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1.发明专利
公开(公告)号：DE10350707B4
公开(公告)日：2014-02-13
申请号：DE10350707
申请日：2003-10-30
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： STEIN WILHELM DR , FEHRER MICHAEL DR , BAUR JOHANNES DR , WINTER MATTHIAS , PLOESL ANDREAS DR , KAISER STEPHAN DR , HAHN BERTHOLD DR , EBERHARD FRANZ
Abstract: Elektrischer Kontakt eines optoelektronischen Halbleiterchips (1), der folgende Schichten in der genannten Reihenfolge enthält: – eine Spiegelschicht (2) aus einem Metall oder einer Metallegierung, – eine Schutzschicht (3) zur Verringerung der Korrosion der Spiegelschicht (2), – eine Barrierenschicht (4), – eine Haftvermittlungsschicht (5), und – eine Lotschicht (8), wobei zwischen der Haftvermittlungsschicht (5) und der Lotschicht (8) eine Benetzungsschicht (6) angeordnet ist, die Platin enthält.
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公开(公告)号：DE102010056056A1
公开(公告)日：2012-06-28
申请号：DE102010056056
申请日：2010-12-23
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： PLOESL ANDREAS DR
IPC: H01L21/283 , H01L21/48 , H01L23/62 , H01L31/09 , H01L33/00
Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines elektrischen Anschlussträgers für einen optoelektronischen Halbleiterkörper mit den folgenden Schritten angegeben:–Bereitstellen einer Trägeranordnung (1), die einen Trägerkörper (11), eine auf einer Außenfläche (111) des Trägerkörpers (11) angeordnete Zwischenschicht (12) und eine auf einer dem Trägerkörper (11) abgewandten Außenfläche (121) der Zwischenschicht (12) angeordnete Nutzschicht (13) aufweist;–Einbringen von zumindest zwei in lateraler Richtung (L) beabstandet zueinander angeordnetenÖffnungen (4) in die Nutzschicht (13)über eine dem Trägerkörper (11) abgewandte Außenfläche (131) der Nutzschicht (13), wobei sich dieÖffnungen in vertikaler Richtung (V) vollständig durch die Nutzschicht (13) hindurch erstrecken;–Elektrisches Isolieren von Seitenflächen (41) derÖffnungen (4) und der dem Trägerkörper (11) abgewandten Außenfläche (131) der Nutzschicht (13);–Anordnen von elektrisch leitfähigem Material (6) zumindest stellenweise in denÖffnungen (4), wobei–nach Fertigstellung des Anschlussträgers (100) das elektrisch leitfähige Material (6) in seinem Verlauf entlang der Außenfläche (131) der Nutzschicht (13) in der lateralen Richtung (L) zwischen benachbartenÖffnungen (4) zumindest eine Unterbrechung (U) aufweist.
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公开(公告)号：DE102012108160A1
公开(公告)日：2014-03-06
申请号：DE102012108160
申请日：2012-09-03
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： MOOSBURGER JUERGEN , PLOESL ANDREAS DR , GOEOETZ BRITTA , SABATHIL MATTHIAS
IPC: H01L33/52 , H01L25/075 , H01L31/0203 , H01L31/0232 , H01L33/58 , H01S5/02
Abstract: Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement angegeben, das zumindest eine optoelektronische Halbleiterschichtenfolge (1) mit einer aktiven Schicht (2), die geeignet ist, im Betrieb Licht abzustrahlen oder zu empfangen, und auf zumindest einem Oberflächenbereich (10) der Halbleiterschichtenfolge (1) eine transparente Keramikschicht (5), die durch ein mittels Aerosolabscheidung aufgebrachtes Keramikmaterial gebildet wird und die den Oberflächenbereich verkapselt, aufweist. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements angegeben.
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公开(公告)号：DE102011012262A1
公开(公告)日：2012-08-30
申请号：DE102011012262
申请日：2011-02-24
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： FISCHER HELMUT , PLOESL ANDREAS DR
IPC: H01L33/40 , H01L31/0224 , H01S5/024
Abstract: Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement mit einer optoelektronischen Halbleiterschichtenfolge (2) auf einem Metallträgerelement (3) angegeben, das als erste Komponente Silber und als zweite Komponente ein Material aufweist, das einen geringeren thermischen Ausdehnungskoeffizienten als Silber aufweist. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements angegeben.
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公开(公告)号：DE102010046091A1
公开(公告)日：2012-03-22
申请号：DE102010046091
申请日：2010-09-20
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： BOEHM BERND , PLOESL ANDREAS DR , KRAEUTER GERTRUD DR
IPC: H01L33/44 , H01L31/0216
Abstract: Eine Ausführungsform der Erfindung beschreibt einen optoelektronischen Halbleiterchip (1) umfassend: – eine aktive Schicht (10) mit einer ersten und einer zweiten Hauptfläche (11, 12), wobei die aktive Schicht (10) ein Halbleitermaterial umfasst und im Betrieb des Halbleiterchips (1) eine Strahlung emittiert oder empfängt; – eine strukturierte Schicht (20), die dreidimensionale Strukturen zur Auskoppelung oder Einkoppelung von Strahlung aufweist und die auf der ersten Hauptfläche (11) im Strahlengang (40) der aktiven Schicht (10) angeordnet ist, wobei die strukturierte Schicht (20) ein anorganisch-organisches Hybridmaterial umfasst.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：DE10112542B9
公开(公告)日：2013-01-03
申请号：DE10112542
申请日：2001-03-15
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： KRAEUTER GERTRUD DR , PLOESL ANDREAS DR , JACOB ULRICH DR
Abstract: Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement, mit – einer Schichtstruktur (30), die eine aktive Schicht (32) enthält, die im Betrieb Strahlung einer spektralen Verteilung (60) emittiert, – elektrischen Kontakten (36; 56, 38, 40) zur Einprägung eines Stroms in die Schichtstruktur (30), und – einer die aktive Schicht (32) zumindest teilweise umgebenden Vergütungsschicht (34; 44; 54), die ein Interferenzkantenfilter darstellt, das einen kurzwelligen Anteil der emittierten Strahlung (60) zurückhält und Strahlung einer dominanten Wellenlänge der in der aktiven Schicht (32) erzeugten Strahlung (60) transmittiert.
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公开(公告)号：DE10112542B4
公开(公告)日：2012-06-14
申请号：DE10112542
申请日：2001-03-15
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： KRAEUTER GERTRUD DR , PLOESL ANDREAS DR , JACOB ULRICH DR
Abstract: Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement, mit – einer Schichtstruktur (30), die eine aktive Schicht (32) enthält, die im Betrieb Strahlung einer spektralen Verteilung (60) emittiert, – elektrischen Kontakten (36; 56, 38, 40) zur Einprägung eines Stroms in die Schichtstruktur (30), und einer die aktive Schicht (32) zumindest teilweise umgebende Vergütungsschicht (34; 44; 54), die ein Interferenzkantenfilter darstellt, das einen kurzwelligen Anteil der emittierten Strahlung (60) zurückhält und Strahlung einer dominanten Wellenlänge der in der aktiven Schicht (32) erzeugten Strahlung (60) transmittiert.
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公开(公告)号：DE102011015725A1
公开(公告)日：2012-10-04
申请号：DE102011015725
申请日：2011-03-31
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： ZULL HERIBERT DR , PLOESL ANDREAS DR , PERZLMAIER KORBINIAN DR , VEIT THOMAS , KAEMPF MATHIAS , DENNEMARCK JENS DR , BOEHM BERND
IPC: H01L21/78 , H01L21/301 , H01L33/00
Abstract: Es wird ein Verfahren zum Vereinzeln eines Bauelementverbunds (1) in eine Mehrzahl von Bauelementbereichen (10) angegeben, bei dem ein Bauelementverbund mit einer Halbleiterschichtenfolge (2), die einen zur Erzeugung oder zum Empfangen von elektromagnetischer Strahlung vorgesehenen Bereich aufweist, bereitgestellt wird. Der Bauelementverbund wird an einem starren Hilfsträger (6) befestigt. Der Bauelementverbund wird in die Mehrzahl von Bauelementbereichen vereinzelt, wobei für jeden Bauelementbereich jeweils ein Halbleiterkörper (25) aus der Halbleiterschichtenfolge hervorgeht. Die Bauelementbereiche werden von dem Hilfsträger entfernt.
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公开(公告)号：DE102011014845A1
公开(公告)日：2012-09-27
申请号：DE102011014845
申请日：2011-03-23
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： SABATHIL MATTHIAS DR , LUGAUER HANS-JUERGEN DR , PLOESL ANDREAS DR , LINKOV ALEXANDER DR , RODE PATRICK
IPC: H01L33/50
Abstract: Es wird ein Licht emittierendes Halbleiterbauteil angegeben, mit – einem ersten Halbleiterkörper (1), der eine aktive Zone (11) umfasst, in der im Betrieb des Licht emittierenden Halbleiterbauteils elektromagnetische Strahlung erzeugt wird, die den ersten Halbleiterkörper (1) zumindest teilweise durch eine Strahlungsaustrittsfläche (1a) hindurch verlässt, und – einem zweiten Halbleiterkörper (2), der zur Konversion der elektromagnetischen Strahlung in konvertierte elektromagnetische Strahlung kleinere Wellenlänge geeignet ist, wobei – der erste Halbleiterkörper (1) und der zweite Halbleiterkörper (2) getrennt voneinander gefertigt sind, – der zweite Halbleiterkörper (2) elektrisch inaktiv ist, und – der zweite Halbleiterkörper (2) sich in direktem Kontakt mit der Strahlungsaustrittfläche (1a) befindet und dort verbindungsmittelfrei am ersten Halbleiterkörper (1) befestigt ist.
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公开(公告)号：DE102011011378A1
公开(公告)日：2012-08-16
申请号：DE102011011378
申请日：2011-02-16
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： GUENTHER EWALD KARL MICHAEL DR , ZULL HERIBERT DR , PLOESL ANDREAS DR , VEIT THOMAS , KAEMPF MATHIAS , DENNEMARCK JENS DR , BOEHM BERND , PERZLMAIER KORBINIAN DR
IPC: H01L23/14 , H01L29/86 , H01L29/861 , H01L33/00 , H01L33/64
Abstract: Es wird ein Trägersubstrat (10) für eine Halbleiterschichtenfolge angegeben, das eine erste Hauptfläche (11) und eine der ersten Hauptfläche gegenüberliegende zweite Hauptfläche (12) aufweist. Zwischen der ersten Hauptfläche und der zweiten Hauptfläche ist eine Diodenstruktur (2) ausgebildet, die die erste Hauptfläche von der zweiten Hauptfläche zumindest für eine Polarität einer elektrischen Spannung elektrisch isoliert. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung von Halbleiterchips (3) mit einem Trägersubstrat angegeben.
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