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公开(公告)号：CN1307666C
公开(公告)日：2007-03-28
申请号：CN02802059.6
申请日：2002-04-12
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: C04B35/638 , B32B18/00 , B32B2311/22 , C04B35/4682 , C04B35/49 , C04B35/63 , C04B35/634 , C04B35/63424 , C04B35/64 , C04B2235/3203 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/3236 , C04B2235/3239 , C04B2235/3241 , C04B2235/3248 , C04B2235/3262 , C04B2235/3409 , C04B2235/3418 , C04B2235/3436 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567 , C04B2235/658 , C04B2235/6582 , C04B2235/6584 , C04B2235/6588 , C04B2235/662 , C04B2235/79 , C04B2237/346 , C04B2237/348 , C04B2237/40 , C04B2237/405 , C04B2237/704 , C04B2237/706 , H01G4/1245 , H01G4/30
Abstract: 一种制造多层陶瓷电子装置的方法，其具有用于焙烧预焙烧基体的焙烧步骤，其中，交替地布置多个绝缘层和包含贱金属的内电极层，其特征在于：焙烧步骤具有用于将温度升高到焙烧温度的温度升高步骤；以及从所述温度升高步骤时刻开始连续地导入氢气。根据该方法，可提供一种制造多层陶瓷电子装置例如多层陶瓷电容器的方法，其中，即使在绝缘层较薄且叠层较多的情况下，也不会发生形状各向异性和其它结构缺陷，提高了电性能并抑制了其性能的退化。
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公开(公告)号：CN1463453A
公开(公告)日：2003-12-24
申请号：CN02802059.6
申请日：2002-04-12
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01G4/12
CPC classification number: C04B35/638 , B32B18/00 , B32B2311/22 , C04B35/4682 , C04B35/49 , C04B35/63 , C04B35/634 , C04B35/63424 , C04B35/64 , C04B2235/3203 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/3236 , C04B2235/3239 , C04B2235/3241 , C04B2235/3248 , C04B2235/3262 , C04B2235/3409 , C04B2235/3418 , C04B2235/3436 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567 , C04B2235/658 , C04B2235/6582 , C04B2235/6584 , C04B2235/6588 , C04B2235/662 , C04B2235/79 , C04B2237/346 , C04B2237/348 , C04B2237/40 , C04B2237/405 , C04B2237/704 , C04B2237/706 , H01G4/1245 , H01G4/30
Abstract: 一种制造多层陶瓷电子装置的方法，其具有用于焙烧预焙烧基体的焙烧步骤，其中，交替地布置多个绝缘层和包含贱金属的内电极层，其特征在于：焙烧步骤具有用于将温度升高到焙烧温度的温度升高步骤；以及从所述温度升高步骤时刻开始连续地导入氢气。根据该方法，可提供一种制造多层陶瓷电子装置例如多层陶瓷电容器的方法，其中，即使在绝缘层较薄且叠层较多的情况下，也不会发生形状各向异性和其它结构缺陷，提高了电性能并抑制了其性能的退化。
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