公开(公告)号：WO2021043901A1

公开(公告)日：2021-03-11

申请号：PCT/EP2020/074593

申请日：2020-09-03

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： TANGRING, Ivar

IPC: H01L33/60 ,  H01L33/44 ,  H01L33/48 ,  H01L33/50 ,  H01L33/62

Abstract: In mindestens einer Ausführungsform umfasst das optoelektronische Bauelement (100) einen Träger (1) mit einer Montagefläche (10), einen optoelektronischen Halbleiterchip (2), eine dielektrische Schutzschicht (31) und eine Verkapselung (32). Die dielektrische Schutzschicht (31) ist in einem Chipmontagebereich (11) direkt auf die Montagefläche (10) aufgebracht. Der optoelektronische Halbleiterchip (2) ist im Chipmontagebereich (11) auf die dielektrische Schutzschicht (31) aufgebracht und elektrisch leitend mit dem Träger (1) verbunden. Die Verkapselung (32) ist in einem Bereich neben dem Chipmontagebereich (11) direkt auf die Montagefläche (10) aufgebracht und in einem Überlappbereich (312) direkt auf die dielektrische Schutzschicht (31) aufgebracht.

公开(公告)号：WO2021032512A1

公开(公告)日：2021-02-25

申请号：PCT/EP2020/072316

申请日：2020-08-07

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： TANGRING, Ivar

IPC: H01L33/44 ,  H01L33/46 ,  H01L33/22

Abstract: In mindestens einer Ausführungsform umfasst der optoelektronische Halbleiterchip einen Halbleiterkörper mit einer Oberseite und quer zur Oberseite verlaufenden Flanken, die den Halbleiterkörper in einer lateralen Richtung begrenzen. Die Flanken sind jeweils mit einer ersten Passivierungsschicht bedeckt. Im Bereich der Flanken ist jeweils zwischen der ersten Passivierungsschicht und dem Halbleiterkörper eine zweite Passivierungsschicht angeordnet, wobei der Brechungsindex der zweiten Passivierungsschicht kleiner als der Brechungsindex der ersten Passivierungsschicht ist. Mit den Brechungsindices sind die Brechungsindices für die von der aktiven Schicht im Betrieb erzeugte Strahlung gemeint.

公开(公告)号：WO2017162821A2

公开(公告)日：2017-09-28

申请号：PCT/EP2017/056985

申请日：2017-03-23

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： SCHLERETH, Thomas ,  RACHKOVA, Elena ,  BESTELE, Michael ,  TANGRING, Ivar

IPC: F21K9/232 ,  F21K9/60 ,  H01L25/075 ,  H01L33/50 ,  H01L33/58

CPC classification number: F21K9/232 ,  F21K9/275 ,  F21Y2103/10 ,  F21Y2115/10 ,  H01L25/0753 ,  H01L33/50 ,  H01L33/505 ,  H01L33/54 ,  H01L33/62 ,  H01L2933/0041 ,  H01L2933/005 ,  H01L2933/0091

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Filament mit einer Mehrzahl von lichtemittierenden Halbleiterchips, die auf einem Träger angeordnet und elektrisch kontaktiert sind. Es ist eine Streustruktur vorgesehen, die eingerichtet ist, Licht der lichtemittierenden Halbleiterchips zu streuen, und die mittels einer Strukturierung einer Oberfläche ausgeführt ist. Außerdem betrifft die Erfindung ein Leuchtmittel mit einem solchen Filament, einem Kolben aus einem transparenten Material und einer elektrischen Kontaktierung, die mit dem Filament elektrisch leitfähig verbunden ist. Der Kolben ist mit einem Gas gefüllt ist. Ferner betrifft die Erfindung ein Verfahren zur Herstellung eines Filaments, bei dem ein Konverter durch einen Spritzgussprozess erzeugt wird und eine Strukturierung einer Oberfläche des Konverters durch die Form des Spritzgusswerkzeugs erzielt wird. Außerdem betrifft die Erfindung ein Verfahren zur Herstellung eines Filaments, bei dem eine Strukturierung einer Unterseite eines Trägers durch einen Säge-, Schleif-, Ätz- oder Laserstrukturierungsprozess erzeugt wird.

Abstract translation: 本发明涉及一种具有多个发光半导体芯片的灯丝，所述发光半导体芯片布置在载体上并且电接触。 提供散射结构，散射结构被配置为漫射发光半导体芯片的光并且通过图案化表面而形成。 此外，本发明涉及一种具有这种灯丝的发光器件，透明材料的灯泡以及与灯丝导电连接的电触点。 活塞充满气体。 此外，本发明涉及一种用于制造灯丝的方法，其中通过注射成型工艺来生产转换器，并且通过注射成型工具的形状来实现转换器的表面的结构化。 另外，本发明涉及一种制造长丝的方法，其中通过锯，研磨，蚀刻或激光图案化工艺来制造背衬的底表面的结构化

公开(公告)号：WO2021058540A1

公开(公告)日：2021-04-01

申请号：PCT/EP2020/076529

申请日：2020-09-23

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： TANGRING, Ivar

IPC: H01L33/14 ,  H01L33/40

Abstract: Es wird ein strahlungsemittierender Halbleiterchip (1) angegeben, der dazu ausgebildet ist, im Betrieb elektromagnetische Strahlung von einer Strahlungsaustrittsfläche (2) auszusenden, mit: - einem Träger (3), auf dem eine erste epitaktische Halbleiterschichtenfolge (4) eines ersten Leitfähigkeitstyps und eine zweite epitaktische Halbleiterschichtenfolge (5) eines vom ersten Leitfähigkeitstyp verschiedenen zweiten Leitfähigkeitstyps angeordnet sind, - einer ersten Stromaufweitungsschicht (7), die zwischen der ersten Halbleiterschichtenfolge (4) und dem Träger (3) angeordnet ist, - einer zweiten Stromaufweitungsschicht (8), die zwischen der ersten Stromaufweitungsschicht (7) und dem Träger (3) angeordnet ist, - einer dielektrischen Schicht (9), die bereichsweise zwischen der ersten Stromaufweitungsschicht (7) und der zweiten Stromaufweitungsschicht (8) angeordnet ist, - einer reflektierenden Schicht (10), die zwischen der zweiten Stromaufweitungsschicht (8) und dem Träger (3) angeordnet ist, und - einer elektrisch isolierenden Schicht (11), die bereichsweise zwischen der zweiten Stromaufweitungsschicht (8) und der reflektierenden Schicht (10) angeordnet ist.

公开(公告)号：WO2019197465A1

公开(公告)日：2019-10-17

申请号：PCT/EP2019/059082

申请日：2019-04-10

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： O'BRIEN, David ,  TANGRING, Ivar ,  MUELLER, Vesna

IPC: H01L33/50

Abstract: Ein optoelektronisches Bauelement (10, 20) umfasst einen optoelektronischen Halbleiterchip (100, 200) mit optoelektronischen Halbleiterschichten (115, 116, 117, 215, 216, 217), die geeignet sind, elektromagnetische Strahlung (15) zu erzeugen. Die optoelektronischen Halbleiterschichten (115, 116, 117, 215, 216, 217) umfassen eine erste Halbleiterschicht (115, 215), aus der die erzeugte elektromagnetische Strahlung (15) auskoppelbar ist. Das optoelektronische Bauelement (10, 20) umfasst ferner eine Passivierungsschicht (120, 220) in direktem Kontakt mit einer ersten Hauptoberfläche (110, 210) der ersten Halbleiterschicht (115, 215). Die Passivierungsschicht (120, 220) enthält Quantenpunkt-Teilchen (121, 221), welche geeignet sind, eine Wellenlängeder erzeugten elektromagnetischen Strahlung (15) zu konvertieren.

公开(公告)号：WO2019034737A1

公开(公告)日：2019-02-21

申请号：PCT/EP2018/072239

申请日：2018-08-16

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： TANGRING, Ivar ,  BELLYNCK, Gregory

IPC: H01L33/50 ,  H01L33/52

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung. Das Verfahren umfasst ein Bereitstellen eines Trägers mit einem auf dem Träger angeordneten Halb- leiterbauelement, und ein Bereitstellen einer an das Halbleiterbauelement angrenzenden Schichtanordnung auf dem Träger, welche eine erste und eine zweite fließfähige Schichtaufweist. Die erste Schichtwird auf dem Träger ausgebildet. Nachfolgend wird die zweite Schichtauf der ersten Schicht ausgebildet. Die erste Schichtweist Partikel auf. Eine Dichte der ersten Schichtist größer als eine Dichte der zweiten Schicht. Es tritt eine seitliche Benetzung des Halbleiterbauelements mit der ersten Schichtauf, so dass die erste Schichteine erste Ausgestaltung mit einer gekrümmten Schichtoberfläche seitlich des Halbleiterbauelements aufweist. Das Verfahren umfasst ferner ein Zentrifugieren des mit dem Halbleiterbauelement und der Schichtanordnung versehenen Trägers, so dass die Krümmung der Schichtoberfläche der ersten Schichtseitlich des Halbleiterbauelements wenigstens verringert wird und die erste Schichtdadurch eine zweite Ausgestaltung aufweist. Mit Hilfe der auf der ersten Schicht angeordneten zweiten Schichtwird unterdrückt, dass die erste Schichtwieder die erste Ausgestaltung einnimmt. Die Erfindung betrifft des Weiteren eine Halbleitervorrichtung.

公开(公告)号：WO2018007253A1

公开(公告)日：2018-01-11

申请号：PCT/EP2017/066283

申请日：2017-06-30

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： TANGRING, Ivar

IPC: H01L33/50

CPC classification number: H01L33/508 ,  H01L33/505 ,  H01L33/507 ,  H01L2933/0041

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen einer optoelektronischen Leuchtvorrichtung und eine optoelektronische Leuchtvorrichtung. Die Erfindung stellt ein effizientes technisches Konzept be- reit, welches in effizienter Weise eine Auskopplung von elektromagnetischer Strahlung aus einem Volumenstrahler-LED- Chip und einen Wirkungsgrad des Volumenstrahler-LED-Chips er- höhen kann. Dies wird insbesondere dadurch erreicht, dass an Seitenflächen des Volumenstrahler-LED-Chips ein Rahmenelement aus einem optischen Werkstoff vorgesehen ist, in welchem eine Konversionsschicht mit einem hohen Konzentrationsgrad an Leuchtstoffpartikeln ausgebildet ist, die an einenstrah- lungserzeugenden Bereich des Volumenstrahler-LED-Chips an- grenzt.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于制造光电子发光装置的方法和一种光电子发光装置。 本发明提供了一种有效的技术构思，能够有效地获得来自体散热器LED芯片的电磁辐射的解耦以及体散热器LED芯片的效率。 这尤其在于在Seitenfl BEAR实现框架构件从体积发光LED芯片的光学材料的表面，其中具有高度的荧光体粒子的浓度的形成为einenstrah-发射体积LED的肺产生部分的转换层提供 芯片毗连。

公开(公告)号：WO2023012091A1

公开(公告)日：2023-02-09

申请号：PCT/EP2022/071517

申请日：2022-08-01

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： TANGRING, Ivar

IPC: H01L21/033 ,  H01L33/44

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Halbleiterbauelement mit einer funktionellen Halbleiterschichtenfolge mit einer Oberfläche. Auf der einem Teilbereich der Oberfläche ist eine Schicht aufgebracht, die einen ersten Teilbereich und einen den ersten Teilbereich umschließenden zweiten Teilbereich umfasst. Der erste Teilbereich hat eine definierte Dicke mit einer im wesentlichen planparallele Oberfläche zur Oberfläche der funktionellen Schichtenfolge; eine Dicke des zweiten Teilbereichs nimmt ausgehend von dem ersten Teilbereich, insbesondere stetig, ab.

公开(公告)号：WO2021083838A1

公开(公告)日：2021-05-06

申请号：PCT/EP2020/080046

申请日：2020-10-26

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： TANGRING, Ivar ,  LINDBERG, Gudrun ,  GERINGER, Viktor ,  HUPPMANN, Sophia

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/38 ,  H01L33/62

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements (1) aufweisend die folgenden Schritte angegeben: A) Bereitstellen einer Mehrzahl von Halbleiterchips (10), die an einem Träger (50) angeordnet sind, B) Anordnen eines Hilfsträgers (60) auf der von dem Träger (50) abgewandten Seite der Halbleiterchips (10), C) Entfernen des Trägers (50), D) Vereinzeln des Hilfsträgers (60) zwischen den Halbleiterchips (10) zu Hilfsträger-Chip-Einheiten (2), die jeweils mindestens einen Halbleiterchip (10) und ein an diesen angrenzendes Hilfsträgerteil (61) aufweisen, E) Anordnen der Hilfsträger-Chip-Einheiten (2) an jeweils einen Anschlussträger (30), und F) Entfernen jeweils eines Hilfsträgerteils (61) von jeweils einer Hilfsträger-Chip-Einheit (2). Es wird ferner ein optoelektronisches Halbleiterbauelement (1) angegeben.

公开(公告)号：WO2020200881A1

公开(公告)日：2020-10-08

申请号：PCT/EP2020/057988

申请日：2020-03-23

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： TANGRING, Ivar

IPC: H01L33/22 ,  H01L33/44 ,  H01L33/38

Abstract: Ein optoelektronisches Halbleiterbauelement (10) umfasst eine erste Halbleiterschicht (110) von einem ersten Leitfähigkeitstyp und eine zweite Halbleiterschicht (120) von einem zweiten Leitfähigkeitstyp, eine dielektrische Schicht (105), sowie eine transparente leitfähige Schicht (107). Die erste und die zweite Halbleiterschicht (110, 120) sind unter Ausbildung eines Schichtstapels übereinander gestapelt, und eine erste Hauptoberfläche (111) der ersten Halbleiterschicht (110) ist aufgeraut. Die dielektrische Schicht (105) ist über der ersten Hauptoberfläche (111) der ersten Halbleiterschicht (110) angeordnet und hat eine planare erste Hauptoberfläche auf der von der ersten Halbleiterschicht abgewandten Seite. Die transparente leitfähige Schicht (107) ist über der von der ersten Halbleiterschicht abgewandten Seite der dielektrischen Schicht (105) angeordnet.