公开(公告)号：MX2008011275A

公开(公告)日：2008-11-25

申请号：MX2008011275

申请日：2007-03-09

Applicant: STC UNM

Inventor： HERSEE STEPHEN M ,  WANG XIN ,  SUN XINYU

IPC: H01L21/20

Abstract: Las modalidades ejemplares proporcionan dispositivos semiconductores que incluyen nanoalambres del grupo III-N de calidad alta (esto es, libre de defectos) y configuraciones del nanoalambre del grupo III-N uniforme así como sus procesos escalables para manufactura, donde la posición, orientación, características en sección transversal, longitud y cristalinidad de cada nanoalambre puede ser precisamente controlada. Un modo de crecimiento pulsado puede usarse para fabricar el nanoalambre del grupo III-N descrito y/o configuraciones del nanoalambre proporcionando una longitud uniforme de alrededor de 10 nm hasta alrededor de 1000 micrones con las características en sección transversal constantes incluyendo un diámetro ejemplar de alrededor de 10-1000 nm. Además, las estructuras del substrato GaN de calidad alta pueden formarse por coalescer la pluralidad del nanoalambre GaN y/o configuraciones del nanoalambre para facilitar la fabricación de los LEDs visibles o láseres. Además, las estructuras MW activas/nanoalambre de envolvente-núcleo pueden formarse por un crecimiento del envolvente-núcleo en las paredes laterales no polares de cada nanoalambre.