公开(公告)号：WO2018108988A1

公开(公告)日：2018-06-21

申请号：PCT/EP2017/082579

申请日：2017-12-13

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  OSRAM GMBH

Inventor： STOLL, Ion ,  BICHLER, Daniel ,  BAUMGARTNER, Alexander

IPC: H01L33/50 ,  C09K11/00

CPC classification number: H01L33/502 ,  C09K11/7734 ,  C09K11/7774 ,  H01L33/504 ,  H01L33/505 ,  H01L2933/0041

Abstract: Es wird ein optoelektronisches Bauelement angeben. Das optoelektronische Bauelement umfasst - eine Schichtenfolge mit einer aktiven Schicht, die im Betrieb des Bauelements eine elektromagnetische Primärstrahlung emittiert, - ein Konversionselement, das im Strahlengang der elektromagnetischen Primärstrahlung und über der Schichtenfolge angeordnet ist, wobei das Konversionselement ein anorganisches Matrixmaterial, ausgewählt aus einem oxidischen Glas oder einer oxidischen Keramik, und zumindest einen ersten Leuchtstoff der Formel (Mg, Ca, Sr, Ba) ( Si, Ti ) 2 O 2 N 2 : Yb 2+ umfasst und der erste Leuchtstoff dazu eingerichtet ist, die elektromagnetische Primärstrahlung zumindest teilweise in eine elektromagnetische Sekundärstrahlung im roten Bereich des elektromagnetischen Spektrums zu konvertieren.

公开(公告)号：WO2016034489A1

公开(公告)日：2016-03-10

申请号：PCT/EP2015/069645

申请日：2015-08-27

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： OTTO, Isabel ,  STOLL, Ion

IPC: H01L33/50 ,  C25D13/02 ,  C25D13/12 ,  H01L25/075

CPC classification number: H01L33/504 ,  C25D13/02 ,  C25D13/12 ,  H01L25/0753 ,  H01L27/156 ,  H01L33/005 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2933/0041 ,  H01L2924/00

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements mit den folgenden Schritten angegeben: - Bereitstellen eines Halbleiterkörpers (10); - Aufbringen einer photoleitfähigen Schicht (34) auf eine Strahlungsaustrittsfläche (31) des Halbleiterkörpers, wobei der Halbleiterkörper dazu ausgebildet ist, im Betriebszustand elektromagnetische Strahlung zu emittieren; - Belichten zumindest eines Teilbereichs (34') der photoleitfähigen Schicht mit von dem Halbleiterkörper erzeugter elektromagnetischer Strahlung; - Abscheiden einer Konversionsschicht (44, 45) auf dem Teilbereich (34') der photoleitfähigen Schicht durch einen Elektrophoreseprozess.

Abstract translation: 公开的是用于制造光电子半导体器件，包括以下步骤的方法： - 提供半导体主体（10）; - 在所述半导体主体的辐射出射表面（31）施加一个光电导层（34），在半导体本体被设计为发射在工作状态下的电磁辐射; - 曝光由半导体本体的电磁辐射所产生的光电导层中的至少一个部分（34“）; - 通过电泳法沉积在所述光电导层的局部区域（34“）的转换层（44，45）。

公开(公告)号：WO2014072255A1

公开(公告)日：2014-05-15

申请号：PCT/EP2013/072941

申请日：2013-11-04

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： STOLL, Ion ,  GÖÖTZ, Britta

IPC: H01L33/50 ,  H01L33/64 ,  C09K11/02

CPC classification number: H01L33/502 ,  C09K11/02 ,  C09K11/025 ,  C09K11/08 ,  C09K11/565 ,  C09K11/883 ,  G02B1/10 ,  H01L33/501 ,  H01L33/504 ,  H01L33/507 ,  H01L33/56 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2933/0041 ,  H01L2924/00014

Abstract: Es wird ein Konvertermaterial (5) mit einem porösen anorganischen Matrixmaterial (3) angegeben, das eine Vielzahl an Poren (4) aufweist, auf deren Oberfläche eine Vielzahl an anorganischen Nanopartikeln (1, 1') aufgebracht ist. Die Nanopartikel (1, 1') sind dazu geeignet, elektromagnetische Strahlung eines ersten Wellenlängenbereichs in elektromagnetische Strahlung eines zweiten Wellenlängenbereichs umzuwandeln. Weiterhin werden ein Verfahren zur Herstellung eines solchen Konvertermaterials und ein optoelektronisches Bauelement mit einem solchen Konvertermaterial angegeben.

Abstract translation: 提供了一种转换器材料（5）多孔无机基体材料（3），具有多个（4）在其表面上的多个无机纳米颗粒（1，1“）的施加孔。 纳米粒子（1,1“）适于在第一波长范围内的电磁辐射的电磁辐射转换成第二波长范围。 此外，制造这样的转换器材料的一种方法和一种光电子器件都标有这样的转换器材料。

公开(公告)号：WO2014001125A1

公开(公告)日：2014-01-03

申请号：PCT/EP2013/062522

申请日：2013-06-17

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： BOß, Markus ,  STOLL, Ion

IPC: H01L33/44 ,  H01L33/50 ,  H01L33/46 ,  H01L33/56 ,  H01L33/60

CPC classification number: H01L33/44 ,  H01L33/46 ,  H01L33/50 ,  H01L33/56 ,  H01L33/60

Abstract: In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird eine optoelektronische Bauelementevorrichtung (100, 200, 300, 400, 500) bereitgestellt, die optoelektronische Bauelementevorrichtung (100, 200, 300, 400, 500) aufweisend: ein optoelektronisches Bauelement (104); einen Wellenlängenkonverter (106) auf oder über dem optoelektronischen Bauelement (104); und wenigstens einen Farbwandler (108, 202, 302, 404, 502), der eingerichtet ist, eine elektromagnetische Strahlung zu verändern, wobei die elektromagnetische Strahlung einen Nutz-Wellenlängenbereich und mindestens einen weiteren Wellenlängenbereich aufweist; wobei der wenigstens eine Farbwandler (108, 202, 302, 404, 502) eine erste Trägermatrix und einen Farbstoff aufweist; wobei der Farbstoff in der ersten Trägermatrix verteilt ist; und wobei der Farbstoff eingerichtet ist, elektromagnetische Strahlung zumindest in einem Teilbereich des weiteren Wellenlängenbereichs der elektromagnetischen Strahlung zu absorbieren.

Abstract translation: 在各种实施例中，一个光电元件（100，200，300，400，500）被提供，该光电器件（100，200，300，400，500），包括：一个光电子部件（104）; 的波长转换器（106）上或在光电子器件（104）的上方; 和至少一个颜色转换器（108，202，302，404，502）被布置以改变电磁辐射，其中，所述电磁辐射具有的有用波长范围和至少一个另外的波长范围; 其中，所述至少一个颜色转换器（108，202，302，404，502）具有第一载体基质和着色剂; 其中所述染料分散在第一载体基质; 并且其中，所述染料被布置成吸收电磁辐射在另一波长范围内的电磁辐射的一部分区域中的至少。

公开(公告)号：WO2013041525A1

公开(公告)日：2013-03-28

申请号：PCT/EP2012/068359

申请日：2012-09-18

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  STOLL, Ion ,  EISERT, Dominik

Inventor： STOLL, Ion ,  EISERT, Dominik

IPC: H01L33/50

CPC classification number: H01L33/505 ,  H01L33/504

Abstract: Es wird ein keramisches Konversionselement (1) mit einer Vielzahl erster säulenartiger Bereiche (2) und einer Vielzahl zweiter säulenartiger Bereiche (3), die von den ersten Bereichen (2) verschieden sind, wobei - die ersten Bereiche (2) keramisch ausgebildet sind, - die zweiten Bereiche (3) in einer Draufsicht auf eine Hauptfläche (7) des Konversionselements (1) gemäß einem hexagonalen Muster angeordnet sind, und - zumindest entweder die ersten Bereiche (2) dazu geeignet sind, elektromagnetische Strahlung eines ersten Wellenlängenbereichs in elektromagnetische Strahlung eines vom ersten verschiedenen, zweiten Wellenlängenbereichs umzuwandeln, oder - zumindest die zweiten Bereiche (3) dazu geeignet sind, elektromagnetische Strahlung eines ersten Wellenlängenbereichs in elektromagnetische Strahlung eines dritten Wellenlängenbereichs umzuwandeln, wobei der dritte Wellenlängenbereich vom ersten und zweiten Wellenlängenbereich verschieden ist. Weiterhin werden ein optoelektronisches Bauelement mit einem keramischen Konversionselement und ein Verfahren zur Herstellung eines keramischen Konversionselements angegeben.

Abstract translation: 它是（1），具有多个第1柱状（2）部分和多个所述第一区域（2）是不同的第二柱形区域（3）的方法，其中的陶瓷转换元件 - 所述第一区域（2）的陶瓷形成， - 在一个主表面的俯视图的第二区域（3）（7）的转换元件（1）是根据一个六边形图案布置，以及 - 所述第一区域（2）是能够将第一波长范围的电磁辐射转换成电磁辐射中的至少一个 将至少所述第二区（3）能够在第一波长范围中的第三波长范围内，其中从所述第一和第二波长范围的第三波长范围是不同的电磁辐射的电磁辐射的 - 转换不同于第一，第二波长范围，或。 此外，光电元件都标有一个陶瓷转换元件和用于制造陶瓷转换元件的方法。

公开(公告)号：EP2764554A1

公开(公告)日：2014-08-13

申请号：EP12753446.9

申请日：2012-08-16

Applicant: OSRAM Opto Semiconductors GmbH

Inventor： STOLL, Ion ,  PETERSEN, Kirstin

IPC: H01L33/50

CPC classification number: H01L31/16 ,  C09K11/7774 ,  G02B6/0026 ,  G02B6/0073 ,  G02F1/1336 ,  G02F1/133617 ,  H01L33/504 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: The invention relates to a semi-conductor component, comprising a semi-conductor chip (1) which has an active layer (1a) suitable for generating radiation and suitable for emitting radiation in the blue wavelength range. A first converter (3a) comprising a Ce doping is arranged downstream of the semiconductor chip (1) in the emission direction. In addition, a second converter (3b) comprising a minimum Ce doping of 1.5% is arranged downstream of the semiconductor chip (1) in the emission direction. The invention further relates to a module with a plurality of such components.

公开(公告)号：EP3227930A1

公开(公告)日：2017-10-11

申请号：EP15802168.3

申请日：2015-12-02

Applicant: OSRAM Opto Semiconductors GmbH

Inventor： BUTENDEICH, Rainer ,  STOLL, Ion ,  MANDL, Martin ,  STRASSBURG, Martin

IPC: H01L33/08 ,  H01L33/18 ,  H01L33/50

CPC classification number: H01L33/505 ,  H01L33/08 ,  H01L33/18 ,  H01L33/50 ,  H01L33/504

Abstract: The invention relates to an optoelectronic element comprising a semiconductor chip (12) that emits a blue-green light (4) during operation and has at least one light passage surface (12a) through which the blue-green light (4) emitted during operation passes and comprising a conversion element (3) which comprises fluorescent particles (31), in particular fluorescent particles of only one type, and which is arranged on the light passage surface (12a) at least in some areas. The fluorescent particles (31) at least partly convert the blue-green light (4) into a red light (5), and the optoelectronic element emits a white mixed light (6) which contains non-converted components of the blue-green light (4) and components of the red light (5).

Abstract translation: 本发明涉及一种光电元件，该光电元件包括​​在工作期间发射蓝绿光（4）的半导体芯片（12），并且具有至少一个光通过表面（12a），在工作期间发射的蓝绿光（4） 并且包括转换元件（3），所述转换元件包括荧光粒子（31），特别是仅一种类型的荧光粒子，并且所述转换元件至少局部地布置在所述光通过表面（12a）上。 荧光颗粒（31）至少部分地将蓝绿光（4）转换成红光（5），并且光电元件发射包含蓝绿光的未转换分量的白光混合光（6） （4）和红灯（5）的组件。

公开(公告)号：WO2018192922A2

公开(公告)日：2018-10-25

申请号：PCT/EP2018/059773

申请日：2018-04-17

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： STOLL, Ion ,  BAUMGARTNER, Alexander ,  WILM, Alexander

IPC: H01L33/50 ,  C09K11/77

Abstract: Es wird ein strahlungsemittierendes optoelektronisches Bauelement (1) angegeben. Das Bauelement (1) umfasst einen Halbleiterchip (2) oder einen Halbleiterlaser, der im Betrieb des Bauelements eine Primärstrahlung im UV-Bereich oder im blauen Bereich des elektromagnetischen Spektrums emittiert und ein Konversionselement (3) umfassend - einen ersten Leuchtstoff, der dazu eingerichtet ist die Primärstrahlung zumindest teilweise in eine erste Sekundärstrahlung mit einer Peakwellenlänge im grünen Bereich des elektromagnetischen Spektrums zwischen einschließlich 475 nm bis einschließlich 500 nm zu konvertieren und wobei der erste Leuchtstoff aus einer Gruppe ausgewählt ist, die BaSi 4 Al 3 N 9 , SrSiAl 2 O 3 N 2 , BaSi 2 N 2 O 2 , ALi 3 XO 4 , M* (1-x*-y*-z*) Z* z* [A* a *B* b *C* c* D* d* E* e* N 4-n* O n* ] und Kombinationen daraus umfasst.

公开(公告)号：WO2018091602A1

公开(公告)日：2018-05-24

申请号：PCT/EP2017/079498

申请日：2017-11-16

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： KEITH, Christina ,  STOLL, Ion

IPC: H01L33/50 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/501 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/505 ,  H01L2933/0041

Abstract: Ein Verfahren zum Herstellen eines wellenlängenkonvertierenden Elements umfasst Schritte zum Bereitstellen eines Matrixmaterials, das ein Fluorpolymer aufweist, zum Bereitstellen eines Leuchtstoffs, zum Compoundieren des Matrixmaterials und des Leuchtstoffs, um ein Formmaterial zu erhalten, zum Urformen des Formmaterials, um einen Formkörper zu bilden, und zum Zerteilen des Formkörpers, um eine Mehrzahl wellenlängenkonvertierender Elemente zu erhalten.

公开(公告)号：WO2016071456A1

公开(公告)日：2016-05-12

申请号：PCT/EP2015/075831

申请日：2015-11-05

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： GALESIC, Ivan ,  OOI, Chee Eng ,  STOLL, Ion

IPC: H01L33/46 ,  H01L33/62

CPC classification number: H01L33/60 ,  H01L33/486 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/181 ,  H01L2933/0058 ,  H01L2933/0066 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014

Abstract: Es wird ein optoelektronisches Bauelement (100) umfassend einen Leiterrahmen (110) mit einer auf der Oberfläche des Leiterrahmens (110) angeordneten Reflexionsschicht (130) aus Silber, einen auf dem Leiterrahmen (110) angeordneten optoelektronischen Halbleiterchip (150) und eine auf dem Halbleiterchip (150) und dem Leiterahmen (110) aufgebrachte Vergussmasse (170) aus einem phenylhaltigen Silikonpolymer beschrieben. Dabei ist auf der Reflexionsschicht (130) eine wenigstens ein von Silber abweichendes Metall und/oder ein Halbmetall umfassende Stabilisierungsschicht (140) angeordnet.

Abstract translation: 它是包括引线框（110）的表面上的引线框（110）与一个光电部件（100），其布置由银构成的反射层（130），布置在所述引线框架上的一个（110）的光电子半导体芯片（150）和一个在半导体芯片上 （150）和施加浇铸化合物（170）的框架雷特（110）中描述的含苯基的有机硅聚合物。 在这种情况下，至少一个不同的银金属和/或半金属全面稳定层（140）被设置在反射层（130）上。