Abstract:
A wafer carrier for supporting a plurality of wafers, including a plurality of slots provided in a cradle, the cradle being formed of silicon carbide and having an oxide layer overlying the silicon carbide.
Abstract:
A particulate material includes an abrasive particle having a superabrasive material with an external surface, and a coating including a metal overlying the external surface of the abrasive particle. The coating can include domains having an average domain size of not greater than about 260 nm, and the coating can include between about 1 wt% and about 20 wt% of the total weight of the abrasive particle and coating.
Abstract:
Ceramic particulate material includes alumina particles, the particles having a specific surface area (SSA) not less than 15 m2/g and not greater that 75m2/g and a sphericity quantified by at least one of (i) a mean roundness not less than 0.710 as measured by Roundness Correlation Image Analysis, and (ii) a concavity less than 20% wherein concavity is the percent of alumina particles based on a sample of at least 100 particles, which have a concave outer peripheral portion that extends along a distance not less that 10% of d50 bij TEM inspection, the concave outer peripheral portion having a negative radius of curvature as viewed from an interior of the particle. Also claimed is a method for forming said ceramic particulare material comprising a hot isostatic pressing of loose powder in order to effect phase transformation of the loose powder.
Abstract:
A polishing slurry includes liquid medium and particulate abrasive. The particulate abrasive includes soft abrasive particles, hard abrasive particles, and colloidal silica particles, wherein the soft abrasive particles have a Mohs hardness of not greater than 8 and the hard abrasive particles have a Mohs hardness of not less than 8, and wherein the soft abrasive particles and the hard abrasive particles are present at a weight ratio of not less than 2: 1.
Abstract:
Various semiconductor processing components and methods for forming same are disclosed. In one embodiment a semiconductor processing component is formed of SiC, and an outer surface portion of the component has a surface impurity level that is not greater than 10 times a bulk impurity level. In another embodiment a method for treating a semiconductor processing component includes exposing the component to a halogen gas at an elevated temperature, oxidizing the component to form an oxide layer, and removing the oxide layer.
Abstract:
1.- Material particulado de cerámica, que comprende: Partículas de alúmina, las partículas que tienen un área de superficie específica (SSA) de no menos de 15 m2/g y no más grande de 75 m2/g y una esfericidad cuantificada por al menos una de (i) una redondez media no menor de 0.710 como se midió por Análisis de Imagen para Correlación de Redondez, y (ii) una concavidad de menos de 20%, en donde la concavidad es el porcentaje de partículas de alúmina en una muestra de al menos 100 partículas, que tienen una porción periférica exterior cóncava que se extiende a lo largo de una distancia de no menos de 10% de d50 por inspección TEM, la porción periférica exterior cóncava que tiene un radio negativo de curvatura como se ve desde un interior de la partícula. 2.- El material particulado cerámico de la reivindicación 1, en donde el SSA no es mayor de 60 m2/g. 3.- El material particulado cerámico de la reivindicación 2, en donde el SSA no es mayor de 50 m2/g. 4.- El material particulado cerámico de la reivindicación 3, en donde el SSA no es mayor de 40 m2/g. 5.- El material particulado cerámico de la reivindicación 4, en donde el SSA no es mayor de 30 m2/g. 6.- El material particulado cerámico de la reivindicación 1, en donde las partículas de alúmina están comprendidas de alúmina de fase alfa. 7.- El material particulado cerámico de la reivindicación 6, en donde las partículas de alúmina consisten esencialmente de alúmina de fase alfa. 8.- El material particulado cerámico de la reivindicación 6, en donde las partículas de alúmina están comprendidas por al menos 85 p% de alúmina de fase alfa.9.- El material particulado cerámico de la reivindicación 8, en donde las partículas de alúmina son esencialmente alúmina de fase alfa completamente. 10.- El material particulado cerámico de la reivindicación 9, en donde las partículas de alúmina son alúmina de fase alfa de un solo cristal. 11.- El material particulado cerámico de la reivindicación 1, en donde las partículas de alúmina tienen una concavidad de menos de menos de 15%. 12.- El material particulado cerámico de la reivindicación 11, en donde las partuelas de alúmina tienen una concavidad de menos de 10%. 13.- El material particulado cerámico de la reivindicación 12, en donde las partículas de alúmina tienen una concavidad de menos de 10%.
Abstract:
A polishing slurry can include zirconia particles. The polishing slurry can be used to polish conductive and insulating materials, and is particularly well suited for polishing oxide materials as well as metals. The characteristics of the zirconia particles can affect the polishing of workpieces. By selecting the proper characteristics, the polishing slurry can have a good material removal rate while still providing an acceptable surface finish. The zirconia particles can be used as a replacement for, or in conjunction with, ceria or other abrasive particles. The content of zirconia particles in the polishing slurry may be less than a comparable polishing slurry having silica or alumina particles.