公开(公告)号：WO2021122453A1

公开(公告)日：2021-06-24

申请号：PCT/EP2020/085970

申请日：2020-12-14

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： EBERHARD, Jens ,  HANISCH, Andreas ,  VON MALM, Norwin

IPC: H01L33/60 ,  H01L27/14 ,  H01L27/146 ,  H01L27/1446 ,  H01L2933/0025 ,  H01L2933/0058 ,  H01L2933/0091 ,  H01L33/44 ,  H01L33/46 ,  H01L33/58

Abstract: In einer Ausführungsform dient das Verfahren zur Herstellung einer optischen Komponente (23) für ein optoelektronisches Halbleiterbauteil (1) und umfasst die Schritte: - A) Bereitstellen einer Vielzahl von Optikkörpern (2), - C) Aufbringen eines flüssigen Beschichtungsmaterials (30) direkt auf die Optikkörper (2), - D) Verfestigen des Beschichtungsmaterials (30) zu einer Beschichtung (3), und - E) Vereinzeln durch die Beschichtung (3) hindurch zu den optischen Komponenten (23), wobei die fertige Beschichtung (3) eine mittlere Dicke zwischen einschließlich 10 Mikrometern und 200 Mikrometern aufweist, als Basismaterial (31) ein Polysiloxan aufweist, das -Si0 3/2 - Einheiten / trifunktionale Polysiloxane umfasst, und reflektierende Mikropartikel enthält, so dass ein Reflektionsgrad von 80% und mehr erreicht wird.

公开(公告)号：WO2020127033A1

公开(公告)日：2020-06-25

申请号：PCT/EP2019/085330

申请日：2019-12-16

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： VON MALM, Norwin ,  STREITEL, Reinhard ,  SCHMIDTKE, Kathy

IPC: H01L33/64 ,  H01L33/30 ,  H01L33/60 ,  H01L33/62

Abstract: Es wird ein strahlungsemittierendes Bauelement mit den folgenden Merkmalen angegeben: einem strahlungsemittierenden Halbleiterchip (1) und einer transparenten Fügeschicht (3), die den strahlungsemittierenden Halbleiterchip (1) mit einem Träger (4) mechanisch stabil verbindet, wobei die transparente Fügeschicht (3) ein Matrixmaterial (10) aufweist, in das eine Vielzahl an Nanopartikeln (11) eingebracht ist.

公开(公告)号：WO2020104369A1

公开(公告)日：2020-05-28

申请号：PCT/EP2019/081640

申请日：2019-11-18

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： KUNDALIYA, Darshan ,  VON MALM, Norwin ,  SERRE, Jeffery J.

IPC: H01L33/50

Abstract: A ceramic conversion element, a light-emitting device and a method for producing a ceramic conversion element are disclosed. In an embodiment a ceramic conversion element includes a central region with a structured top surface including a plurality of structure elements and a frame surrounding the central region, the frame having a planar top surface, wherein the central region and the frame are formed as one piece, and wherein the ceramic conversion element is configured to convert primary radiation into secondary radiation of a different wavelength range.

公开(公告)号：WO2017025437A1

公开(公告)日：2017-02-16

申请号：PCT/EP2016/068670

申请日：2016-08-04

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： O'BRIEN, David ,  VON MALM, Norwin

IPC: H01L33/50

CPC classification number: H01L33/502 ,  C09K11/08 ,  H01L24/42 ,  H01L33/501 ,  H01L33/505 ,  H01L2224/42 ,  H01L2933/0041

Abstract: Es wird ein optoelektronisches Bauelement (1) angeben. Dieses umfassteine Schichtenfolge (2) mit einer aktiven Schicht, die dazu eingerichtet ist im Betrieb des Bauelements eine elektromagnetische Primärstrahlung zu emittieren und zumindest ein Konversionselement (3). Daszumindest eine Konversionselement (3) ist im Strahlengang der elektromagnetischen Primärstrahlung angeordnet und umfasst Quantenpunkte (3a) und ein anorganisches Matrixmaterial. Die Quantenpunkte (3a) sind in dem anorganischen Matrixmaterial verteilt und dazu eingerichtet sind im Betrieb des Bauelements (1) zumindest teilweise die elektromagnetische Primärstrahlung in eine elektromagnetische Sekundärstrahlung zu konvertieren.

Abstract translation: 将指定的光电子器件（1）。 此与活性层，其适于发射在该装置的主操作的电磁辐射和comprisesa层序列（2）的至少一个转换元件（3）。 Daszumindest的转换元件（3）被布置在电磁初级辐射的光束路径，并且包括量子点（3a）和无机基质材料。 量子点（3a）的分布在所述无机基体材料和至少部分地在电磁初级辐射转换成电磁次级辐射（1）的装置的操作期间被适配。

公开(公告)号：WO2016034388A1

公开(公告)日：2016-03-10

申请号：PCT/EP2015/068674

申请日：2015-08-13

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： VON MALM, Norwin

IPC: H01L33/08 ,  H01L33/20 ,  H01L33/50

CPC classification number: H01L33/504 ,  C09K11/06 ,  H01L25/167 ,  H01L33/08 ,  H01L33/20 ,  H01L33/486 ,  H01L33/60 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2924/10155 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: In mindestens einer Ausführungsform umfasst der optoelektronische Halbleiterchip (100) eine Halbleiterschichtenfolge (1) mit einer Oberseite (2), einer der Oberseite (2) gegenüberliegende Unterseite (3) und einer aktiven Schicht (11) zur Erzeugung elektromagnetischer Strahlung einer ersten Wellenlänge (10), wobei der Halbleiterchip (100) frei von einem Aufwachssubstrat für die Halbleiterschichtenfolge (1) ist. Weiter umfasst der Halbleiterchip (100) eine Mehrzahl von auf der Unterseite (3) angeordneten Kontaktelementen (30), die einzeln und unabhängig voneinander elektrisch ansteuerbar sind. Dabei ist die Halbleiterschichtenfolge (1) in eine Mehrzahl von in lateraler Richtung nebeneinander angeordneten Emissionsbereichen (20) unterteilt, die dazu eingerichtet sind, im Betrieb Strahlung zu emittieren. Jedem Emissionsbereich (20) ist dabei eines der Kontaktelemente (30) zugeordnet. Ferner umfasst jeder Emissionsbereich (20) eine Ausnehmung in der Halbleiterschichtenfolge (1), die sich von der Oberseite (2) in Richtung aktive Schicht (11) erstreckt. In Draufsicht auf die Oberseite (2) ist die Ausnehmung eines jeden Emissionsbereichs (20) vollständig von einer zusammenhängenden Bahn aus Trennwänden (21) umgeben, wobei die Trennwände (21) aus der Halbleiterschichtenfolge (1) gebildet sind.

Abstract translation: 在光电子半导体芯片的至少一个实施例中（100）包括（1）具有顶部（2），上侧（2）的底部（3）和用于产生第一波长的电磁辐射的有源层（11）相反的一个（10的半导体层序列 ），其中所述半导体芯片（100）是免费的半导体层序列（1）的生长衬底的。 接着，将半导体芯片（100）包括在所述底部的多个（3）布置成接触元件（30），其是单独地和独立地电可控。 在此，半导体层序列（1）被划分成多个在其适合的操作期间发射辐射发射区域（20）的横向方向上并置。 每个发射区域（20）被分配给接触元件中的一个（30）。 此外，每个发光区域（20）包括从在有源层（11）的方向上的顶部（2）延伸，该半导体层序列（1）中的凹部。 在上侧的俯视图（2）完全由隔壁的连续幅材（21），每个发射区域（20）的凹部围绕，所述从所述半导体层序列（1）的分区（21）形成。

公开(公告)号：WO2014180842A1

公开(公告)日：2014-11-13

申请号：PCT/EP2014/059231

申请日：2014-05-06

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： GÖÖTZ, Britta ,  BRANDL, Martin ,  BURGER, Markus ,  VON MALM, Norwin

IPC: H01L33/50 ,  H01L33/54

CPC classification number: H01L33/505 ,  B29D11/0074 ,  B29D11/00932 ,  B29K2083/00 ,  F21V9/30 ,  H01L33/501 ,  H01L33/508 ,  H01L33/54 ,  H01L2933/0041

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines Wellenlängenkonversionselements (10) angegeben, bei dem eine Wellenlangenkonversionsschicht (100) bereitgestellt, ihre Oberfläche mit einem Plasma (50) behandelt und die Wellenlängenkonversionsschicht gestanzt wird. Weiterhin werden eine Wellenlängenkonversionsschicht und ein optoelektronische Bauelement mit einer Wellenlängenkonversionsschicht angegeben.

Abstract translation: 提供了一种方法用于制造波长转换元件（10），其中提供了一种波长转换层（100）的等离子体（50）和所述波长转换层被冲压对待表面。 此外，波长转换层和光电部件都标有波长转换层。

公开(公告)号：WO2014090605A1

公开(公告)日：2014-06-19

申请号：PCT/EP2013/075122

申请日：2013-11-29

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： PFEUFFER, Alexander F. ,  VON MALM, Norwin

IPC: H01L25/16 ,  H01L27/15 ,  H01L25/075 ,  H01L33/24 ,  H01L33/38 ,  H01L33/62

CPC classification number: H01L27/1222 ,  H01L25/0753 ,  H01L25/167 ,  H01L27/1274 ,  H01L27/156 ,  H01L33/24 ,  H01L33/382 ,  H01L33/385 ,  H01L33/62 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: Es wird eine Anzeigevorrichtung (1) mit einem Schichtstapel (2) angegeben, der eine Halbleiterschichtenfolge (20) mit einem zur Erzeugung von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich (200) und eine Schaltungsschicht (25) aufweist. Die Halbleiterschichtenfolge bildet eine Mehrzahl von Bildpunkten (3). In der Schaltungsschicht ist für jeden Bildpunkt ein Schalter (4), der mit dem jeweiligen Bildpunkt elektrisch leitend verbunden ist, ausgebildet. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung einer Anzeigevorrichtung angegeben.

Abstract translation: 提供了一种显示装置（1）与具有用于产生辐射有源区（200）和电路层（25）的半导体层序列（20）的层堆叠（2）。 半导体层序列形成的多个像素（3）的。 在每个像素的电路层，其导电地与相应的图像元素连接的开关（4）形成。 此外，提供了一种制造显示装置的方法。

公开(公告)号：WO2014053445A1

公开(公告)日：2014-04-10

申请号：PCT/EP2013/070352

申请日：2013-09-30

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： VON MALM, Norwin ,  MANDL, Martin ,  PFEUFFER, Alexander F. ,  GÖÖTZ, Britta

IPC: H01L27/15 ,  H01L25/075

CPC classification number: H01L27/156 ,  H01L25/0753 ,  H01L29/66568 ,  H01L29/78 ,  H01L33/007 ,  H01L33/12 ,  H01L33/507 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2933/0041 ,  H01L2933/0091 ,  H01L2924/00

Abstract: In mindestens einer Ausführungsform ist das Verfahren zur Herstellung eines Leuchtdioden-Displays (1) eingerichtet. Das Verfahren umfasst die folgenden Schritte: • A) Bereitstellen eines Aufwachssubstrats (2), • B) Aufbringen einer Pufferschicht (4) mittelbar oder unmittelbar auf eine Substratoberseite (20), • C) Erzeugen einer Vielzahl von separaten Anwachspunkten (45) auf oder an der Pufferschicht (4), • D) Erzeugen von einzelnen, strahlungsaktiven Inseln (5), ausgehend von den Anwachspunkten (45), wobei die Inseln (5) jeweils eine anorganische Halbleiterschichtenfolge (50) mit mindestens einer aktiven Zone (55) umfassen und ein mittlerer Durchmesser der Inseln (5), in Draufsicht auf die Substratoberseite (20) gesehen, zwischen einschließlich 50 nm und 20 μm liegt, und • E) Verschalten der Inseln (5) mit Transistoren (6) zu einer elektrischen Ansteuerung der Inseln (5).

Abstract translation: 在至少一个实施例中，建立一种用于制造发光二极管显示器（1）的方法。 该方法包括以下步骤：•A）提供生长衬底（2），•B）施加的缓冲层（4）直接或间接地（上生成多个单独的Anwachspunkten（45一上基板侧20），•C））或 缓冲层（4）上，•D）生成单辐射有源岛（5）中，从Anwachspunkten（45）开始，所述岛屿（5）各自包括无机半导体层序列（50）与至少一个有源区（55） 看到和岛屿（5）的平均直径，在基板上侧（20）的俯视图，50纳米和20微米之间，并且•E）岛（5）与晶体管（6）互连到所述岛的电激活 （5）。

公开(公告)号：WO2014012760A1

公开(公告)日：2014-01-23

申请号：PCT/EP2013/063525

申请日：2013-06-27

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HÖPPEL, Lutz ,  VON MALM, Norwin

IPC: H01L33/38

CPC classification number: H01L27/15 ,  H01L27/156 ,  H01L33/005 ,  H01L33/38 ,  H01L33/60 ,  H01L33/62 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2933/0066 ,  H01S5/022 ,  H01L2924/00

Abstract: In mindestens einer Ausführungsform umfasst der optoelektronische Halbleiterchip (1) einen Träger (2). Eine Halbleiterschichtenfolge (3) mit einer aktiven Schicht (33) zur Erzeugung einer elektromagnetischen Strahlung, die sich zwischen einer n-Schicht (31) und einer p-Schicht (35) befindet, ist auf einer Trägeroberseite (20) angebracht. Der Halbleiterchip (1) weist eine n-Kontaktstelle (51) und eine p-Kontaktstelle (55) zum elektrischen Kontaktieren auf. Ferner beinhaltet der Halbleiterchip (1) zumindest zwei oder drei elektrische Leiterbahnen (4). In Draufsicht gesehen ist die Halbleiterschichtenfolge (3) in wenigstens zwei nebeneinander angeordnete Emitterbereiche (36) strukturiert. Die Emitterbereiche (36) sind über die Leiterbahnen (4) elektrisch in Serie geschaltet. Es befinden sich die Leiterbahnen (4) an einer dem Träger (2) abgewandten Seite der Halbleiterschichtenfolge (3).

Abstract translation: 在光电子半导体芯片（1）的至少一个实施例包括一个支承件（2）。 的半导体层序列（3）包括用于产生电磁辐射，这是位于n层（31）和p层（35）之间的有源层（33）被安装在一个载体上侧（20）。 在半导体芯片（1）包括n接触点（51）和用于电接触到p接触点（55）。 此外，半导体芯片（1）包括至少两个或三个电导体（4）。 在平面图中看到的那样，半导体层序列（3）在至少两个并置的发射极区域（36）被结构化。 发射极区（36）经由带状导体（4）电连接的串联连接。 有（2）侧背离半导体层序列远离上的所述支持体的导体轨道（4）（3）。

公开(公告)号：WO2013107894A1

公开(公告)日：2013-07-25

申请号：PCT/EP2013/050990

申请日：2013-01-18

Applicant: OSRAM GMBH ,  OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  OSRAM SYLVANIA INC.

Inventor： SIESSEGGER, Bernhard ,  MAIWALD, Hubert ,  KOSTRUN, Marijan ,  MOSKOWITZ, Philip E. ,  MOSKOWITZ, Warren P. ,  VON MALM, Norwin

IPC: H05B33/08

CPC classification number: H02M7/06 ,  G01R31/028 ,  G01R31/2633 ,  G01R31/2635 ,  G01R31/40 ,  G01R31/44 ,  H01L25/0753 ,  H01L25/167 ,  H01L27/156 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/13033 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13091 ,  H05B33/0803 ,  H05B33/0806 ,  H05B33/0812 ,  H05B33/0815 ,  H05B33/0821 ,  H05B33/0827 ,  H05B33/083 ,  H05B33/0845 ,  H05B33/0848 ,  H05B33/0851 ,  H05B33/086 ,  H05B33/0884 ,  H05B33/0893 ,  H05B37/02 ,  H05B37/0209 ,  H05B41/39 ,  Y02B20/343 ,  Y02B20/345 ,  Y02B20/346 ,  Y02B20/347 ,  Y10T307/615 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird eine optoelektronische Bauelementevorrichtung bereitgestellt die optoelektronischen Bauelement aufweisend: eine erste Gruppe optoelektronischer Bauelemente (106, 410-n) mit wenigstens einem ersten optoelektronischen Bauelement, wobei das wenigstens eine, erste optoelektronische Bauelement zum Bereitstellen elektromagnetischer Strahlung einer ersten Farbvalenz (212) eingerichtet ist; eine zweite Gruppe optoelektronischer Bauelemente (102, 410-1) mit wenigstens einem zweiten optoelektronischen Bauelement, wobei das wenigstens eine, zweite optoelektronische Bauelement zum Bereitstellen elektromagnetischer Strahlung einer zweiten Farbvalenz (210) eingerichtet ist; und einen Phasen-Dimmer (406), wobei der Phasen-Dimmer (406) derart eingerichtet ist, dass ein erster Betriebsmodus mit einem ersten Grad der Dimmung und ein zweiter Betriebsmodus mit einem zweiten Grad der Dimmung bereitgestellt wird, wobei der Phasen-Dimmer (406) die erste Gruppe optoelektronischer Bauelemente (106, 410-n) und die zweite Gruppe optoelektronischer Bauelemente (102, 410-1) derart ansteuert, dass im ersten Betriebsmodus ein erster Bereich optoelektronischer Bauelemente der optoelektronischen Bauelementevorrichtung bestromt wird und im zweiten Betriebsmodus ein zweiter Bereich optoelektronischer Bauelemente der optoelektronischen Bauelementevorrichtung bestromt wird; wobei bezüglich der Gesamtintensität der bereitgestellten elektromagnetischen Strahlung der optoelektronischen Bauelementevorrichtung der Anteil der elektromagnetischen Strahlung der ersten Farbvalenz (212) im ersten Betriebsmodus kleiner ist als im zweiten Betriebsmodus und der Anteil der elektromagnetischen Strahlung der zweiten Farbvalenz (210) im ersten Betriebsmodus größer ist als im zweiten Betriebsmodus.

Abstract translation: 在各种实施例中，光电组件装置设置，光电子器件，包括：具有至少第一光电子器件，光电器件（106，410-n）的第一组，其中，用于提供第一颜色的化合价的电磁辐射的至少一个第一光电器件（212） 是一家成立; 光电器件（102，410-1）与至少一个第二光电子器件的第二组，所述至少一个装饰，第二光电装置，用于提供第二颜色价（210）的电磁辐射; 和相位调光器（406），其特征在于，所述相位调光器（406）被布置成使得第一操作模式被设置有第一度调光的，并与第二度调光的一个第二操作模式，其特征在于，所述相位调光器（ 406），所述第一组光电器件（106，410-n）和第二组光电器件（102，触​​发器410-1），使得所述光电装置设备的光电子器件的第一区域在第一操作模式和第二通电在第二操作模式中， 光电器件装置的光电器件的领域被激励; 其中，相对于所述光电器件装置的提供的电磁辐射的总强度，在第一操作模式下的第一颜色价（212）的电磁辐射的比例大于在第二操作模式小，并且在第一操作模式中的第二颜色的化合价（210）的电磁辐射的比例大于在较大 第二工作模式。