公开(公告)号：FR2890662A1

公开(公告)日：2007-03-16

申请号：FR0509397

申请日：2005-09-14

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： DUTARTRE DIDIER ,  LOUBET NICOLAS ,  TALBOT ALEXANDRE

IPC: H01L21/205 ,  C30B25/02 ,  H01L21/762

Abstract: Procédé d'épitaxie à faible budget thermique et son utilisation.L'invention concerne un procédé d'épitaxie basse température à la surface d'au moins une plaque en matériau à base de silicium pur ou d'alliage de silicium (SiGe, SiC, SiGeC...), dans un équipement de dépôt chimique en phase vapeur (CVD), notamment à thermique rapide (RTCVD), le procédé comprenant au moins les étapes consistant à :- charger la plaque dans l'équipement, à une température de chargement,- préparer la surface en vue d'un dépôt de nouvelles espèces chimiques,- effectuer, postérieurement à la préparation de la surface, le dépôt dans des conditions d'épitaxie basse température ( > >procédé dans lequel la préparation de la surface comprend une étape de passivation de la surface par injection de gaz-ou de mélange de gaz- actif.