eine darin angeordnete separierte Phase oder eine Vielzahl von separierten Phasen umfasst die sich vom Matrixmaterial unterscheiden, wobei der Brechungsindex der separierten Phase kleiner als der Brechungsindex des Matrixmaterials ist und wobei durch die separierte Phase in dem Matrixmaterial eine Streuung der elektromagnetischen Strahlung in dem Auskoppelelement erzeugt wird.

公开(公告)号：DE102013104728A1

公开(公告)日：2014-11-13

申请号：DE102013104728

申请日：2013-05-07

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HORN MARKUS ,  ROZYNSKI ANDREAS ,  AUEN KARSTEN ,  HANEDER STEPHAN ,  DOBBERTIN THOMAS

IPC: H01S5/022 ,  H01S5/40

Abstract: Es wird eine Laserdiodenvorrichtung angegeben, umfassend – einen Träger (1) mit einer Trägeroberseite (11), – zumindest einen Laserdiodenchip (4), welcher an der Trägeroberseite (11) angeordnet ist, wobei der Laserdiodenchip (4) im Betrieb elektromagnetische Strahlung durch eine Abstrahlfläche (5) emittiert, wobei die Abstrahlfläche (5) senkrecht zur Trägeroberseite (11) verläuft, und – zumindest ein optisches Element (6), das die vom Laserdiodenchip (4) abgestrahlte elektromagnetische Strahlung zumindest teilweise senkrecht zur Trägeroberseite (11) umlenkt.

公开(公告)号：DE102012200224A1

公开(公告)日：2013-07-11

申请号：DE102012200224

申请日：2012-01-10

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： DOBBERTIN THOMAS ,  LANG ERWIN

IPC: H01L51/52 ,  H01L51/56

Abstract: Ein optoelektronisches Bauelement (10) weist auf eine erste Elektrodenschicht (14), eine erste organische funktionelle Schichtenstruktur (16) auf oder über der ersten Elektrodenschicht (14), eine zweite nicht-transparente Elektrodenschicht (18) auf oder über der ersten organischen funktionellen Schichtenstruktur (16), eine zweite organische funktionelle Schichtenstruktur (20) auf oder über der zweiten Elektrodenschicht (18), eine dritte Elektrodenschicht (22) auf oder über der zweiten organischen funktionellen Schichtenstruktur (20).

公开(公告)号：DE102011079004A1

公开(公告)日：2013-01-17

申请号：DE102011079004

申请日：2011-07-12

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： DOBBERTIN THOMAS ,  LANG ERWIN ,  REUSCH THILO ,  SETZ DANIEL STEFFEN

IPC: H01L51/52 ,  G02B5/02 ,  H01L51/56

Abstract: In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird ein organisches lichtemittierendes Bauelement (200) bereitgestellt. Das organische lichtemittierende Bauelement (200) kann aufweisen eine erste transluzente Elektrode (204); eine organische lichterzeugende Schichtenstruktur (206) auf oder über der ersten Elektrode (204); eine zweite transluzente Elektrode (212) auf oder über der organischen lichterzeugenden Schichtenstruktur (206); eine optisch transluzente Schichtenstruktur (214) auf oder über der zweiten Elektrode (212) und eine Spiegel-Schichtenstruktur (216) auf oder über der optisch transluzenten Schicht (214), wobei die Spiegel-Schichtenstruktur (216) eine lichtstreuende Struktur (218) auf der zu der optisch transluzenten Schichtenstruktur (214) liegenden Seite der Spiegel-Schichtenstruktur (216) aufweist.