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    13.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：DE602005001245T2

    公开(公告)日：2008-01-24

    申请号：DE602005001245

    申请日：2005-09-15

    Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

    Inventor： ANCEY PASCAL ,  ABELE NICOLAS ,  CASSET FABRICE

    IPC: B81B7/02 ,  B81B3/00 ,  B81C1/00

    Abstract: A MOS transistor with a deformable gate formed in a semiconductor substrate (10), comprises : (A) some source and drain zones (11, 12) separated by a channel zone (13) extending in a first direction from the source to the drain and in a second direction perpendicular to the first direction; (B) a conducting gate beam (16) placed at least above the channel zone extending in the second direction between some support points placed on the substrate at each side of the channel zone. The surface of the channel zone is hollow and has a form similar to that of the gate beam when it is in maximum deflection towards the channel zone. Independent claims are also included for : (A) a circuit oscillator incorporating this transistor; (B) the fabrication of this transistor with a deformable gate.

    15.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：FR2875339B1

    公开(公告)日：2006-12-08

    申请号：FR0452070

    申请日：2004-09-16

    Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

    Inventor： ANCEY PASCAL ,  ABELE NICOLAS ,  CASSET FABRICE

    IPC: H01L29/94 ,  B81B3/00 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00 ,  H01L29/84

    Abstract: A MOS transistor with a deformable gate formed in a semiconductor substrate (10), comprises : (A) some source and drain zones (11, 12) separated by a channel zone (13) extending in a first direction from the source to the drain and in a second direction perpendicular to the first direction; (B) a conducting gate beam (16) placed at least above the channel zone extending in the second direction between some support points placed on the substrate at each side of the channel zone. The surface of the channel zone is hollow and has a form similar to that of the gate beam when it is in maximum deflection towards the channel zone. Independent claims are also included for : (A) a circuit oscillator incorporating this transistor; (B) the fabrication of this transistor with a deformable gate.

    MICROSYSTEME ELECTROMECANIQUE COMPRENANT UNE POUTRE SE DEFORMANT PAR FLEXION
    16.
    发明专利
    MICROSYSTEME ELECTROMECANIQUE COMPRENANT UNE POUTRE SE DEFORMANT PAR FLEXION 未知

    公开(公告)号：FR2883560A1

    公开(公告)日：2006-09-29

    申请号：FR0502942

    申请日：2005-03-24

    Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

    Inventor： CASSET FABRICE ,  SEGUENI KARIM ,  DE GRAVE ARNAUD ,  ABELE NICOLAS

    IPC: B81B7/02 ,  B81C1/00 ,  G01P15/00 ,  H03H9/02

    Abstract: Un microsystème électromécanique comprend une poutre (1) et une électrode (10) couplée par une interaction électrostatique avec la poutre. La poutre est adaptée pour subir des déformations élastiques par flexion et possède un motif de section sensiblement constant. La poutre (1) est constituée de plusieurs pans (P1-P4) s'étendant sur la longueur de la poutre (L), et ayant chacun une épaisseur inférieure à une dimension extérieure du motif de section (w, t). Une fréquence de vibration par flexion de la poutre est alors accrue par rapport à une poutre pleine de mêmes dimensions extérieures. Un tel microsystème est adapté pour des applications à durées de transition très courtes, ou pour réaliser des oscillateurs et des résonateurs à haute fréquence.

    RESONATEUR A ONDES DE VOLUME.
    18.
    发明专利
    RESONATEUR A ONDES DE VOLUME. 未知

    公开(公告)号：FR2946478A1

    公开(公告)日：2010-12-10

    申请号：FR0953773

    申请日：2009-06-08

    Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

    Inventor： CASSET FABRICE ,  DURAND CEDRIC

    IPC: H03H3/013 ,  H03H9/24

    Abstract: L'invention concerne un procédé de formation d'un résonateur comprenant un élément résonant (28), l'élément résonant étant constitué au moins en partie d'un corps constitué au moins en partie d'un premier matériau conducteur, le corps comportant des cavités débouchantes, ce procédé comprenant les étapes suivantes : mesure de la fréquence du résonateur ; et remplissage au moins partiel desdites cavités.

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