Abstract:
Es umfasst das optoelektronische Halbleiterbauteil (1) mindestens vier verschiedene Lichtquellen (11, 12, 13, 14) mit je einem optoelektronischen Halbleiterchip (10). Im Betrieb emittieren die Lichtquellen (11, 12, 13, 14) eine Strahlung mit voneinander verschiedenen Farborten (A, B, C, D) in der CIE-Normfarbtafel. Zumindest zwei der Farborte (A, B, C, D) liegen in der CIE-Normfarbtafel bevorzugt auf einer gemeinsamen Isothermen (I) oder auf einer gemeinsamen Verlängerungsgeraden (E), die eine Isotherme (I) verlängert. Die Farborte (A, B, C, D) liegen dann mit einer Toleranz von höchstens einer Drei-Schritte-MacAdam-Ellipse auf der Isothermen (I) oder der Verlängerungsgeraden (E). Das Halbleiterbauteil (10) ist außerdem dazu eingerichtet, im Betrieb weißes Licht zu emittieren, wobei eine Farbtemperatur des weißen Lichts veränderbar und durchstimmbar ist.
Abstract:
Ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements umfasst Schritte zum Bereitstellen eines optoelektronischen Halbleiterchips, zum Auswählen eines wellenlängenkonvertierenden Elements in Abhängigkeit von einer dominanten Wellenlänge einer durch den optoelektronischen Halbleiterchip emittierbaren elektromagnetischen Strahlung, und zum Anordnen des ausgewählten wellenlängenkonvertierenden Elements im Strahlengang desoptoelektronischen Halbleiterchips, um eine optoelektronische Anordnung zu bilden. Dabei wird das wellenlängenkonvertierende Element so ausgewählt, dass ein Farbort einer durch die optoelektronische Anordnung emittierbaren elektromagnetischen Strahlung in einem festgelegten Farbort-Wertebereich liegt, und dass eine Peakwellenlänge eines Blaupeaks der durch die optoelektronische Anordnung emittierbaren elektromagnetischen Strahlung in einem festgelegten Peakwellenlängen-Wertebereich liegt.
Abstract:
Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauteil mit einer Vielzahl aktiver Bereiche (1) angegeben, die zur Erzeugung von Primärstrahlung eingerichtet sind, wobei LeuchtstoffPartikel (6, 6a, 6b) zwischen den aktiven Bereichen (1) angeordnet sind.
Abstract:
Es wird eine Beleuchtungseinrichtung (1) zur Hinterleuchtung eines Displays oder eines Fernsehers angegeben. Die Beleuchtungseinrichtung (1) sendet im Betrieb elektromagnetische Strahlung mit einem Gesamtspektrum aus, das einen ersten Peak (6), einen zweiten Peak (9) und einen dritten Peak (10) aufweist, wobei - zumindest die elektromagnetische Strahlung einer der Peaks (6, 9, 10) mittels eines Konversionselements (11) erzeugt ist, und - die Beleuchtungseinrichtung ein Absorbermaterial (12, 12') aufweist, das einen vorgegeben spektralen Bereich des Gesamtspektrums absorbiert. Weiterhin werden ein Display und ein Fernseher angegeben.
Abstract:
Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer Leuchtdiode mit den folgenden Schritten angegeben: Bereitstellen eines Leuchtdiodenchips (1); Bereitstellen eines Umhüllungsmaterials (2) für den Leuchtdiodenchip (1); Bereitstellen von elektrisch geladenen Teilchen (31) eines ersten Leuchtstoffs; Einbringen der elektrisch geladenen Teilchen (31) des ersten Leuchtstoffs in das Umhüllungsmaterial (2); Umhüllen des Leuchtdiodenchips (1) mit dem Umhüllungsmaterial (2); Aufbringen zumindest eines Teils der elektrisch geladenen Teilchen (31) des ersten Leuchtstoffs auf zumindest einen Teil einer Außenfläche (1a) des Leuchtdiodenchips (1) durch Sedimentation der Teilchen (31) im Umhüllungsmaterial (2); wobei die Sedimentation unter Einfluss einer elektrischen Kraft (4) auf die elektrisch geladenen Teilchen (31) des ersten Leuchtstoffs erfolgt.
Abstract:
Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer Leuchtdiode mit den folgenden Schritten angegeben: - Bereitstellen zumindest eines Leuchtdiodenchips (1), - Bereitstellen einer Suspension umfassend ein Lösungsmittel (2) und Partikel (3) zumindest eines Leuchtstoffes, - Anordnen des zumindest einen Leuchtdiodenchips (1) in der Suspension, - elektrophoretisches Abscheiden der Partikel auf einer Außenfläche (1a) des zumindest einen Leuchtdiodenchips (1), - Fertigstellen der Leuchtdiode.
Abstract:
Es wird ein Leuchtstoff (1) mit der allgemeinen Formel EA3Li4D2-xExN6-xOx : RE angegeben, wobei - EA ein Element oder eine Kombination von Elementen ausgewählt aus der Gruppe der zweiwertigen Elemente ist, - D ein Element oder eine Kombination von Elementen ausgewählt aus der Gruppe der vierwertigen Elemente ist, - E ein Element oder eine Kombination von Elementen ausgewählt aus der Gruppe der dreiwertigen Elemente ist, - RE ein Aktivator-Element oder eine Kombination von Aktivator-Elementen ist, und - 0 ≤ x ≤ 2. Darüber hinaus werden ein Verfahren zur Herstellung eines Leuchtstoffs (1) und ein strahlungsemittierendes Bauelement (10) angegeben.
Abstract:
Ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements umfasst Schritte zum Bereitstellen eines Leiterrahmens, zum Bereitstellen eines Stabilisierungsrahmens, zum Anordnen des Stabilisierungsrahmens auf dem Leiterrahmen und zum Einbetten des Leiterrahmens und des Stabilisierungsrahmens in einen Formkörper.
Abstract:
Ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements umfasst Schritte zum Bereitstellen eines Leiterrahmens mit einer Oberseite, die einen Kontaktbereich und einen gegenüber dem Kontaktbereich erhabenen Chipaufnahmebereich aufweist, zum Anordnen eines elektrisch leitenden Elements auf dem Kontaktbereich, zum Einbetten des Leiterrahmens in einen Formkörper, wobei der Kontaktbereich durch den Formkörper bedeckt wird, wobei der Chipaufnahmebereich und das elektrisch leitende Element an einer Oberseite des Formkörpers zugänglich bleiben, zum Anordnen eines optoelektronischen Halbleiterchips auf dem Chipaufnahmebereich und zum Verbinden des optoelektronischen Halbleiterchips und des elektrisch leitenden Elements mittels eines Bonddrahts.