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    Strahlung emittierendes Bauelement und Verfahren zur Herstellung des Strahlung emittierenden Bauelements
    3.
    发明专利
    Strahlung emittierendes Bauelement und Verfahren zur Herstellung des Strahlung emittierenden Bauelements 未知

    公开(公告)号：DE102010034913A1

    公开(公告)日：2012-02-23

    申请号：DE102010034913

    申请日：2010-08-20

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： KRAEUTER GERTRUD DR ,  WIRTH RALPH DR

    IPC: H01L33/50 ,  H01S5/02

    Abstract: Eine Ausführungsform der Erfindung beschreibt ein Strahlung emittierendes Bauelement (1) umfassend: – eine Halbleitermaterialien enthaltende Strahlungsquelle (10), die im Betrieb eine erste Strahlung erster Wellenlänge emittiert; – einen transparenten Körper (20), der ein Matrixmaterial und einen anorganischen Füllstoff umfasst und der zumindest teilweise im Strahlengang (11) der ersten Strahlung angeordnet ist; und – ein Konvertermaterial (30), das zumindest teilweise im Strahlengang (11) der ersten Strahlung angeordnet ist und die erste Strahlung zumindest teilweise in eine zweite Strahlung mit einer zweiten, längeren Wellenlänge konvertiert. Dabei steht das Konvertermaterial (30) zumindest teilweise in einem thermisch leitenden Kontakt mit zumindest einem Teil des Füllstoffs des transparenten Körpers (20).

    Optoelektronisches Bauteil, Gehäuse hierfür und Verfahren zur Herstellung des optoelektronischen Bauteils
    5.
    发明专利
    Optoelektronisches Bauteil, Gehäuse hierfür und Verfahren zur Herstellung des optoelektronischen Bauteils 未知

    公开(公告)号：DE102010013317A1

    公开(公告)日：2011-10-06

    申请号：DE102010013317

    申请日：2010-03-30

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： KRAEUTER GERTRUD DR

    IPC: H01L33/48 ,  H01L23/02 ,  H01L31/0203 ,  H01S5/022

    Abstract: Es wird Gehäuse (1) für ein optoelektronisches Bauelement (7) mit einem Gehäusegrundkörper (2), der eine Ausnehmung (4) aufweist beschrieben. Die Oberfläche des Gehäusegrundkörpers ist zumindest im Bereich der Ausnehmung (4) zumindest teilweise aus einer Zusammensetzung gebildet, die mindestens einen Polyester und ein Weißpigment enthält. Der Polyester ist ausgewählt aus Polymeren oder Copolymeren aus mindestens einer aromatischen Dicarbonsäure und mindestens einer aliphatischen oder aromatischen Dihydoxyverbindung sowie aus Polymeren oder Copolymeren aus mindestens einer nicht aromatischen Dicarbonsäure und mindestens einer aromatischen Dihydoxyverbindung. Diese Polyester-Zusammensetzung weist zumindest einen Schmelzpunkt größer oder gleich 255°C auf. Es wird ferner ein Halbleiterbauteil mit einem derartigen Gehäuse und ein Verfahren zu dessen Herstellung beschrieben.

    Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement
    8.
    发明专利
    Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement 未知

    公开(公告)号：DE10109349B4

    公开(公告)日：2012-04-19

    申请号：DE10109349

    申请日：2001-02-27

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： KRAEUTER GERTRUD DR ,  BRUNNER HERBERT

    IPC: H01L33/50 ,  C09K11/06 ,  C09K11/77 ,  H01L33/56

    Abstract: Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement mit einem strahlungserzeugenden Halbleiterkörper (3), dem in Abstrahlungsrichtung ein strahlungsdurchlässiges Kunststoffelement (4, 7) nachgeordnet ist und der eine das Kunststoffelement (4, 7) schädigende Strahlung einer ersten Wellenlänge λ1 aussendet, dadurch gekennzeichnet, daß – das Emissionsspektrum des Halbleiterkörpers (3) ein Maximum bei einer Zentralwellenlänge λ0 aufweist, die zwischen 430 nm und 480 nm liegt, – in dem Kunststoffelement ein Strahlungskonverter (6) vorgesehen ist, der zumindest Teile der von dem Halbleiterkörper (3) emittierten Strahlung der ersten Wellenlänge λ1 in Strahlung einer größeren zweiten Wellenlänge λ2 umwandelt, die für das Kunststoffelement weniger schädigend ist, – die zweite Wellenlänge λ2 zwischen 470 nm und 500 nm liegt, und – der Strahlungskonverter (6) Sr6BP5O20:Eu enthält und das Emissionsmaximum des Strahlungskonverters (6) bei etwa 480 nm liegt.

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