公开(公告)号：CA2673523A1

公开(公告)日：2008-07-10

申请号：CA2673523

申请日：2007-12-21

Applicant: SAINT GOBAIN CERAMICS

Inventor： CHINNAKARUPPAN PALANIAPPAN ,  RIZZUTO ROBERT A ,  VEDANTHAM RAMANUJAM ,  TANIKELLA BRAHMANANDAM V ,  CHERIAN ISAAC K

IPC: B24B1/00 ,  B24B7/22

Abstract: A method of machining a sapphire substrate comprises grinding a first sur face of a sapphire substrate using a first fixed abrasive and grinding said first surface of the sapphire substrate using a second fixed abrasive, where in the second fixed abrasive has a smaller average grain size than the first fixed abrasive, and wherein the second, fixed abrasive is self -dressing.

公开(公告)号：IN1903MUN2014A

公开(公告)日：2015-07-10

申请号：IN1903MUN2014

申请日：2014-09-24

Applicant: SAINT GOBAIN CERAMICS

Inventor： TANIKELLA BRAHMANANDAM V ,  CHINNAKARUPPAN PALANIAPPAN ,  RIZZUTO ROBERT A ,  CHERIAN ISAAC K ,  VEDANTHAM RAMANUJAM

IPC: B24B1/00 ,  B24B7/22

Abstract: A method of machining a sapphire substrate comprises grinding a first surface of a sapphire substrate using a first fixed abrasive and grinding said first surface of the sapphire substrate using a second fixed abrasive, wherein the second fixed abrasive has a smaller average grain size than the first fixed abrasive, and wherein the second, fixed abrasive is self -dressing.

公开(公告)号：PL2121242T3

公开(公告)日：2012-07-31

申请号：PL07855323

申请日：2007-12-21

Applicant: SAINT GOBAIN CERAMICS

Inventor： TANIKELLA BRAHMANANDAM V ,  CHINNAKARUPPAN PALANIAPPAN ,  RIZZUTO ROBERT A ,  CHERIAN ISAAC K ,  VEDANTHAM RAMANUJAM

IPC: B24B1/00 ,  B24B7/22

公开(公告)号：CA2673662C

公开(公告)日：2012-07-24

申请号：CA2673662

申请日：2007-12-21

Applicant: SAINT GOBAIN CERAMICS

Inventor： TANIKELLA BRAHMANANDAM V ,  SIMPSON MATTHEW A ,  CHINNAKARUPPAN PALANIAPPAN ,  RIZZUTO ROBERT A ,  VEDANTHAM RAMANUJAM

IPC: B24B7/22 ,  H01L33/00

Abstract: A sapphire substrate includes a generally planar surface having a crystallographic orientation selected from the group consisting of a-plane, r-plane, m-plane, and c-plane orientations, and having a nTTV of not greater than about 0.037 µm/cm2, wherein nTTV is total thickness variation normalized for surface area of teh generally planar surface, the substrate having a diameter not less than about 9.0 cm.

公开(公告)号：UA97969C2

公开(公告)日：2012-04-10

申请号：UAA200906860

申请日：2007-12-21

Applicant: SAINT GOBAIN CERAMICS

Inventor： TANIKELLA BRAHMANANDAM V ,  SIMPSON MATTHEW A ,  CHINNAKARUPPAN PALANIAPPAN ,  RIZZUTO ROBERT A ,  CHERIAN ISAAC K ,  VEDANTHAM RAMANUJAM

IPC: C30B29/20

Abstract: Описанасапфирнаяоснова, котораяимеетв целомплоскуюповерхностьс кристаллографическойориентацией, выбраннойизгруппы, котораясостоитиза-плоскостной, r-плоскостной, m-плоскостнойи с-плоскостнойориентаций, ивеличиной nTTV неболее, чемприблизительно 0,037 мкм/см, где nTTV являетсяобщейвариациейтолщины, нормированнойк площадиповерхностиуказаннойв целомплоскойповерхности, гдеуказанаосноваимеетдиаметрнеменее, чемприблизительно .

公开(公告)号：UA97126C2

公开(公告)日：2012-01-10

申请号：UAA200906861

申请日：2007-12-21

Applicant: SAINT GOBAIN CERAMICS

Inventor： TANIKELLA BRAHMANANDAM V ,  CHINNAKARUPPAN PALANIAPPAN ,  RIZZUTO ROBERT A ,  CHERIAN ISAAC K ,  VEDANTHAM RAMANUJAM

IPC: B24B1/00 ,  B24B7/00

Abstract: Процессмеханическойобработкисапфирнойосновывключает: шлифовкупервойповерхностисапфирнойосновыс помощьюпервогофиксированногоабразиваи шлифованияуказаннойпервойповерхностисапфирнойосновыс помощьювторогофиксированногоабразива, гдевторойфиксированныйабразивимеетменьшийсреднийразмерзерна, чемпервыйфиксированныйабразиви являетсясамозатачивающимся.

公开(公告)号：CA2673660A1

公开(公告)日：2008-07-10

申请号：CA2673660

申请日：2007-12-21

Applicant: SAINT GOBAIN CERAMICS

Inventor： CHERIAN ISAAC K ,  VEDANTHAM RAMANUJAM ,  CHINNAKARUPPAN PALANIAPPAN ,  SIMPSON MATTHEW A ,  TANIKELLA BRAHMANANDAM V ,  RIZZUTO ROBERT A

IPC: C30B29/20

Abstract: A sapphire substrate includes a generally planar surface having a crystal lographic orientation selected from the group consisting of a-plane, r-plane , m-plane, and c-plane orientations, and having a nTTV of not greater than a bout 0.037 µm/cm2, wherein nTTV is total thickness variation normalized for surface area of the generally planar surface, the substrate having a diamete r not less than about 9.0 cm.