公开(公告)号：WO2017060160A1

公开(公告)日：2017-04-13

申请号：PCT/EP2016/073352

申请日：2016-09-29

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： SINGER, Frank ,  VON MALM, Norwin ,  RÜGHEIMER, Tilman ,  KIPPES, Thomas

IPC: H01S5/022 ,  H01S5/042 ,  H01S5/02 ,  H01S5/024 ,  H01S5/22 ,  H01S5/323

CPC classification number: H01S5/0224 ,  H01L21/568 ,  H01L24/19 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2924/18162 ,  H01S5/0201 ,  H01S5/02228 ,  H01S5/02461 ,  H01S5/02469 ,  H01S5/0422 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/22 ,  H01S5/32341 ,  H01S2301/176

Abstract: In einer Ausführungsform umfasst der Halbleiterlaser (1) eine Halbleiterschichtenfolge (2). Die Halbleiterschichtenfolge (2) beinhaltet einen n-leitenden Bereich (23), einen p- leitenden Bereich (21) und eine dazwischen liegende aktive Zone (22). In einer Resonatorstrecke (3) wird eine Laserstrahlung erzeugt. Die Resonatorstrecke (3) ist parallel zur aktiven Zone (22) ausgerichtet. Ferner beinhaltet der Halbleiterlaser (1) einen elektrischen p-Kontakt (41) und einen elektrischen n-Kontakt (43), die sich je an dem zugehörigen Bereich (21, 23) der Halbleiterschichtenfolge (2) befinden und die zur Einprägung von Strom direkt in dem zugehörigen Bereich (21, 23)eingerichtet sind. Der n-Kontakt (43) erstreckt sich von dem p-leitenden Bereich (21) her durch die aktive Zone (22) hindurch in den n-leitenden Bereich (23) und befindet sich, in Draufsicht gesehen, neben der Resonatorstrecke (3).

Abstract translation: 在半导体激光器（1）的一个实施例包括半导体层序列（2）。 半导体层序列（2）包括n型区域（23），p型区域（21）和中间有源区（22）。 在一个Resonatorstrecke（3）的激光辐射产生的。 所述Resonatorstrecke（3）平行于对准的有源区（22）。 此外，半导体激光器（1）包括电动p接触（41），并且根据相关联的部分的半导体层序列（2）位于的电正触点（43）（21，23）和用于施加电流的权利 在相应的区域（21，23）被布置。 从p型区域（21）延伸的n接触（43）通过所述有源区（22）进入n型区域（23）和位于，在俯视图，（3）旁边Resonatorstrecke ，

公开(公告)号：WO2012034888A1

公开(公告)日：2012-03-22

申请号：PCT/EP2011/065310

申请日：2011-09-05

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  KIPPES, Thomas ,  MÖLLMER, Frank ,  JÄGER, Claus

Inventor： KIPPES, Thomas ,  MÖLLMER, Frank ,  JÄGER, Claus

IPC: H01L33/62 ,  H01L33/64

CPC classification number: H01L33/62 ,  H01L33/486 ,  H01L33/647 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48471 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/48227

Abstract: In mindestens einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauteils (1) ist dieses oberflächenmontierbar und umfasst einen metallischen Leiterrahmen (2) mit mindestens zwei separaten Teilen. Das Halbleiterbauteil (2) umfasst mindestens zwei elektrische Anschlussflächen (3) zu einer elektrischen und thermischen Kontaktierung. An genau einem ersten der Teile des Leiterrahmens (2) ist mindestens ein optoelektronischer Halbleiterchip (4) befestigt, der mit einem zweiten der Teile elektrisch verbunden ist. Den Halbleiterchip (4) und den Leiterrahmen (2) umgibt zumindest stellenweise ein linsenartig geformter Vergusskörper (5). Die Anschlussflächen (3) befinden sich neben oder unter dem Vergusskörper (5). Eine Dicke (DO) des Leiterrahmens (2) beträgt mindestens 0,1 mm und ein mittlerer thermischer Widerstand zwischen dem Halbleiterchip (4) und zumindest einer der Anschlussflächen (3) liegt bei höchstens 20 K/W.

Abstract translation: 在光电子半导体器件（1），该表面与包含金属引线框（2），具有至少两个分开的部分中的至少一个实施例。 的半导体器件（2）包括至少两个电端子面（3）的电接触和热接触。 在精确的第一引线框架的部件（2）的至少一个光电子半导体芯片（4）被安装，其电连接到所述部件的第二个。 半导体芯片（4）和所述引线框（2）围绕至少局部地，透镜状形状的铸体（5）。 垫（3）位于靠近或铸造体（5）的下方。 引线框（2）的厚度（DO）为至少0.1毫米，所述半导体芯片（4）和所述连接面中的至少一个之间的平均热电阻（3）是一个最大20 K / W的