公开(公告)号：WO2017060161A1

公开(公告)日：2017-04-13

申请号：PCT/EP2016/073353

申请日：2016-09-29

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： SINGER, Frank ,  VON MALM, Norwin ,  RÜGHEIMER, Tilman ,  KIPPES, Thomas

IPC: H01S5/022 ,  H01S5/02 ,  H01S5/024 ,  H01S5/042 ,  H01S5/22

CPC classification number: H01S5/0224 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/49107 ,  H01S5/0201 ,  H01S5/02228 ,  H01S5/02236 ,  H01S5/02276 ,  H01S5/02469 ,  H01S5/0422 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/22 ,  H01S2301/176 ,  H01L2924/00014

Abstract: In einer Ausführungsform umfasst der Halbleiterlaser (1) eine Halbleiterschichtenfolge (2). Die Halbleiterschichtenfolge (2) beinhaltet einen n-leitenden Bereich (23), einen p- leitenden Bereich (21) und eine dazwischenliegende aktive Zone (22). In einer Resonatorstrecke (3) wird eine Laserstrahlung erzeugt. Die Resonatorstrecke (3) ist parallel zur aktiven Zone (22) ausgerichtet. Ferner beinhaltet der Halbleiterlaser (1) einen elektrischen p-Kontakt (41) und einen elektrischen n-Kontakt (43), die sich je andem zugehörigen Bereich (21, 23) der Halbleiterschichtenfolge (2) befinden und die zur Einprägung von Strom direkt in dem zugehörigen Bereich (21, 23) eingerichtet sind. Einep- Kontaktfläche (61) ist mit dem p-Kontakt (41) elektrisch verbunden und eine n-Kontaktfläche (63) ist mit dem n-Kontakt (43) elektrisch verbunden, sodass die p-Kontaktfläche (61) und die n-Kontaktfläche (63) zu einem externen elektrischen und mechanischen Anschließen des Halbleiterlasers (1) eingerichtet sind. Es sind die Kontaktflächen (61, 63) parallel zu einer Wachstumsrichtung (G) der Halbleiterschichtenfolge (2) orientiert. Dabei ist der Halbleiterlaser (1) drahtfrei oberflächenmontierbar.

Abstract translation: 在半导体激光器（1）的一个实施例包括半导体层序列（2）。 半导体层序列（2）包括n型区域（23），p型区域（21）和中间有源区（22）。 在一个Resonatorstrecke（3）的激光辐射产生的。 所述Resonatorstrecke（3）平行于对准的有源区（22）。 此外，半导体激光器（1）包括电动p接触（41）和电正触点（43），其根据所述半导体层序列（2）位于的Andem相关区域（21，23）来计算，并且用于在压印电流直接 相关联的部分（21，23）被布置。 Einep-接触表面（61）被连接到p接触（41）电连接，并且n接触面（63）被连接到n型接触（43）电连接，从而使p接触表面（61）和n型接触表面 （63）适于将所述半导体激光器（1）的外部电连接和机械连接。 有面向的接触表面（61，63）平行于所述半导体层序列（2）的生长方向（G）。 这里，半导体激光器（1）是无导线表面安装。

公开(公告)号：WO2022258756A1

公开(公告)日：2022-12-15

申请号：PCT/EP2022/065697

申请日：2022-06-09

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： SORG, Jörg Erich ,  HEINEMANN, Erik ,  SOMERS, André ,  KIPPES, Thomas ,  SCHLEGL, Sebastian ,  HEIDEMANN, Matthias

IPC: H01S3/08 ,  H01S5/14 ,  H01S5/34 ,  H01S5/042 ,  H01S5/40 ,  H01S5/0234 ,  H01S5/22 ,  H01S5/02315 ,  H01S5/04256 ,  H01S5/04257 ,  H01S5/4031

Abstract: Es wird ein Halbleiterchip (LD) mit einer strukturierten Chiprückseite (RS) angegeben, wobei die Chiprückseite zur elektrischen und thermischen Anbindung des Halbleiterchips (LD) eingerichtet ist, wobei der Halbleiterchip (LD) Emitterbereiche (E) aufweist, die zur Erzeugung elektromagnetischer Strahlung (L) eingerichtet sind, und wobei die strukturierte Chiprückseite (RS) Anschlusspads (AP) aufweist, die zur elektrischen Anbindung der Emitterbereiche (E) eingerichtet sind. Die Anschlusspads (AP) sind p-Kontakte oder n-Kontakte, wobei alle entweder als p-Kontakte oder als n-Kontakte ausgeführten Anschlusspads (AP) in Draufsicht jeweils mit mindestens zwei der Emitterbereiche (E) überlappen und jeweils zur elektrischen Anbindung lediglich einer der Emitterbereiche (E) eingerichtet sind. Des Weiteren wird ein Bauelement (100) insbesondere mit mindestens einem solchen Halbleiterchip (LD) angegeben.

公开(公告)号：WO2018050776A1

公开(公告)日：2018-03-22

申请号：PCT/EP2017/073194

申请日：2017-09-14

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： KIPPES, Thomas ,  RAJAKUMARAN, Jason ,  FREI, Ulrich ,  JAEGER, Claus

IPC: H01L25/075 ,  H01L33/58 ,  H01L33/60

Abstract: Ein optoelektronisches Bauelement umfasst einen ersten opto- elektronischen Halbleiterchip, der dazu ausgebildet ist, Licht mit einer Wellenlänge aus dem infraroten Spektralbe- reich zu emittieren. Außerdem umfasst das optoelektronische Bauelement einen zweiten optoelektronischen Halbleiterchip, der dazu ausgebildet ist, Licht mit einer Wellenlänge aus dem sichtbaren Spektralbereich zu emittieren. Das optoelektroni- sche Bauelement weist einen Reflektorkörper mit einer Ober- seite und einer Unterseite auf. Der Reflektorkörper weist ei- ne zu der Oberseite geöffnete Kavität auf. Eine Wandung der Kavität bildet einen Reflektor. Der erste optoelektronische Halbleiterchip ist an einem Grund der Kavität angeordnet.

Abstract translation: 一种光电子器件包括第一光电子半导体芯片，该第一光电子半导体芯片被设计为发射具有来自红外光谱范围的波长的光。 此外，光电子器件包括第二光电子半导体芯片，该第二光电子半导体芯片被设计成发射具有可见光谱范围内的波长的光。 光电子部件具有带有顶侧和底侧的反射体。 反射体具有向上开口的空腔。 腔室的壁形成反射器。 第一个光电子半导体芯片被安排在空腔的底部。

公开(公告)号：WO2023041283A1

公开(公告)日：2023-03-23

申请号：PCT/EP2022/073083

申请日：2022-08-18

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： SORG, Jörg Erich ,  HEINEMANN, Erik ,  SOMERS, André ,  KIPPES, Thomas

IPC: H01S5/0234 ,  H01S5/02345 ,  H01S5/024 ,  H01S5/042 ,  H01S5/028 ,  H01S5/22 ,  H01S5/40 ,  H01S2301/176 ,  H01S5/0237 ,  H01S5/02469 ,  H01S5/02476 ,  H01S5/0282 ,  H01S5/04252 ,  H01S5/04257 ,  H01S5/4043

Abstract: Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement (1) angegeben, das einen Halbleiterkörper (10) mit einem ersten Bereich (101) einer ersten Leitfähigkeit, einem zweiten Bereich (102) einer zweiten Leitfähigkeit und einem aktiven Bereich (103), der zur Emission von kohärenter elektromagnetischer Strahlung eingerichtet ist, umfasst. Entlang einer Resonatorachse ist ein optischer Resonator in dem Halbleiterkörper (10) ausgebildet. Der Halbleiterkörper (10) weist eine Montageseite (10A) und quer zur Montageseite (10A) verlaufende Seitenflächen (10B) auf. Parallel zur Resonatorachse verlaufende Seitenflächen (10B) sind von einer elektrisch isolierenden Passivierung (50) bedeckt. Auf einer dem Halbleiterkörper (10) abgewandten Seite der Passivierung (50) ist eine Kühlschicht (30) angeordnet, die dazu eingerichtet ist, zumindest einen Teil der in dem Halbleiterkörper (10) im Betrieb erzeugten Verlustleistung abzuführen. Ferner wird ein optoelektronisches Modul (2) angegeben.

公开(公告)号：WO2021244827A1

公开(公告)日：2021-12-09

申请号：PCT/EP2021/062382

申请日：2021-05-10

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： BECKER, Dirk ,  PAJKIC, Zeljko ,  KIPPES, Thomas

IPC: H02S50/10

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer elektrischen Vorrichtung, insbesondere einer optoelektronischen Vorrichtung, sowie eine elektrische Vorrichtung, insbesondere eine optoelektronische Vorrichtung und ein Verfahren zum Testen der elektrischen Vorrichtung, insbesondere optoelektronischen Vorrichtung, hinsichtlich ihrer Funktionalität. Ein Verfahren zum Erzeugen einer elektrischen Vorrichtung umfasst dabei das Bereitstellen eines Substrats mit zumindest einer darauf befindlichen Leiterbahn; Das Aufbringen mindestens einer Anhäufung eines elektrisch leitfähigen Materials, insbesondere eines Bondmaterials, auf eine Oberfläche der Leiterbahn; Das Bereitstellen eines Trägers mit zumindest einem elektrischen Kontakt; Das Aufbringen eines elektrisch leitfähigen Klebers auf zumindest einen aus der zumindest einen Anhäufung des elektrisch leitfähigen Materials und dem zumindest einen elektrischen Kontakt; Das Anordnen des Substrats und des Trägers derart, dass sich die Anhäufung des elektrisch leitfähigen Materials und der zumindest eine elektrische Kontakt beabstandet zueinander gegenüberliegen, wobei der elektrisch leitfähige Kleber eine mechanische und elektrische Verbindung zwischen der Anhäufung des elektrisch leitfähigen Materials und dem zumindest einen elektrischen Kontakt erzeugt.

公开(公告)号：WO2017037038A1

公开(公告)日：2017-03-09

申请号：PCT/EP2016/070361

申请日：2016-08-30

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： KIPPES, Thomas ,  JAEGER, Claus

IPC: H01L33/46 ,  H01L33/58 ,  H01L33/60

CPC classification number: H01L33/46 ,  H01L33/58 ,  H01L33/60 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2924/00014

Abstract: Optoelektronisches Bauteil mit einem Halbleiterchip, der Infrarotstrahlung emittiert, mit einem Reflektor, der die Infrarotstrahlung des Halbleiterchips reflektiert und mit einem Filter. Der Filter ist in Form einer Beschichtung ausgeführt, und durchlässig für die Infrarotstrahlung des Halbleiterchips. Sichtbares Licht, das auf das optoelektronische Bauteil trifft, wird vom Filter wenigstens zu 75% absorbiert. Ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauteils umfasst die Schritte Platzieren eines optoelektronischen Halbleiterchips auf einem Träger, elektrisches Kontaktieren des Halbleiterchips, platzieren eines Reflektors auf dem Träger und aufbringen eines Filters, indem eine Beschichtung aufgebracht wird.

Abstract translation: 有发射的红外辐射与它反映了半导体芯片和一个过滤器的红外辐射的反射器的半导体芯片的光电子器件。 该过滤器被设计以涂层的形式，并且透明的半导体芯片的红外辐射。 可见光入射到光电子器件上由滤波器至少75％被吸收。 制造光电子器件，包括在载体上的光电子半导体芯片的载置的步骤的方法，在半导体芯片的电接触，一个反射器放置在支撑和施加由涂层的过滤器被应用。

公开(公告)号：WO2012146490A1

公开(公告)日：2012-11-01

申请号：PCT/EP2012/056695

申请日：2012-04-12

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  KIPPES, Thomas ,  HASLBECK, Stephan ,  LURUTHUDASS, Annaniah ,  LEE, Ee Lian

Inventor： KIPPES, Thomas ,  HASLBECK, Stephan ,  LURUTHUDASS, Annaniah ,  LEE, Ee Lian

IPC: H01L33/54 ,  H01L33/56

CPC classification number: H01L33/62 ,  H01L33/54 ,  H01L33/56 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: Es wird ein Bauelement angegeben, mit einem Träger (1), einem optoelektronischen Halbleiterchip (2) aufweisend zumindest eine Seitenfläche (2a), einem Verbindungsmittel (3), einem ersten Formkörper (4), und einem zweiten Formkörper (5), wobei der optoelektronische Halbleiterchip (2) mittels dem Verbindungsmittel (3) mechanisch mit dem Träger (1) verbunden ist, der erste Formkörper (4) eine freiliegende Außenfläche des optoelektronischen Halbleiterchips (2) bedeckt, der erste Formkörper (4) eine freiliegende Außenfläche des Verbindungsmittels (3) bedeckt, der zweite Formkörper (5) eine freiliegende Außenfläche des ersten Formkörpers bedeckt, und der zweite Formkörper (5) ein bei Raumtemperatur größeres Elastizitätsmodul als der erste Formkörper aufweist.

Abstract translation: 提供了一种包括支撑件（2）具有至少一个侧表面（2a）的（1），光电子半导体芯片的装置，一个连接装置（3），第一模具主体（4），和第二模具主体（5），其中，所述 第一成形体（4）的光电子半导体芯片（2）由所述连接装置的装置（3）机械地连接到载体（1），（2）覆盖该第一模体的光电子半导体芯片的暴露的外表面（4）具有连接装置的暴露的外表面（ 具有3）覆盖所述第二模体（5）具有第一成型体的暴露的外表面被覆盖，并且所述第二模具主体（5）在室温下具有弹性模量，比第一成型大。

公开(公告)号：WO2022243298A1

公开(公告)日：2022-11-24

申请号：PCT/EP2022/063299

申请日：2022-05-17

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： KIPPES, Thomas ,  SORG, Joerg

IPC: H05K3/44 ,  H05K1/11 ,  H05K1/02 ,  H05K3/40

Abstract: Die Erfindung betrifft eine optoelektronische Baugruppe, mit einem optoelektronischen Bauelement mit zwei oder mehreren Anschlusskontakten zur Zuführung von Versorgungs- und/oder Steuersignalen. Ein Gehäuse mit einer flächigen strukturierten Gehäuseunterseite (100) weist zwei oder mehrere Lotkontaktflächen (31) auf, die jeweils von einem nicht-benetzbaren Bereich (4) umgeben sind, wobei die Lotkontaktflächen durch die Gehäuseunterseite geführt und mit der Vielzahl von Anschlusskontakten verbunden sind. Weiterhin umfasst die Gehäuseunterseite (100) zwei oder mehr Lotflächen (110), die jeweils von einem nicht-benetzbaren Bereich (120) umschlossen sind. Die zwei oder mehrere Lotkontaktflächen und die Lotflächen sind dabei im Wesentlichen gleichmäßig verteilt auf der Gehäuseunterseite angeordnet.

公开(公告)号：WO2019072867A3

公开(公告)日：2019-04-18

申请号：PCT/EP2018/077508

申请日：2018-10-09

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： KOELPER, Christopher ,  DIEZ, Carola ,  BOESCKE, Tim ,  KIPPES, Thomas ,  STERNECKER, Melanie ,  DIETZE, Daniel

IPC: G01J3/10 ,  G01J3/32 ,  H01L27/15 ,  H01L31/12 ,  H01L33/50 ,  F21V9/40 ,  G01J3/28

Abstract: In einer Ausführungsform ist die Halbleiterlichtquelle (1) für ein Spektrometer (10) vorgesehen und umfasst einen Multipixelchip (2) mit mehreren unabhängig voneinander ansteuerbaren Emissionsbereichen (20). Ein Farbeinstellmittel (31, 32) ist den Emissionsbereichen (20) optisch nachgeordnet oder ist in den Emissionsbereichen (20) integriert und ist zu einer Veränderung eines spektralen Abstrahlverhaltens der zugeordneten Emissionsbereiche (20) eingerichtet. Eine Ansteuereinheit (4) ist dazu eingerichtet, die Emissionsbereiche (20) nacheinander zu betreiben, sodass von den Emissionsbereichen (20) zusammen mit dem zugehörigen Farbeinstellmittel (31, 32) im Betrieb nacheinander viele spektral schmalbandige Einzelspektren (E) emittiert werden, aus denen ein von der Halbleiterlichtquelle (1) emittiertes Gesamtspektrum (G) zusammengesetzt ist.

公开(公告)号：WO2019030008A1

公开(公告)日：2019-02-14

申请号：PCT/EP2018/070324

申请日：2018-07-26

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： KIPPES, Thomas ,  JÄGER, Claus ,  RAJAKUMARAN, Jason

IPC: H01L33/58 ,  H01L33/60 ,  G06K9/00

Abstract: In einer Ausführungsform umfasst das optoelektronische Halbleiterbauteil (1) einen optoelektronischen Halbleiterchip (2) sowie einen Reflektor (3) mit einer Reflektorausnehmung (30), in der der Halbleiterchip (2) angebracht ist. Eine Linse (4) befindet sich mindestens zum Teil in der Reflektorausnehmung (30). Die Linse (4) weist eine Linsenausnehmung (40) auf, in oder an der der Halbleiterchip (2) angebracht ist. Die Linse (4) ist mit einem Verbindungsmittel (5) an dem Reflektor (3) befestigt. Die Linse (4)weist eine einer Reflektorinnenwand (31) zugewandte Linsenaußenseite (41) auf. Das Verbindungsmittel (5) befindet sich bevorzugt zwischen der Reflektorinnenwand (31) und der Linsenaußenseite (41). Die Linse (4) berührt den optoelektronischen Halbleiterchip (2) nicht.