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公开(公告)号：DE602005001245D1
公开(公告)日：2007-07-12
申请号：DE602005001245
申请日：2005-09-15
Applicant: ST MICROELECTRONICS SA , COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE
Inventor： ANCEY PASCAL , ABELE NICOLAS , CASSET FABRICE
Abstract: A MOS transistor with a deformable gate formed in a semiconductor substrate (10), comprises : (A) some source and drain zones (11, 12) separated by a channel zone (13) extending in a first direction from the source to the drain and in a second direction perpendicular to the first direction; (B) a conducting gate beam (16) placed at least above the channel zone extending in the second direction between some support points placed on the substrate at each side of the channel zone. The surface of the channel zone is hollow and has a form similar to that of the gate beam when it is in maximum deflection towards the channel zone. Independent claims are also included for : (A) a circuit oscillator incorporating this transistor; (B) the fabrication of this transistor with a deformable gate.
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公开(公告)号：FR2881416B1
公开(公告)日：2007-06-01
申请号：FR0550276
申请日：2005-01-31
Inventor： ABELE NICOLAS , ANCEY PASCAL , TALBOT ALEXANDRE , SEGUENI KARIM , BOUCHE GUILLAUME , SKOTNICKI THOMAS , MONFRAY STEPHANE , CASSET FABRICE
Abstract: The microresonator has a resonant unit (160) made from monocrystalline silicon, and activation electrodes (120, 121) positioned close to the resonant unit. The unit (160) is placed in an opening in a semiconductor layer (110) that covers a substrate (100). The electrodes (120, 121) are formed in the layer and leveled with the opening. The unit (160) is in the shape of mushroom whose leg is fixed on the substrate. An independent claim is also included for a method of fabricating a microresonator.
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公开(公告)号：FR2881416A1
公开(公告)日：2006-08-04
申请号：FR0550276
申请日：2005-01-31
Inventor： ABELE NICOLAS , ANCEY PASCAL , TALBOT ALEXANDRE , SEGUENI KARIM , BOUCHE GUILLAUME , SKOTNICKI THOMAS , MONFRAY STEPHANE , CASSET FABRICE
Abstract: L'invention concerne un microrésonateur comprenant un élément résonant (160) en silicium monocristallin et au moins une électrode d'activation (120, 121) placée à proximité de l'élément résonant, dans lequel l'élément résonant est placé dans une ouverture d'une couche semiconductrice (110) recouvrant un substrat (100), l'électrode d'activation étant formée dans la couche semiconductrice et affleurant au niveau de l'ouverture.
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公开(公告)号：DE602005001245T2
公开(公告)日：2008-01-24
申请号：DE602005001245
申请日：2005-09-15
Applicant: ST MICROELECTRONICS SA , COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE
Inventor： ANCEY PASCAL , ABELE NICOLAS , CASSET FABRICE
Abstract: A MOS transistor with a deformable gate formed in a semiconductor substrate (10), comprises : (A) some source and drain zones (11, 12) separated by a channel zone (13) extending in a first direction from the source to the drain and in a second direction perpendicular to the first direction; (B) a conducting gate beam (16) placed at least above the channel zone extending in the second direction between some support points placed on the substrate at each side of the channel zone. The surface of the channel zone is hollow and has a form similar to that of the gate beam when it is in maximum deflection towards the channel zone. Independent claims are also included for : (A) a circuit oscillator incorporating this transistor; (B) the fabrication of this transistor with a deformable gate.
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公开(公告)号：FR2875339B1
公开(公告)日：2006-12-08
申请号：FR0452070
申请日：2004-09-16
Applicant: ST MICROELECTRONICS SA , COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE
Inventor： ANCEY PASCAL , ABELE NICOLAS , CASSET FABRICE
Abstract: A MOS transistor with a deformable gate formed in a semiconductor substrate (10), comprises : (A) some source and drain zones (11, 12) separated by a channel zone (13) extending in a first direction from the source to the drain and in a second direction perpendicular to the first direction; (B) a conducting gate beam (16) placed at least above the channel zone extending in the second direction between some support points placed on the substrate at each side of the channel zone. The surface of the channel zone is hollow and has a form similar to that of the gate beam when it is in maximum deflection towards the channel zone. Independent claims are also included for : (A) a circuit oscillator incorporating this transistor; (B) the fabrication of this transistor with a deformable gate.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：FR2883560A1
公开(公告)日：2006-09-29
申请号：FR0502942
申请日：2005-03-24
Applicant: ST MICROELECTRONICS SA , COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE
Inventor： CASSET FABRICE , SEGUENI KARIM , DE GRAVE ARNAUD , ABELE NICOLAS
Abstract: Un microsystème électromécanique comprend une poutre (1) et une électrode (10) couplée par une interaction électrostatique avec la poutre. La poutre est adaptée pour subir des déformations élastiques par flexion et possède un motif de section sensiblement constant. La poutre (1) est constituée de plusieurs pans (P1-P4) s'étendant sur la longueur de la poutre (L), et ayant chacun une épaisseur inférieure à une dimension extérieure du motif de section (w, t). Une fréquence de vibration par flexion de la poutre est alors accrue par rapport à une poutre pleine de mêmes dimensions extérieures. Un tel microsystème est adapté pour des applications à durées de transition très courtes, ou pour réaliser des oscillateurs et des résonateurs à haute fréquence.
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公开(公告)号：FR2875339A1
公开(公告)日：2006-03-17
申请号：FR0452070
申请日：2004-09-16
Applicant: ST MICROELECTRONICS SA , COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE
Inventor： ANCEY PASCAL , ABELE NICOLAS , CASSET FABRICE
Abstract: L'invention concerne un transistor MOS à grille déformable formé dans un substrat semiconducteur, comprenant des zones de source et de drain séparées par une zone de canal s'étendant dans une première direction de la source au drain et dans une deuxième direction perpendiculaire à la première, une poutre conductrice de grille placée au moins au-dessus de la zone de canal s'étendant dans la deuxième direction entre des points d'appui placés sur le substrat de chaque côté de la zone de canal, et tel que la surface de la zone de canal est creuse et a une forme semblable à celle de la poutre de grille lorsque celle-ci est en déflexion maximale vers la zone de canal.
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公开(公告)号：JP2009044127A
公开(公告)日：2009-02-26
申请号：JP2008120484
申请日：2008-05-02
Inventor： ABELE NICOLAS
IPC: H01L31/10 , H01L21/28 , H01L21/3205 , H01L23/52 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/78 , H01L29/786
CPC classification number: H01L31/1136 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To form a structure of a component for attaining function of a photo-sensor and a dimmer while saving its space.
SOLUTION: A light control detection MOSFET has two source and drain regions separated with a channel 130 extending along a first direction, and a substrate 100 irradiated with light and a gate conductive beam 140 extending along a second direction which is almost perpendicular to the first direction. On at least one supporting region, the beam is fixed at each of two edge portions and located on the channel region 130. The gate beam is almost opaque and flexible so that progressive modulation is applied to light reaching the channel 130 based on a curve which is controlled by a voltage difference between a gate voltage and bulk voltage wherein the voltage difference acts so as to bend the beam to come closer to the channel surface.
COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPITAbstract translation: 要解决的问题：为了形成用于获得光传感器和调光器的功能的部件的结构，同时节省空间。 光控制检测MOSFET具有沿着第一方向延伸的通道130和由光照射的基板100和沿第二方向延伸的栅极导电梁140分开的两个源极和漏极区域，第二方向几乎垂直于 第一个方向。 在至少一个支撑区域上，光束固定在两个边缘部分中的每一个并且位于通道区域130上。栅极光束几乎是不透明和柔性的，使得逐渐调制被施加到基于如下曲线的到达通道130的光 由栅极电压和体电压之间的电压差控制，其中电压差用于使光束弯曲成靠近通道表面。 版权所有（C）2009，JPO＆INPIT
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公开(公告)号：FR2918747A1
公开(公告)日：2009-01-16
申请号：FR0705068
申请日：2007-07-12
Applicant: ST MICROELECTRONICS SA
Inventor： ABELE NICOLAS
Abstract: Un Microcapteur de pression et son procédé de fabrication.Le microcapteur comporte un transistor MOS FET à grille mobile (2) , une cavité (6) entre la grille mobile (2) disposés sur un substrat (1), des moyens pour mesurer la position de ladite grille et des moyens pour déplacer la dite grille mobile sous l'effet d'une pression.L'invention décrit plus spécifiquement un système de reconnaissance d'empreinte digitale.
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公开(公告)号：FR2920754A1
公开(公告)日：2009-03-13
申请号：FR0706269
申请日：2007-09-07
Applicant: ST MICROELECTRONICS SA
Inventor： ABELE NICOLAS
Abstract: Un micro système mécanique comportant une poutre (140) s'étendant suivant une direction longitudinale (O-y) déformable par flexion, et au moins un élément magnétique (201, 202) créant un champ magnétique. La poutre flexible comporte :- une premier circuit (10) comportant une première géométrie générant, lorsqu'il est parcouru par un courant, une force agissant sur ladite poutre en un endroit spécifique de manière à provoquer un premier mode vibratoire ;- un second circuit (20) comportant une seconde géométrie distincte de la première, et générant, lorsqu'il est parcouru par un courant, une force agissant sur ladite poutre en un second endroit provoquant un second mode vibratoire.
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