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    HALBLEITERDIODE UND VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINER HALBLEITERDIODE
    2.
    发明申请
    HALBLEITERDIODE UND VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINER HALBLEITERDIODE 审中-公开
    半导体二极管及其制造方法半导体二极管

    公开(公告)号：WO2011101280A1

    公开(公告)日：2011-08-25

    申请号：PCT/EP2011/051925

    申请日：2011-02-10

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  ALBRECHT, Tony ,  MAUTE, Markus ,  REUFER, Martin ,  ZULL, Heribert

    Inventor： ALBRECHT, Tony ,  MAUTE, Markus ,  REUFER, Martin ,  ZULL, Heribert

    IPC: H01L33/38

    CPC classification number: H01L33/38 ,  H01L33/025 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2933/0016 ,  H01L2924/00

    Abstract: Eine Halbleiterdiode weist eine ersten Halbleiterschicht (102) eines ersten Leitungstyps und eine zweite Halbleiterschicht eines zweiten Leitungstyps mit einer Dotierung auf. Die zweite Halbleiterschicht weist einen mit der ersten Halbleiterschicht verbundenen vertikalen Durchkontaktierungsbereich (106) auf, in der die Dotierung derart verändert ist, dass der Durchkontaktierungsbereich (106) den ersten Leitungstyp aufweist. Es wird ein Verfahren zum Herstellen einer solchen Halbleiterdiode beschrieben.

    Abstract translation: 的半导体二极管包括第一导电类型并且具有掺杂的第二导电类型的第二半导体层的第一半导体层（102）。 所述第二半导体层具有连接到所述第一半导体层通过连接区域（106）垂直，其中所述掺杂发生改变，使得通过具有所述第一导电类型的连接区域（106）的输出。 提供了一种制造这种半导体二极管中描述的方法。

    STRAHLUNGSEMITTIERENDER HALBLEITERCHIP
    3.
    发明申请
    STRAHLUNGSEMITTIERENDER HALBLEITERCHIP 审中-公开
    发射辐射的半导体芯片

    公开(公告)号：WO2009135457A1

    公开(公告)日：2009-11-12

    申请号：PCT/DE2009/000546

    申请日：2009-04-17

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  RODE, Patrick ,  HÖPPEL, Lutz ,  ENGL, Karl ,  ALBRECHT, Tony

    Inventor： RODE, Patrick ,  HÖPPEL, Lutz ,  ENGL, Karl ,  ALBRECHT, Tony

    IPC: H01L25/16

    CPC classification number: H01L25/167 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/382 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    Abstract: Es wird ein strahlungsemittierender Halbleiterchip (1) angegeben, der einen Träger (5), einen Halbleiterkörper (2) mit einer Halbleiterschichtenfolge, einen ersten Kontakt (35) und einen zweiten Kontakt (36) aufweist. Die Halbleiterschichtenfolge umfasst einen zur Erzeugung von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich (20), der zwischen einer ersten Halbleiterschicht (21) und einer zweiten Halbleiterschicht (22) angeordnet ist. Der Träger (5) weist eine dem Halbleiterkörper (2) zugewandte Hauptfläche (51) auf. Die erste Halbleiterschicht (21) ist auf der der Hauptfläche (51) des Trägers (5) zugewandten Seite des aktiven Bereichs (20) angeordnet und mittels des ersten Kontakts (35) elektrisch kontaktierbar. Die zweite Halbleiterschicht (22) ist mittels des zweiten Kontakts (36) elektrisch kontaktierbar. Eine Schutzdiode (4) ist in einem Strompfad ausgebildet, der zwischen dem ersten Kontakt (35) und dem zweiten Kontakt (36) durch den Träger (5) verläuft.

    Abstract translation: 它是一种发射辐射的半导体芯片被指定（1），支撑件（5），其具有半导体层序列的半导体主体（2），第一接触（35）和第二接触（36）。 半导体层序列包括打算用于第一半导体层（21）和被布置在第二半导体层（22）之间产生辐射激活区（20）。 该载体（5）具有在面对主表面（51）的半导体主体（2）。 在第一半导体层（21）由所述第一接触（35）的装置面对所述有源区（20）的侧上的载体（5）的与主表面（51）电接触。 所述第二半导体层（22）被电由第二接触（36）的装置接触。 形成在（35）的第一接触之间的电流路径的保护二极管（4）和所述通过所述载体（5）的第二接触（36）。

    VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES LUMINESZENZDIODENCHIPS UND LUMINESZENZDIODENCHIP
    4.
    发明申请
    VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES LUMINESZENZDIODENCHIPS UND LUMINESZENZDIODENCHIP 审中-公开
    一种用于生产LED芯片的LED芯片和

    公开(公告)号：WO2008116439A1

    公开(公告)日：2008-10-02

    申请号：PCT/DE2008/000403

    申请日：2008-03-06

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  ALBRECHT, Tony ,  FISCHER, Helmut ,  WEININGER, Irene

    Inventor： ALBRECHT, Tony ,  FISCHER, Helmut ,  WEININGER, Irene

    IPC: H01L33/00

    CPC classification number: H01L33/50 ,  H01L33/44 ,  H01L2933/0041

    Abstract: Es wird ein Verfahren zum Herstellen mindestens eines Lumineszenzdiodenchips (1) angegeben, der mit einem Lumineszenzkonversionsmaterial (2) versehen ist, das mindestens eine Leuchtstoff (22) aufweist. Ein Grundkörper (4) wird bereitgestellt, der eine Schichtenfolge für den Lumineszenzdiodenchip (1) aufweist, die geeignet ist, eine elektromagnetische Strahlung zu emittieren. Auf zumindest einer Hauptfläche des Grundkörpers (41) wird eine Deckschicht (21) aufgebracht. Gemäß einer vorgestellten Ausführungsform ist die Deckschicht (21) photostrukturierbar. In die Deckschicht (21) wird mindestens eine Kavität (31, 32) eingebracht. Es wird mindestens ein Leuchtstoff (22) auf die Deckschicht (21) aufgebracht und eine Haftung zwischen zumindest einem Teil des Leuchtstoffs (22) und der Deckschicht (21) ausgebildet oder verstärkt. Zudem wird ein mit dem Verfahren hergestellter Lumineszenzdiodenchip (1) angegeben.

    Abstract translation: 提供了一种用于产生至少一个LED芯片（1），其设置有发光转换材料（2）的方法，包括至少一种磷光体（22）。 的基体（4）被提供，其具有用于将LED芯片（1），其适于发射电磁辐射的层序列。 在基体（41）的覆盖层（21）的至少一个主表面被施加。 据呈现的一个实施例中，顶层（21）被光构。 在外层（21）的至少一个空腔（31，32）被引入。 有至少一种磷光体（22）的覆盖层（21）沉积和形成或增强荧光体（22）和覆盖层（21）的至少一部分之间的粘合上。 此外，通过（1）中指定的发光二极管芯片的方法来制造。

    MONOLITHISCHER OPTISCH GEPUMPTER VCSEL MIT SEITLICH ANGEBRACHTEM KANTENEMITTER
    5.
    发明申请
    MONOLITHISCHER OPTISCH GEPUMPTER VCSEL MIT SEITLICH ANGEBRACHTEM KANTENEMITTER 审中-公开
    带侧连接棱边发射单片光泵VCSEL

    公开(公告)号：WO2005048424A1

    公开(公告)日：2005-05-26

    申请号：PCT/DE2004/002477

    申请日：2004-11-09

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  ALBRECHT, Tony ,  BRICK, Peter ,  LUTGEN, Stephan

    Inventor： ALBRECHT, Tony ,  BRICK, Peter ,  LUTGEN, Stephan

    IPC: H01S5/183

    CPC classification number: H01S5/041 ,  H01S5/026 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/14 ,  H01S5/183 ,  H01S5/209 ,  H01S5/4031 ,  H01S5/4056

    Abstract: Die Erfindung betrifft eine Halbleiterlaservorrichtung mit einem optisch gepumpten, oberflächenemittierenden Vertikalemitterbereich (2), der eine aktive strahlungserzeugende Vertikalemitterschicht (3) aufweist und mindestens eine monolithisch integrierte Pumpstrahlungsquelle (5) zum optischen Pumpen des Vertikalemitterbereichs (2), die eine aktive strahlungserzeugende Pumpschicht (6) aufweist. Erfindungsgemäß ist die Pumpschicht (6) der Vertikalemitterschicht (3) in vertikaler Richtung nachgeordnet und es ist eine leitende Schicht (13) zwischen der Vertikalemitterschicht (3) und der Pumpschicht (6) vorgesehen. Weiterhin ist auf der Seite der Halbleiterlaservorrichtung, die sich näher an der Pumpschicht (6) als an der leitenden Schicht (13) befindet, ein Kontakt (9) aufgebracht. Zwischen diesem Kontakt (9) und der leitenden Schicht (13) ist ein elektrisches Feld zur Erzeugung von Pumpstrahlung (7) durch Ladungsträgerinjektion anlegbar.

    Abstract translation: 本发明涉及一种半导体激光装置与光泵浦表面发射（2）具有活性产生辐射的垂直发射层（3）垂直射极区和至少一个单片集成泵浦辐射源（5），用于光学泵浦所述垂直发射极区域（2），活性放射线产生泵层（6 ）了。 根据本发明的垂直发射层（3）的泵层（6）在垂直方向的下游侧布置并且在垂直发射层（3）和泵层（6）之间的导电层（13）。 此外，（9）接触是在半导体激光装置，其位于比所施加的导电层（13）更靠近所述泵层（6）的一侧。 该接触（9）和导电层（13）之间的是用于通过载流子注入来产生泵浦辐射（7）可以被施加电场。

    RINGLICHTMODUL UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES RINGLICHTMODULS
    6.
    发明申请
    RINGLICHTMODUL UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES RINGLICHTMODULS 审中-公开
    环形模块和制造环形模块的方法

    公开(公告)号：WO2014048798A2

    公开(公告)日：2014-04-03

    申请号：PCT/EP2013/069274

    申请日：2013-09-17

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： ALBRECHT, Tony ,  SCHLERETH, Thomas ,  SCHULZ, Roland ,  GÄRTNER, Christian ,  BESTELE, Michael ,  MARFELD, Jan ,  KIRSCH, Markus ,  KAISER, Stephan

    IPC: F21V7/00

    CPC classification number: F21V7/0008 ,  F21K9/62 ,  F21K9/64 ,  F21V7/048 ,  F21V13/04 ,  F21Y2103/33 ,  F21Y2113/13 ,  F21Y2115/10

    Abstract: In mindestens einer Ausführungsform umfasst das Ringlichtmodul (1) mehrere erste und mehrere zweite Licht emittierende optoelektronische Halbleiterbauteile (2) mit je einer Hauptemissionsrichtung (20), wobei die ersten Halbleiterbauteile eine von den zweiten Halbleiterbauteilen verschiedene spektrale Emission aufweisen. Das Ringlichtmodul (1) beinhaltet einen Reflektor (3), der eine gekrümmte Reflexionsfläche aufweist (30). Es sind die Halbleiterbauteile (2) an einem Träger (4) angebracht. Die Halbleiterbauteile(2) sind, in Draufsicht auf die Reflexionsfläche (30) gesehen, entlang einer Anordnungslinie (42) ringförmig um die Reflexionsfläche (42) herum angeordnet. In einem Zentrum (44) weist der Reflektor (3) eine maximale Höhe auf, bezogen auf eine Bodenseite (40) des Ringlichtmoduls (1). Das Zentrum (44) befindet sich in einer geometrischen Mitte einer von der Anordnungslinie (42) umschlossenen Innenfläche. In Draufsicht auf die Reflexionsfläche (30) gesehen, weisen die Hauptemissionsrichtungen (20), mit einer Toleranz von höchstens 15°, je zu dem Zentrum (44) hin.

    Abstract translation:

    在至少一个示例性导航用途货币形成环形光模块（1）包括多个第一和多个第二发光光电半导体部件（2）的每一个都具有一个主发光方向（20），其中，从所述第二半导体器件的第一半导体组件不同 有光谱发射。 环形灯模块（1）包括具有弯曲反射表面（30）的反射器（3）。 半导体器件（2）安装在载体（4）上。 半导体部件（2）是，在看到车（30）的Reflexionsfl BEAR的平面图，沿着装配线（42）环状地＆OUML; RMIG所述Reflexionsfl BEAR表面（42）布置成围绕。 在一个中心（44），反射器（3）具有最大H＆ouml;到他基于所述环形发光模块（1）的底侧（40）。 中心（44）位于由排列线（42）包围的内表面的几何中心。 在看到车（30）的Reflexionsfl BEAR的平面图具有主发射方向（20），具有的H＆ouml一个公差; chstens 15°;，根据中心（44）朝着。

    LUMINESZENZDIODENCHIP MIT STROMAUFWEITUNGSSCHICHT UND VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG
    7.
    发明申请
    LUMINESZENZDIODENCHIP MIT STROMAUFWEITUNGSSCHICHT UND VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG 审中-公开
    LED芯片MIT电流扩展层FOR和方法及其

    公开(公告)号：WO2007076743A1

    公开(公告)日：2007-07-12

    申请号：PCT/DE2006/002046

    申请日：2006-11-21

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  HAHN, Berthold ,  WIRTH, Ralph ,  ALBRECHT, Tony ,  AHLSTEDT, Magnus ,  ILLEK, Stefan ,  STREUBEL, Klaus

    Inventor： HAHN, Berthold ,  WIRTH, Ralph ,  ALBRECHT, Tony ,  AHLSTEDT, Magnus ,  ILLEK, Stefan ,  STREUBEL, Klaus

    IPC: H01L33/00

    CPC classification number: H01L33/145 ,  H01L33/42

    Abstract: Es wird ein Lumineszenzdiodenchip angegeben, der mindestens ein Strombarriere aufweist. Die Strombarriere ist geeignet, die Erzeugung der Strahlung in einem von dem elektrischen Anschlusskörper lateral bedeckten Bereich durch eine verringerte Stromdichte selektiv zu verhindern oder zu verringern. Die Stromaufweitungsschicht enthält mindestens ein TCO (Transparent Conductive Oxide). In einer besonders bevorzugten Ausführungsform ist mindestens eine Strombarriere enthalten, die Material der epitaktischen Halbleiterschichtenfolge, Material der Stromaufweitungsschicht und/oder eine Grenzfläche zwischen der Halbleiterschichtenfolge und der Stromaufweitungsschicht aufweist. Es wird weiterhin ein Verfahren zur Herstellung eines Lumineszenzdiodenchips angegeben.

    Abstract translation: 提供了一种具有至少一个流动屏障的LED芯片。 电流阻挡适于防止辐射的产生以横向通过所述电连接器本体部分覆盖的减小的电流密度选择性或减小。 电流扩展层包括至少一个TCO（透明导电氧化物）。 在特别优选的实施方案中，包括至少一个电流阻挡层，其包括外延半导体层序列的材料，所述电流扩展层材料和/或半导体层序列和所述电流扩展层之间的界面。 还提供了用于制造LED芯片的方法。

    OBERFLÄCHENEMITTIERENDES HALBLEITERLASERBAUELEMENT MIT EINER VERTIKALEN EMISSIONSRICHTUNG
    8.
    发明申请
    OBERFLÄCHENEMITTIERENDES HALBLEITERLASERBAUELEMENT MIT EINER VERTIKALEN EMISSIONSRICHTUNG 审中-公开
    具有垂直发射方向表面发光半导体激光元件

    公开(公告)号：WO2005117070A2

    公开(公告)日：2005-12-08

    申请号：PCT/DE2005/000791

    申请日：2005-04-29

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  STEIN, Wilhelm ,  ALBRECHT, Tony ,  BRICK, Peter

    Inventor： STEIN, Wilhelm ,  ALBRECHT, Tony ,  BRICK, Peter

    IPC: H01L21/00

    CPC classification number: H01S5/18394 ,  H01S3/109 ,  H01S5/0215 ,  H01S5/0217 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/141 ,  H01S5/18355 ,  H01S5/18386 ,  H01S2301/18

    Abstract: Es wird ein oberflächenemittierendes Halbleiterlaser-Bauelement, insbesondere elektrisch gepumptes Halbleiterlaser-Bauelement, mit einer vertikalen Emissionsrichtung angegeben, das zur Erzeugung von Laserstrahlung mittels eines externen optischen Resonators (4,5) vorgesehen ist, umfassend einen Halbleiterkörper mit einer Halbleiterschichtenfolge (2), die eine laterale Haupterstreckungsrichtung und eine zur Strahlungserzeugung vorgesehene aktive Zone (3) aufweist, wobei innerhalb des Resonators eine strahlungsdurchlässige Kontaktschicht (6) angeordnet und mit dem Halbleiterkörper elektrisch leitend verbunden ist.

    Abstract translation: 它是一种表面发射半导体激光器元件，特别是电泵浦半导体激光装置，具有垂直发射方向，这是由一个外部光谐振器（4,5）的装置，提供了一种用于激光辐射的产生，包括：具有半导体层序列的半导体主体（2）所示 具有延伸的横向主方向和提供用于产生辐射活性区（3）被布置在所述腔内的透射辐射的接触层（6）和电连接到所述半导体基体。

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