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11.发明专利
公开(公告)号：FR3011121A1
公开(公告)日：2015-03-27
申请号：FR1359286
申请日：2013-09-26
Applicant: ST MICROELECTRONICS SA
Inventor： FONTENEAU PASCAL
IPC: H01L23/62
Abstract: L'invention concerne un dispositif comprenant des puces (1, 2, 3) de circuits intégrés montées les unes sur les autres, dans lequel au moins un composant de protection (26, 27) d'éléments (25) d'au moins une deuxième puce (1, 2) est formé dans une première puce (3). De préférence, les puces (1, 2, 3) sont de type SOI, la première puce (3) comportant une première couche SOI (12) d'une première épaisseur, ladite au moins une deuxième puce (1, 2) comportant une deuxième couche SOI (7) d'une deuxième épaisseur inférieure à la première épaisseur
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12.发明专利
公开(公告)号：FR2993406B1
公开(公告)日：2014-08-22
申请号：FR1256806
申请日：2012-07-13
Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE , ST MICROELECTRONICS SA
Inventor： FENOUILLET-BERANGER CLAIRE , FONTENEAU PASCAL
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13.发明专利
公开(公告)号：FR2993403B1
公开(公告)日：2014-08-22
申请号：FR1256801
申请日：2012-07-13
Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE , ST MICROELECTRONICS SA
Inventor： FENOUILLET-BERANGER CLAIRE , FONTENEAU PASCAL
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14.发明专利
公开(公告)号：FR3009432B1
公开(公告)日：2016-12-23
申请号：FR1357769
申请日：2013-08-05
Inventor： SOLARO YOHANN , CRISTOLOVEANU SORIN , FENOUILLET-BERANGER CLAIRE , FONTENEAU PASCAL
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公开(公告)号：FR3019379A1
公开(公告)日：2015-10-02
申请号：FR1452835
申请日：2014-03-31
Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 , ST MICROELECTRONICS SA
Inventor： MANOUVRIER JEAN-ROBERT , FONTENEAU PASCAL , MONTAGNER XAVIER
IPC: H01L31/0352 , H01L27/146
Abstract: L'invention concerne une photodiode comprenant : une région de substrat (PPW) de type de conductivité P, une région de recueil de charges électriques (PNW1, PNW2) pour recueillir des charges électriques apparaissant lorsqu'une face arrière de la région de substrat reçoit de la lumière, la région de recueil comportant une région de type de conductivité N (PNW1, PNW2) formée en profondeur dans la région de substrat, une région de lecture (SNN) de type de conductivité N, formée dans la région de substrat, et une grille de transfert (TG1, TG2) isolée, formée dans la région de substrat dans une tranchée isolante (TGI1, TGI2) profonde s'étendant en regard d'une face latérale de la région de type de conductivité N, à côté de la région de lecture, et agencée pour recevoir une tension de grille pour transférer des charges électriques stockées dans la région de recueil vers la région de lecture,
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Patent Agency Ranking16.发明专利
公开(公告)号：FR2993402B1
公开(公告)日：2018-02-02
申请号：FR1256800
申请日：2012-07-13
Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE , ST MICROELECTRONICS SA
Inventor： FENOUILLET-BERANGER CLAIRE , FONTENEAU PASCAL
IPC: H01L23/62 , H01L27/092
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17.发明专利
公开(公告)号：FR3005203B1
公开(公告)日：2017-01-06
申请号：FR1353811
申请日：2013-04-26
Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE , ST MICROELECTRONICS SA
Inventor： FENOUILLET-BERANGER CLAIRE , FONTENEAU PASCAL
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18.发明专利
公开(公告)号：FR3011122A1
公开(公告)日：2015-03-27
申请号：FR1359287
申请日：2013-09-26
Applicant: ST MICROELECTRONICS SA
Inventor： FONTENEAU PASCAL
IPC: H01L23/62
Abstract: L'invention concerne un composant de protection contre les surtensions formé dans une couche (1) de silicium sur isolant, SOI, une portion de la couche de SOI constituant le coeur d'un guide d'onde optique, ce composant étant constitué d'une alternance de régions semiconductrices de différents types et/ou niveaux de dopage, l'une au moins de ces régions correspondant à une partie (11) au moins du coeur du guide d'onde.
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19.发明专利
公开(公告)号：FR3009432A1
公开(公告)日：2015-02-06
申请号：FR1357769
申请日：2013-08-05
Inventor： SOLARO YOHANN , CRISTOLOVEANU SORIN , FENOUILLET-BERANGER CLAIRE , FONTENEAU PASCAL
Abstract: L'invention concerne un circuit intégré, comprenant un dispositif de protection contre les décharges électrostatiques incluant : -une couche isolante enterrée (2) comportant une épaisseur inférieure ou égale à 50nm ; -des premiers et deuxième transistors bipolaires disposés sur la couche isolante enterrée (2), un de ces transistors bipolaires étant un transistor NPN, l'autre de ces transistors étant un transistor PNP, la base du premier transistor bipolaire étant confondue avec le collecteur du deuxième transistor bipolaire et la base du deuxième transistor bipolaire étant confondue avec le collecteur du premier transistor bipolaire, les premier et deuxième transistors bipolaires étant configurés pour conduire sélectivement un courant de décharge entre deux électrodes (A, K) du dispositif de protection ; -un premier plan de masse semi-conducteur (93) disposé sous la couche isolante enterrée, adapté à être polarisé électriquement, s'étendant à l'aplomb de la base (43) du premier transistor bipolaire, présentant un premier type de dopage identique à celui de la base du premier transistor bipolaire et présentant une densité de dopage au moins dix fois supérieure à celle de la base du premier transistor bipolaire.
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公开(公告)号：FR2993401A1
公开(公告)日：2014-01-17
申请号：FR1256762
申请日：2012-07-13
Applicant: ST MICROELECTRONICS SA
Inventor： FONTENEAU PASCAL
Abstract: L'invention concerne un transistor MOS (T1) protégé contre des surtensions formé dans une couche semiconductrice de type SOI (3) disposée sur une couche isolante (5) elle-même disposée sur un substrat semiconducteur (7), comprenant un thyristor latéral à commande par effet de champ formé dans le substrat au moins en partie sous le transistor MOS, une région de déclenchement par effet de champ (26) du thyristor s'étendant sous au moins une partie d'une électrode principale (15) du transistor MOS et étant séparée de celle-ci par ladite couche isolante, l'anode (A) et la cathode (K) du thyristor étant respectivement reliées au drain (D1, 15) et à la source (S1, 13) du transistor MOS, d'où il résulte que le thyristor devient passant en cas de surtension positive entre le drain et la source du transistor MOS.
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