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    HERSTELLUNG VON STRAHLUNGSEMITTIERENDEN HALBLEITERBAUELEMENTEN
    11.
    发明申请
    HERSTELLUNG VON STRAHLUNGSEMITTIERENDEN HALBLEITERBAUELEMENTEN 审中-公开
    辐射发射半导体元件的制备

    公开(公告)号：WO2018083187A1

    公开(公告)日：2018-05-11

    申请号：PCT/EP2017/078080

    申请日：2017-11-02

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： TANGRING, Ivar ,  RICHTER, Markus

    IPC: H01L33/50 ,  H01L33/00 ,  H01L33/46 ,  H01L33/60

    Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen von Strahlungsemittierenden Halbleiterbauelementen. Das Verfahren umfasst ein Bereitstellen einer Leuchtstoff enthaltenden Konversionsschicht und ein Anordnen von Strahlungsemittierenden Halbleiterchips auf der Konversionsschicht. Die Halbleiterchips werden mit einer Vorderseite auf der Konversionsschicht angeordnet. Die Halbleiterchips weisen Kontakte an einer Rückseite auf. Ein weiterer Schritt des Verfahrens ist ein Verdicken der Konversionsschicht neben und zwischen den Halbleiterchips durch Aufbringen einer Leuchtstoff enthaltenden Füllmasse. Die verdickte Konversionsschicht grenzt an die Vorderseite und an Seitenflächen der Halbleiterchips an. Das Verfahren umfasst ferner ein Ausbilden einer reflektiven Schicht auf der Konversionsschicht und auf den Halbleiterchips im Bereich der Rückseite der Halbleiterchips, wobei eine rückseitige Oberfläche der Kontakte der Halbleiterchips unbedeckt bleibt. Des Weiteren werden die reflektive Schicht und die Konversionsschicht durchtrennt, um vereinzelte Halbleiterbauelemente zu bilden, welche einen einzelnen Halbleiterchip, einen auf der Vorderseite und auf den Seitenflächen des Halbleiterchips angeordneten Teil der Konversionsschicht und einen im Bereich der Rückseite auf dem Halbleiterchip und auf der Konversionsschicht angeordneten Teil der reflektiven Schicht aufweisen. Die Erfindung betrifft darüber hinaus ein Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement.

    Abstract translation: 本发明涉及一种用于制造发射辐射的半导体组件的方法。 该方法包括提供包含磷光体的转换层并在转换层上设置发射辐射的半导体芯片。 半导体芯片在转换层上以正面布置。 半导体芯片在背面具有触点。 该方法的另一个步骤是通过应用含有发光材料的发光材料来增加半导体芯片旁边和半导体芯片之间的转换层的厚度。 增厚的转换层邻接半导体芯片的正面和侧面。 该方法还包括在形成转换层和R中导航的范围的半导体芯片上的反射层使用的半导体芯片的下侧，其中，A R导航用途ckseitige表面承受的半导体芯片表面的触点保持未被覆盖。 此外，所述反射层和所述转换层被切割，以形成包括一个单一的半导体芯片，一个在前面和Seitenfl BEAR设置在转换层的半导体芯片的部分的表面和R中导航的范围分离的半导体器件中的半导体芯片上使用后侧和 已经布置在反射层的转换层部分上。 本发明还涉及一种发射辐射的半导体器件

    VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUR HERSTELLUNG EINER LEUCHTDIODE
    14.
    发明申请
    VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUR HERSTELLUNG EINER LEUCHTDIODE 审中-公开
    方法和设备用于生产发光二极管

    公开(公告)号：WO2014091003A1

    公开(公告)日：2014-06-19

    申请号：PCT/EP2013/076575

    申请日：2013-12-13

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： GALLMEIER, Hans-Christoph ,  RICHTER, Markus ,  ALBRECHT, Tony ,  BAUMGARTNER, Alexander

    IPC: H01L33/50 ,  B05B1/00

    CPC classification number: H01L33/50 ,  H01L2933/0041

    Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung von mindestens einem Strahlung emittierenden Halbleiterbauelement (11) mit den folgenden Schritten angegeben: -Bereitstellen von mindestens einem Strahlung emittierenden Halbleiterchip (4) mit einer Oberseite (6) und mindestens einer Seitenfläche (7), die schräg zu der Oberseite (6) verläuft, -Aufbringen eines Konversionselements (8) auf die Oberseite (6) und/oder die mindestens eine Seitenfläche (7) mittels Aufsprühen, wobei das Konversionselement (8) aus einem Sprühmittel (2b) erzeugt wird, das ein Matrixmaterial und Konverterpartikel enthält.

    Abstract translation: 据说，包括以下步骤用于产生至少一个辐射的半导体器件（11）的方法包括： - 提供至少一个发射辐射的半导体芯片（4），其具有一个顶部（6）和至少一个侧表面（7），其是倾斜于 顶侧（6），在上面（6）和/或借助喷雾，雾化，所述至少一个侧表面（7），其中，所述转换元件（8）由喷雾装置产生-Aufbringen的转换元件（8）（图2b）包括基体材料 和转换器含有颗粒。

    OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUELEMENT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERBAUELEMENTS
    15.
    发明申请
    OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUELEMENT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERBAUELEMENTS 审中-公开
    光电半导体器件及其制造方法的光电子半导体器件

    公开(公告)号：WO2014090894A1

    公开(公告)日：2014-06-19

    申请号：PCT/EP2013/076271

    申请日：2013-12-11

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： BAUMGARTNER, Alexander ,  RICHTER, Markus ,  GALLMEIER, Hans-Christoph ,  ALBRECHT, Tony

    IPC: H01L33/50 ,  H01L33/58

    CPC classification number: H01L33/507 ,  H01L33/505 ,  H01L33/508 ,  H01L33/58

    Abstract: Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement (5) angegeben, das im Betrieb mischfarbige Strahlung emittiert. Das optoelektronische Halbleiterbauelement (5) umfasst einen optoelektronischen Halbleiterchip (1), ein mit einer Krümmung versehenes Konversionselement (4) und ein Abstandselement (3), das zwischen dem optoelektronischen Halbleiterchip (1) und dem Konversionselement (4) angeordnet ist und eine dem Konversionselement (4) zugewandte gekrümmte Oberfläche (3A) aufweist, wobei das Konversionselement (4) mit der gekrümmten Oberfläche (3A) in direktem Kontakt steht.

    Abstract translation: 本发明提供在操作期间发出混色辐射的光电子半导体器件（5）。 的光电子半导体器件（5）包括一个光电子半导体芯片（1），设置有曲率转换元件（4）和所述光电子半导体芯片（1）和（4）设置在所述转换元件和转换元件之间的间隔件（3） （4）面向曲面（3A），其中，所述转换元件（4）与所述弯曲表面（3A）是在直接接触。

    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES KONVERSIONSPLÄTTCHENS UND KONVERSIONSPLÄTTCHEN
    16.
    发明申请
    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES KONVERSIONSPLÄTTCHENS UND KONVERSIONSPLÄTTCHEN 审中-公开
    用于生产转换和转换板板

    公开(公告)号：WO2012052271A1

    公开(公告)日：2012-04-26

    申请号：PCT/EP2011/066905

    申请日：2011-09-28

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  RICHTER, Markus

    Inventor： RICHTER, Markus

    IPC: H01L33/50

    CPC classification number: H01L33/502 ,  H01L21/4867 ,  H01L21/56 ,  H01L33/44 ,  H01L33/48 ,  H01L33/50 ,  H01L51/004

    Abstract: Es ist ein Verfahren zur Herstellung zumindest eines Konversionsplättchens (4) für ein strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement angegeben, bei dem ein Grundmaterial (3) mit darin enthaltenem Konversionsstoff mittels einer doppelschichtigen Schablone (1) auf ein Substrat (2) aufgebracht wird. Weiter ist ein Konversionsplättchen (4) für ein strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement angegeben, das ein Grundmaterial (3) und einen darin eingebetteten Konversionsstoff aufweist, wobei die Dicke (D 2 ) des Konversionsplättchens (4) in einem Bereich zwischen einschließlich 60 μm und einschließlich 170 μm liegt.

    Abstract translation: 它被用于发射辐射的半导体元件，用于产生至少一个转换板（4），其中的基体材料（3）具有由（2）施加在基片上的双层掩模（1）的装置包含在其中转换材料的方法指定。 此外，转换板（4），给出了一个发射辐射的半导体部件，其包括基体材料（3）和嵌入的转换材料，其中所述转换板（4）的厚度（D2）是在60微米和包括170微米之间的范围。

    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES KONVERSIONSPLÄTTCHENS UND KONVERSIONSPLÄTTCHEN
    17.
    发明公开
    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES KONVERSIONSPLÄTTCHENS UND KONVERSIONSPLÄTTCHEN 审中-公开
    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINESKONVERSIONSPLÄTTCHENSUNDKONVERSIONSPLÄTTCHEN

    公开(公告)号：EP2630668A1

    公开(公告)日：2013-08-28

    申请号：EP11764159.7

    申请日：2011-09-28

    Applicant: OSRAM Opto Semiconductors GmbH

    Inventor： RICHTER, Markus

    IPC: H01L33/50

    CPC classification number: H01L33/502 ,  H01L21/4867 ,  H01L21/56 ,  H01L33/44 ,  H01L33/48 ,  H01L33/50 ,  H01L51/004

    Abstract: A method for producing at least one conversion lamina (4) for a radiation-emitting semiconductor component is specified, wherein a base material (3) comprising conversion substance contained therein is applied to a substrate (2) by means of a double-layered stencil (1). Furthermore, a conversion lamina (4) for a radiation-emitting semiconductor component is specified, which comprises a base material (3) and a conversion substance embedded therein, wherein the thickness (D
    2 ) of the conversion lamina (4) is in a range of between 60 µm and 170 µm inclusive.

    Abstract translation: 规定了用于产生辐射发射半导体部件的至少一个转化层的方法。 将包含其中的转化物质的基材通过双层模板施加到基板上。 此外，用于辐射发射半导体部件的转换层包括基材和嵌入其中的转化物质。 转化层的厚度在60μm〜170μm的范围内。

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