公开(公告)号：DE102010046091A1

公开(公告)日：2012-03-22

申请号：DE102010046091

申请日：2010-09-20

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： BOEHM BERND ,  PLOESL ANDREAS DR ,  KRAEUTER GERTRUD DR

IPC: H01L33/44 ,  H01L31/0216

Abstract: Eine Ausführungsform der Erfindung beschreibt einen optoelektronischen Halbleiterchip (1) umfassend: – eine aktive Schicht (10) mit einer ersten und einer zweiten Hauptfläche (11, 12), wobei die aktive Schicht (10) ein Halbleitermaterial umfasst und im Betrieb des Halbleiterchips (1) eine Strahlung emittiert oder empfängt; – eine strukturierte Schicht (20), die dreidimensionale Strukturen zur Auskoppelung oder Einkoppelung von Strahlung aufweist und die auf der ersten Hauptfläche (11) im Strahlengang (40) der aktiven Schicht (10) angeordnet ist, wobei die strukturierte Schicht (20) ein anorganisch-organisches Hybridmaterial umfasst.

公开(公告)号：DE102010012039A1

公开(公告)日：2011-09-22

申请号：DE102010012039

申请日：2010-03-19

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： KRAEUTER GERTRUD DR

IPC: H01L33/48 ,  H01L51/52

Abstract: Optoelektronisches Bauelement umfassend ein Gehäuse (1), umfassend einen Duroplasten, eine Ausnehmung (2) in dem Gehäuse (1), ein strahlungsemittierendes Bauteil (3), welches in der Ausnehmung (2) angeordnet ist, wobei der Duroplast ein Material umfasst ausgewählt aus: Aminoplast-Duroplast, Harnstoff-Duroplast, Melamin-Formaldehyd-Duroplast, Feuchtpolyester-Duroplaste, Bulk Molded Compounds, Polyesterharz, Phenolharz, Vinylesterharz, und wobei das optoelektronische Bauelement einen Anspritzpunkt (4) aufweist.