-
公开(公告)号：CN1463453A
公开(公告)日：2003-12-24
申请号：CN02802059.6
申请日：2002-04-12
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01G4/12
CPC classification number: C04B35/638 , B32B18/00 , B32B2311/22 , C04B35/4682 , C04B35/49 , C04B35/63 , C04B35/634 , C04B35/63424 , C04B35/64 , C04B2235/3203 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/3236 , C04B2235/3239 , C04B2235/3241 , C04B2235/3248 , C04B2235/3262 , C04B2235/3409 , C04B2235/3418 , C04B2235/3436 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567 , C04B2235/658 , C04B2235/6582 , C04B2235/6584 , C04B2235/6588 , C04B2235/662 , C04B2235/79 , C04B2237/346 , C04B2237/348 , C04B2237/40 , C04B2237/405 , C04B2237/704 , C04B2237/706 , H01G4/1245 , H01G4/30
Abstract: 一种制造多层陶瓷电子装置的方法，其具有用于焙烧预焙烧基体的焙烧步骤，其中，交替地布置多个绝缘层和包含贱金属的内电极层，其特征在于：焙烧步骤具有用于将温度升高到焙烧温度的温度升高步骤；以及从所述温度升高步骤时刻开始连续地导入氢气。根据该方法，可提供一种制造多层陶瓷电子装置例如多层陶瓷电容器的方法，其中，即使在绝缘层较薄且叠层较多的情况下，也不会发生形状各向异性和其它结构缺陷，提高了电性能并抑制了其性能的退化。
-
公开(公告)号：CN1432548A
公开(公告)日：2003-07-30
申请号：CN03101594.8
申请日：2003-01-15
Applicant: TDK株式会社
IPC: C04B35/468 , H01B3/12 , H01G4/12
CPC classification number: H01G4/1227 , C01G23/003 , C01G23/006 , C01G31/006 , C01G45/006 , C01P2002/50 , C01P2004/03 , C01P2004/61 , C01P2004/80 , C01P2006/40 , C04B35/4682 , C04B35/62218 , C04B35/638 , C04B35/64 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3239 , C04B2235/3241 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3262 , C04B2235/3418 , C04B2235/3436 , C04B2235/3454 , C04B2235/5445 , C04B2235/652 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567 , C04B2235/6582 , C04B2235/6584 , C04B2235/6588 , C04B2235/663 , C04B2235/664 , C04B2235/72 , C04B2235/79
Abstract: 一种介电陶瓷组合物，其包含一种包含钛酸钡的主成分，包含R1的氧化物的第四副成分(注意：R1是选自由配位数为9时的有效离子半径小于108皮米的稀土元素组成的第一元素组的至少一种)，和包含R2的氧化物的第五副成分(注意：R2是选自由配位数为9时的有效离子半径为108皮米－113皮米的稀土元素组成的第二元素组的至少一种)。根据该组合物，可以提供在烧成时具有优异抗还原性、在烧成后具有优异容量－温度特性和改善的绝缘电阻的加速寿命的介电陶瓷组合物。
-
公开(公告)号：CN1092391C
公开(公告)日：2002-10-09
申请号：CN95191054.X
申请日：1995-10-17
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01G4/12 , H01G4/30 , C04B35/468
CPC classification number: B32B18/00 , B32B2311/22 , C04B35/4682 , C04B35/6264 , C04B35/63424 , C04B35/638 , C04B35/64 , C04B2235/3205 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3215 , C04B2235/3225 , C04B2235/3239 , C04B2235/3256 , C04B2235/3262 , C04B2235/3418 , C04B2235/6582 , C04B2235/6584 , C04B2235/6588 , C04B2235/663 , C04B2235/765 , C04B2235/768 , C04B2235/785 , C04B2237/12 , C04B2237/346 , C04B2237/40 , C04B2237/405 , C04B2237/704 , C04B2237/706 , H01G4/1227
Abstract: 一种多层瓷介片状电容器，满足X7R性质或其电容量的温度响应并表现出在直流电场下电容量随时间的变化最小，绝缘电阻(IR)的加速寿命很长及良好的直流偏置性能，并提供一种耐介质击穿的多层瓷片状电容器。在第一种形式中，介电层包含作为主要组分BaTiO3并包含作为次要组分按特定比例的MgO、Y2O3、BaO与CaO中至少一种、及SiO2。在第二种形式中，介电层还包含作为次要组分按特定比例的MnO、V2O5与MoO3中至少一种。
-
公开(公告)号：CN1320937A
公开(公告)日：2001-11-07
申请号：CN01117893.0
申请日：2001-03-31
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H01G4/1227 , C04B35/4682
Abstract: 一种制备多层陶瓷片状电容器的方法,该电容器具有由电介质层和内电极层交替叠加而构成的电容器主体,该方法包括:使用钛酸钡作为粉末组分用于形成电介质层,在X－射线衍射图形中,该粉末组分的(200)面的衍射线的峰强度(I(200))相对于(002)面的衍射线的峰点的角与(200)面的衍射线的峰点的角之间的中间点的强度(Ib)的比值(I(200)/(Ib))为4－16。
-
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100545969C
公开(公告)日：2009-09-30
申请号：CN200510004129.0
申请日：2005-01-07
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H01G4/30 , H01G4/1227 , Y10T29/435
Abstract: 本发明的目标在于通过消除介电层中的氧空位和抑制Ni内部电极的氧化来提供一种具有高介电常数、高电容和极好可靠性的多层陶瓷电容器。该多层陶瓷电容器包括通过交替堆叠主要含钡的钛酸盐的介电层和主要含Ni的内部电极层而形成的多层介电体，并且在电容器中存在含有Mg-Si-O作为组成元素的第一异相。
-
公开(公告)号：CN100483577C
公开(公告)日：2009-04-29
申请号：CN200410087475.5
申请日：2004-09-30
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H01G4/1227 , C04B35/468 , H01G4/30
Abstract: 为提供一种即使将多层陶瓷电容器薄层化，也可以将IR不良率控制得较低，并且具有高相对介电常数的电介质陶瓷组合物，该电介质陶瓷组合物含有：组成式{{Ba(1-x)Cax}O}A{Ti(1-y-z)ZryMgz}BO2表示的主成分，和作为副成分的Mn的氧化物、Y的氧化物、V的氧化物和Si的氧化物。组成式中，A、B为0.995≤A/B≤1.020，x为0.0001≤x≤0.07，优选为0.001≤x≤0.05，y为0.1≤y≤0.3，z为0.0005≤z≤0.01，优选为0.003≤z≤0.01。
-
-
公开(公告)号：CN1307666C
公开(公告)日：2007-03-28
申请号：CN02802059.6
申请日：2002-04-12
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: C04B35/638 , B32B18/00 , B32B2311/22 , C04B35/4682 , C04B35/49 , C04B35/63 , C04B35/634 , C04B35/63424 , C04B35/64 , C04B2235/3203 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/3236 , C04B2235/3239 , C04B2235/3241 , C04B2235/3248 , C04B2235/3262 , C04B2235/3409 , C04B2235/3418 , C04B2235/3436 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567 , C04B2235/658 , C04B2235/6582 , C04B2235/6584 , C04B2235/6588 , C04B2235/662 , C04B2235/79 , C04B2237/346 , C04B2237/348 , C04B2237/40 , C04B2237/405 , C04B2237/704 , C04B2237/706 , H01G4/1245 , H01G4/30
Abstract: 一种制造多层陶瓷电子装置的方法，其具有用于焙烧预焙烧基体的焙烧步骤，其中，交替地布置多个绝缘层和包含贱金属的内电极层，其特征在于：焙烧步骤具有用于将温度升高到焙烧温度的温度升高步骤；以及从所述温度升高步骤时刻开始连续地导入氢气。根据该方法，可提供一种制造多层陶瓷电子装置例如多层陶瓷电容器的方法，其中，即使在绝缘层较薄且叠层较多的情况下，也不会发生形状各向异性和其它结构缺陷，提高了电性能并抑制了其性能的退化。
-
公开(公告)号：CN1250483C
公开(公告)日：2006-04-12
申请号：CN03101594.8
申请日：2003-01-15
Applicant: TDK株式会社
IPC: C04B35/468 , H01B3/12 , H01G4/12
CPC classification number: H01G4/1227 , C01G23/003 , C01G23/006 , C01G31/006 , C01G45/006 , C01P2002/50 , C01P2004/03 , C01P2004/61 , C01P2004/80 , C01P2006/40 , C04B35/4682 , C04B35/62218 , C04B35/638 , C04B35/64 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3239 , C04B2235/3241 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3262 , C04B2235/3418 , C04B2235/3436 , C04B2235/3454 , C04B2235/5445 , C04B2235/652 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567 , C04B2235/6582 , C04B2235/6584 , C04B2235/6588 , C04B2235/663 , C04B2235/664 , C04B2235/72 , C04B2235/79
Abstract: 一种介电陶瓷组合物，其包含一种包含钛酸钡的主成分，包含R1的氧化物的第四副成分(注意：R1是选自由配位数为9时的有效离子半径小于108皮米的稀土元素组成的第一元素组的至少一种)，和包含R2的氧化物的第五副成分(注意：R2是选自由配位数为9时的有效离子半径为108皮米-113皮米的稀土元素组成的第二元素组的至少一种)。根据该组合物，可以提供在烧成时具有优异抗还原性、在烧成后具有优异容量-温度特性和改善的绝缘电阻的加速寿命的介电陶瓷组合物。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
21
records
(took 0.033 seconds)
