公开(公告)号：FR3016999A1

公开(公告)日：2015-07-31

申请号：FR1450724

申请日：2014-01-30

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： JIMENEZ JEAN ,  HEITZ BORIS ,  BOURGEAT JOHAN ,  MONROY-AGUIRRE AGUSTIN

IPC: H01L29/74 ,  H01L23/60 ,  H02H9/04

Abstract: Dispositif électronique, comprenant un thyristor (TH) possédant une anode (3), une cathode (4), un premier transistor bipolaire (TBP1) situé côté anode, un deuxième transistor bipolaire (TBP2) situé côté cathode, ces deux transistors bipolaires étant imbriqués et connectés entre l'anode et la cathode, un transistor MOS (TM) couplé entre la région de collecteur et la région d'émetteur du deuxième transistor bipolaire (TBP2), possédant une région de grille (GR) connectée à la cathode (4) par l'intermédiaire d'une région semiconductrice résistive (R2) incorporant au moins une partie de la région de base (B2) du deuxième transistor bipolaire (TBP2).

公开(公告)号：FR2989218A1

公开(公告)日：2013-10-11

申请号：FR1253249

申请日：2012-04-10

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： GALY PHILIPPE ,  JIMENEZ JEAN

IPC: H01L21/02

Abstract: Au moins trois blocs électriquement conducteurs (BLC) sont disposés au sein d'une région isolante (RIS) ; au moins deux d'entre eux sont mutuellement séparés et en couplage capacitif par l'intermédiaire d'une partie (OX) de la région isolante et au moins deux d'entre eux, semi-conducteurs, présentant des types de conductivité opposés ou des types de conductivité identiques mais avec des concentrations de dopants différentes sont en contact mutuel par un de leur côté ; l'agencement mutuel de ces blocs au sein de ladite région isolante, leur type de conductivité et leur concentration de dopants forment au moins un module électronique (MDL) ; certains des blocs forment des blocs d'entrée et de sortie.

公开(公告)号：FR2987938A1

公开(公告)日：2013-09-13

申请号：FR1252194

申请日：2012-03-12

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： JIMENEZ JEAN ,  GALY PHILIPPE ,  HEITZ BORIS

IPC: H01L27/02 ,  H01L23/60 ,  H01L29/747

Abstract: Le composant (CMP) incorpore topologiquement un nombre modulable de structures de triac (STRC1-STRC12) selon un agencement annulaire concentrique.

公开(公告)号：FR2975224B1

公开(公告)日：2013-07-26

申请号：FR1154120

申请日：2011-05-12

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： GALY PHILIPPE ,  JIMENEZ JEAN

IPC: H01L27/02

公开(公告)号：FR2982416A1

公开(公告)日：2013-05-10

申请号：FR1159951

申请日：2011-11-03

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： GALY PHILIPPE ,  JIMENEZ JEAN ,  BOURGEAT JOHAN ,  HEITZ DAVID

IPC: H01L23/60 ,  H01L27/02

Abstract: Le dispositif comprend un triac (TRC) et des blocs de déclenchement (BLCi) possédant un transistor MOS configuré pour fonctionner au moins transitoirement dans un mode de fonctionnement hybride, et un élément déclencheur supplémentaire à grille commandée, par exemple sous la forme d'une diode à effet de champ (GDi) , la grille de cette diode étant connectée à la grille du transistor MOS (TRi).

公开(公告)号：FR3044166A1

公开(公告)日：2017-05-26

申请号：FR1561135

申请日：2015-11-19

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： BOURGEAT JOHAN ,  JIMENEZ JEAN

IPC: H01L23/60 ,  H01L27/02 ,  H01L29/74

Abstract: Le dispositif électronique comprend une chaîne d'au moins deux thyristors (TH1, TH2) couplés en série dans le même sens de conduction. Chaque thyristor (TH1, TH2) comporte une gâchette (G1, G2) d'un premier type de conductivité et toutes les gâchettes (G1, G2) du premier type de conductivité des thyristors (TH1, TH2) sont couplées pour former une gâchette unique (GU).

公开(公告)号：FR2973570A1

公开(公告)日：2012-10-05

申请号：FR1152823

申请日：2011-04-01

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： GALY PHILIPPE ,  JIMENEZ JEAN

IPC: H01L27/098

Abstract: La première électrode du transistor comprend une première région électriquement conductrice (S) ménagée au sein du substrat semiconducteur (SB), la deuxième électrode comprend une deuxième région électriquement conductrice (D) ménagée au sein du substrat semiconducteur (SB); les première et deuxième régions étant séparées par ladite région de substrat (BK); l'électrode de commande comprend une troisième région électriquement conductrice (G) ménagée au sein du substrat, et la troisième région électriquement conductrice est à la fois séparée de ladite région de substrat (BK) par une région isolante (OXG) et électriquement couplée à ladite région de substrat par une diode à jonction (DD) destinée à être polarisée en inverse.

公开(公告)号：DE69619487T2

公开(公告)日：2002-10-10

申请号：DE69619487

申请日：1996-12-17

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： JIMENEZ JEAN

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/08 ,  H01L29/78

公开(公告)号：DE69421134T2

公开(公告)日：2000-02-03

申请号：DE69421134

申请日：1994-08-03

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： GENS MARC ,  JIMENEZ JEAN

IPC: H01L27/04 ,  H01L21/822 ,  H01L27/02 ,  H02H7/20 ,  H02H9/04

Abstract: The present invention relates to a structure for protection against electrostatic overvoltages for the terminals of an integrated circuit of multiple supplies, each supply being connected between a high-potential terminal and a low-potential terminal. Each terminal (P1, P2, etc.) of the circuit, including supply terminals (VDD1, VDD2..., VSS1, VSS2...), is connected to the anode of a first diode (D1), the cathode of which is linked to a first conducting rail (R1) and to the cathode of a second diode (D2) the anode of which is linked to a second conducting rail (R2). A unidirectional clipper component (Z) is linked by its cathode to the first rail and by its anode to the second rail.

公开(公告)号：DE69325206D1

公开(公告)日：1999-07-15

申请号：DE69325206

申请日：1993-03-17

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： JIMENEZ JEAN

IPC: H01L29/866

Abstract: An avalanche diode structure incorporated in an integrated circuit is embodied by the lateral junction between two adjacent buried layers having opposite conductivity types and a high doping level. This diode includes: a first highly doped buried layer of the same first conductivity type as the integrated circuit substrate; a second highly doped buried layer of the second conductivity type, surrounding the first buried layer and laterally contacting the first layer; and a third low doped buried layer of the second conductivity type disposed beneath the first buried layer and overlapping with respect to the second layer so as to also contact a portion of the second buried layer.